本文内容由平台用户转载自Vishay品牌，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于用户通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
SiZF928DT双通道N沟道30 V（D-S）MOSFET
18-Jan-2021 - 数据手册
VISHAY - DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET,双通道N沟道30 V（D-S）MOSFET,N沟道2 MOSFET,N-CHANNEL 2 MOSFET,N-CHANNEL 1 MOSFET,N沟道1 MOSFET,SIZF928DT-T1-GE3,SIZF928DT,COMPUTER PERIPHERALS,电脑外设,TELECOM DC/DC,电信DC/DC,SYNCHRONOUS BUCK CONVERTER,服务器外围设备,CPU CORE POWER,SERVER PERIPHERALS,POL,同步BUCK变换器,波尔,CPU核心功率
查看更多版本
Si7272DP Vishay Siliconix双通道n沟道30 V（D-S）MOSFET
16-Feb-09 - 数据手册 该资料详细介绍了Vishay Siliconix的Si7272DP双通道30V MOSFET产品，包括其特性、应用、电气参数、热性能和封装信息。资料涵盖了产品的关键参数，如导通电阻、栅极阈值电压、漏极电流、热阻等，并提供了典型应用场景下的性能数据。
VISHAY - DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET,双通道N沟道30 V（D-S）MOSFET,POWER MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,功率 MOSFET,SI7272DP-T1-GE3,SI7272DP,SYSTEM POWER DC/DC,系统电源DC/DC
查看更多版本
SiZ348DT Vishay Siliconix双N沟道30V（D-S）MOSFET
25-Dec-17 - 数据手册 本资料介绍了Vishay Siliconix的SiZ348DT双通道30V MOSFET产品。该产品采用TrenchFET Gen IV技术，适用于高频率切换，具有优化的RDS-Qg和RDS-Qgd FOM，提高了效率。产品适用于同步降压、半桥和POL应用。
VISHAY - DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET,双通道N沟道30 V（D-S）MOSFET,POWER MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,功率 MOSFET,SIZ348DT-T1-GE3,SIZ348DT,HALF BRIDGE,DC/DC转换,半桥,同步BUCK,SYNCHRONOUS BUCK,DC/DC CONVERSION,POL,波尔
查看更多版本
SiZ350DT Vishay Siliconix双N沟道30V（D-S）MOSFET
25-Dec-17 - 数据手册 该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiZ350DT型号双通道30V N-Channel MOSFET。该产品采用TrenchFET Gen IV技术，适用于高频率切换，具有优化的RDS-Qg和RDS-Qgd FOM，提高了效率。资料还提供了产品的应用领域、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线和封装信息。
VISHAY - DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET,双通道N沟道30 V（D-S）MOSFET,POWER MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,功率 MOSFET,SIZ350DT,SIZ350DT-T1-GE3,HALF BRIDGE,DC/DC转换,半桥,同步BUCK,SYNCHRONOUS BUCK,DC/DC CONVERSION,POL,波尔
查看更多版本
Si1028X Vishay Siliconix双N沟道30 V（D-S）MOSFET
13-Aug-12 - 数据手册 本资料介绍了Vishay Siliconix的Si1028X双通道30V N沟道MOSFET产品。该产品采用TrenchFET技术，具有低导通电阻、高速度和低电压操作等特点，适用于便携式设备的负载/信号切换、继电器、电磁阀、灯具、显示器、存储器等电池供电系统。
VISHAY - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SI1028X-T1-GE3,SI1028X,SC-89,DRIVERS: RELAYS,显示器,回忆,BATTERY OPERATED SYSTEMS,LAMPS,驱动器：继电器,DISPLAYS,SOLENOIDS,灯,LOAD/SIGNAL SWITCHING FOR PORTABLE DEVICES,螺线管,HAMMERS,电池供电系统,MEMORIES,锤子,便携式设备的负载/信号切换
Si5922DU双通道N沟道30 V（D-S）MOSFET
25-Jul-16 - 数据手册
VISHAY - DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET,双通道N沟道30 V（D-S）MOSFET,SI5922DU,SI5922DU-T1-GE3,DC/DC电源,DC/DC POWER SUPPLY
查看更多版本
Si4202DY Vishay Siliconix双N沟道30 V（D-S）MOSFET
15-Nov-10 - 数据手册 Vishay Siliconix推出的Si4202DY是一款双通道30V N-Channel MOSFET，采用TrenchFET®技术，具有低导通电阻和快速开关特性。该产品适用于同步降压转换器，广泛应用于笔记本电脑、服务器和机顶盒等设备。
VISHAY - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SI4202DY-T1-GE3,SI4202DY,STB,机顶盒,SYNCHRONOUS BUCK,同步BUCK,NOTEBOOKS,服务器,SERVERS,笔记本
Si7270DP双N沟道30V（D-S）MOSFET
06-Sep-10 - 数据手册 该资料介绍了Vishay Siliconix公司推出的新型Si7270DP双通道30V MOSFET产品。该产品采用TrenchFET技术，具有低导通电阻、高电流承载能力等特点，适用于固定电信、同步转换器等应用领域。
VISHAY - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SI7270DP,伺服器,固定电信,SERVER,SYNCHRONOUS CONVERTER,同步变换器,FIXED TELECOM
双N沟道30v（D-S）MOSFET Si4202DY
15-Nov-10 - 数据手册
VISHAY - DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET,双通道N沟道30 V（D-S）MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,POWER MOSFET,功率 MOSFET,SI4202DY-T1-GE3,SI4202DY,STB,机顶盒,SYNCHRONOUS BUCK,同步BUCK,NOTEBOOKS,服务器,SERVERS,笔记本
查看更多版本
Si5902BDC Vishay Siliconix双N沟道30 V（D-S）MOSFET
08-Mar-10 - 数据手册 本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si5902BDC双通道30V N-Channel MOSFET产品。该产品采用TrenchFET技术，符合RoHS指令，适用于便携式应用中的负载开关和DC/DC转换器。
VISHAY - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SI5902BDC-T1-GE3,SI5902BDC,1206-8 CHIPFET®,SI5902BDC-T1-E3,便携式应用的负载开关,DC/DC变换器,LOAD SWITCH FOR PORTABLE APPLICATIONS,DC/DC CONVERTER
查看更多版本
Si1036X Vishay Siliconix双N沟道30 V（D-S）MOSFET
27-Jan-14 - 数据手册 该资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si1036X系列双通道30V N-Channel MOSFET产品。资料详细描述了该产品的特性、规格、典型特性、封装信息以及应用领域。
VISHAY - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SI1036X,DC/DC变换器,SMART PHONES,平板电脑,DC/DC CONVERTERS,LOAD SWITCH,DC/DC BOOST CONVERTERS,高速转换,MOBILE COMPUTING,TABLET PCS,智能手机,移动计算,DC/DC升压转换器,负载开关,HIGH SPEED SWITCHING
查看更多版本
Si4936CDY双通道N沟道30 V（D-S）MOSFET
09-Mar-09 - 数据手册
VISHAY - DUAL N-CHANNEL MOSFET,双N沟道MOSFET,SI4936CDY,SI4936CDY-T1-GE3,LOW CURRENT DC/DC CONVERSION,小电流DC/DC转换,笔记本电脑系统电源,NOTEBOOK SYSTEM POWER
查看更多版本
SEMTECH ST中低压功率MOS管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科中低压功率MOS管提供选型：产品涵盖N沟道、P沟道以及双管型号，提供包括DFN3030、DFN5060、TO-220FB、TO-247-3、TOLL等14种先进封装形式，适用于电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子及工业控制等广泛领域。该系列MOS管提供全电压段覆盖，从低压12V到高压200V，满足各类电源拓扑的耐压需求。导通电阻低至0.7mΩ，配合大电流能力514A，可实现高效率的功率开关。栅源阈值电压低至0.3V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动，便于直接与MCU或驱动器接口。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
Polarity
|
ESD Protection
|
VDS (V)
|
ID max (A)Tc= 25°C
|
VGS(th) (V)Min
|
VGS(th) (V)Max
|
RDSon(mΩ) at 4.5V/Typ
|
RDSon(mΩ) at 4.5V/Max
|
Qg Typ （nC）
|
|
STM3038N02UA1SK
|
中低压功率MOS管
|
DFN3030
|
N
|
Y
|
12
|
87
|
0.3
|
1
|
2.9
|
3.8
|
79
|
HYPERSEMI SiC Mosfet选型表
选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供碳化硅功率MOSFET选型。封装包括PDFN5x6、PDFN8x8、TO-220F、TO-247-3L/4L、TO-252、TOLL、TO-263-7L等。漏源电压650V-3300V，漏极电流3.8A-150A，导通电阻13mΩ-1000mΩ。适用于新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等高功率密度场景。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
VDS
|
ID
|
Rds
|
|
CM7N65PDX100
|
Silicon Carbide Power MOSFET
|
PDFN5x6
|
650V
|
7A
|
540mΩ
|
HYPERSEMI MOSFET选型表
选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供功率MOSFET选型，涵盖N沟道与P沟道器件。封装包括D2PAK、TO-220、TO-247、SO-8等。漏源击穿电压20V-1000V以上，连续漏极电流<1A-300A以上，最大导通电阻从几毫欧至几千毫欧，典型栅极电荷覆盖宽范围。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效开关与低导通损耗的应用场景。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Polarity
|
VDS
|
ID
|
Rds(VGS=10V)
|
VGS(th)
|
VGS
|
|
HMJ8N65PEX100
|
MOSFET
|
DFN8x8
|
N
|
650V
|
8.7A
|
365mΩ
|
3.58V
|
±30V
|
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论