824540121 WE-TVSP Power TVS Diode

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2021-09-09 WURTH ELEKTRONIK 数据手册 英文


●一般资料
■在最坏情况下,建议部件温度不超过+150°C
■工作温度:-65至+150°C
■储存条件(原包装):<40°C;<75%相对湿度
■湿度敏感等级(MSL):1
■电气性能的试验条件:+20°C,33%相对湿度(如果未另行规定)

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TWTLSEMI腾领整流二极管选型表

选型表  -  TWTLSEMI TWTLSEMI腾领提供整流二极管的选型。产品涵盖耐压100V-1000V,额定电流1A-2A,正向压降1V-1.85V,反向恢复时间50ns-75ns。封装形式包括SOD-123FL、SMA、SMB,适用于高频整流及电源电路。

产品型号
品类
封装
Vr(V)
Io(A)
Vf(V)
Trr(ns)
Ir(uA)
Marking
TL-U1D
整流二极管
SOD-123FL
200
1
1
50
100
U1D
立即选型
代理服务

FMIC SIC MOSFET选型表

选型表  -  FMIC FMIC方正微电子提供SiC MOSFET、SiC肖特基二极管及功率模块的选型。产品涵盖1200V耐压等级,SiC MOSFET导通电阻13mΩ-85mΩ,二极管正向电流10A-40A,功率模块电流支持63A-210A。封装包含TO247-2/3/4/4NL/7、EASY2B、DIP32等。产品分为车规级(符合AEC-Q101标准)和工业级,适用于汽车电子及工业控制领域。

产品型号
品类
封装
耐压(V)
Rds(on)mΩ
应用等级
认证标准
FM120D013CA
SiC MOSFET功率半导体
TO247-4
1200V
13mΩ
车规级
AEC-Q101
立即选型
代理服务

晶新小信号肖特基二极管芯片选型表

选型表  -  晶新 晶新提供如下小信号肖特基二极管芯片选型,产品线完整覆盖100mA~1A、20V~100V全参数区间,以标准化梯度裸片尺寸、可定制电性(VF/IR/VR),适用于消费电子、便携设备、开关电源、工业等领域

产品型号
品类
Iғ(mA)
Vʀ(V)
Vғ₁(V)
Vғ(V)
Iʀ(µA)
Cᴛ (pF)
tᵣᵣ(ns)
Die Size(mm×mm)
Wafer Size
BAS40
小信号肖特基二极管芯片
100
42
0.35
1
0.2
5
5
0.23×0.23
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可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。

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