CBB, CBC Thin Film Binary MOS Capacitors
■CBB和CBC MOS电容器芯片均以二进制增量包含五个不同的电容器，允许用户在值选择中进行多种选择。这些芯片采用Vishay Electro Films（EFI）先进的薄膜设备和制造技术制造。根据MIL-STD-883，方法2032，H或K级，对CBB和CBC进行100%电气测试和目视检查。
■特征
● 可焊线
●用户价值选择
● 0.019英寸x 0.048英寸（CBB）或0.044英寸x 0.044英寸（CBC）芯片上的五个电容器
●箱子尺寸：0402004
●电容范围：以二进制增量最多93 pF
● 电介质：二氧化硅
● 低介电损耗
● 衬底：带金背衬的硅
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产品型号
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品类
|
封装
|
VRRM(V)
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IF(A)
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VF(V) Max
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IR(mA)
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IFSM(A)
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|
SBR10J120A2Z
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碳化硅肖特基二极管
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TO-252
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1200
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30
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1.65
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0.1
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90
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|
产品型号
|
品类
|
封装
|
VRRM(V)
|
IF(AV)(A)
|
VF(V)
|
IR(uA)
|
IFSM(A)
|
|
1N5391G
|
整流二极管
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DO-15
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50
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1.5
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1
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5
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50
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产品型号
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品类
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封装
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VRM(V)
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IF(AV)(A)
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IFSM(A)
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VF(V)
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IR(mA)
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trr Max(nS)
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ES1A
|
快恢复二极管
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SMA
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50
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1
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30
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1
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0.005
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35
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服务市场
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