GD55LT02GE Uniform Sector Standard and Quad Serial Flash DATASHEET

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2021-09-24 兆易创新 数据手册 英文
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●一般说明：GD55LT02GE（2G位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI），并支持四SPI和DTR模式：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）、I/O3、DQS、ECS和复位。四路输入/输出四路输出数据以83MBytes/s的速度传输，DTR四路输入/输出数据以200MBytes/s的速度传输
●特点：

◆2G位串行闪存
▲256M字节

▲每个可编程页面256字节
◆快速编程/擦除速度

▲页面编程时间：典型0.18ms

▲扇区擦除时间：30ms典型

▲块擦除时间：0.1/0.2s典型

▲芯片擦除时间：典型200s

◆标准、四SPI、DTR、QPI

▲标准SPI:SCLK，CS#，SI，SO，WP#，重置#

▲四SPI:SCLK，CS#，IO0，IO1，IO2，IO3，重置#

▲QPI:SCLK，CS#，IO0，IO1，IO2，IO3，重置#

▲SPI DTR（双传输速率）读取
▲3或4字节地址模式

◆灵活的架构
▲4K字节扇区
▲32/64K字节块

▲擦除/程序挂起/恢复

◆高速时钟频率
▲200MHz用于快速读取

▲高达664Mbits/s的四路输入/输出数据传输

▲QPI模式数据传输高达664Mbits/s

▲DTR四路输入/输出数据传输速度高达200字节/秒，采用DQ

◆低功耗

▲80μA典型待机电流

▲20μA典型断电电流

◆高级安全功能
▲128位唯一ID

▲具有OTP锁的4K字节安全寄存器
◆允许XIP（就地执行）操作

▲高速读取减少了整个XiP指令获取时间

▲带Wrap的连续读取进一步减少了数据延迟，以填充SoC缓存

◆单电源电压

▲全电压范围：1.65～2.0V

◆软件/硬件写保护
▲通过软件写保护全部/部分内存
▲使用WP#引脚启用/禁用保护
▲单个块保护

◆耐久性和数据保留
▲至少100000个程序/擦除周期

▲典型的20年数据保留
◆包裹信息
▲TFBGA-24ball（5x5球阵列）

◆数据完整性检查
▲片内ECC（每8字节1位校正）

▲CRC检测原始数据的意外更改

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2020年11月  - 商品及供应商介绍 兆易创新成立于2005年，是一家集存储器、微控制器、传感器于一体的半导体解决方案供应商。公司是全球排名第一的无晶圆厂NOR Flash供应商，在SPI NOR Flash领域市场占有率全球第三，中国品牌排名第一。兆易创新拥有1223项专利，获得ISO9001, ISO14001认证。公司产品包括Flash、MCU、Sensor等，广泛应用于消费电子、物联网、汽车&工控等领域。近年来，公司营收持续增长，全球布局覆盖欧洲、亚太、美国等地。

兆易创新  -  并行NAND闪存,SPI和闪存,PARALLEL NAND FLASH,SPI NOR闪存,SPI NAND FLASH,传感器,FLASH,闪光,MCU,SENSOR,SPI NOR FLASH,单片机,GD32F150,GD32F350,GD32E103,GD32E503,GD25UE,GD32E507,GD25LX,GD32E505,GD25LT,GD25LQ,GD25LR,GSL8165,GD25LE系列,GD32VF103,GD25LH,GD32E231,GD25LE,GD25LD,GD32E230,GD25WQ系列,GD25LF,GD32EPRT,GD25LB,GD32E232,GD32F207,GD32F405,GD32F205,GD32F403,GD32F407,GSL6150,GD55X,GD25X系列,GSL6157,GSL6159,GD25T系列,GD32FFPR,GSL7002,GSL7001,GD55T,GD32F170,GD5F系列,GD32F330,GD32F450,GD25WQ,GD32F130,GD25WD,GD25系列,GSL816X,GD5FX,GD25LX系列,GD9FX,GD32F103,GD25B,GD32F101,GD25E系列,GD25D,GD32F305,GD32F107,GD25F,GD25LT系列,GD32F303,GD32F105,GD25X,GD32F307,GD55LX,GD25WD系列,GD25Q,GSL6135,GD25R,GD55LT,GD25T,GD32F190,智能终端,便携医疗,触摸控制,指纹识别,工业智能,电池供电,汽车电子,生物检测,车载应用

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