N-channel 25 V, 5.3 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology
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●LFPAK33封装中的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。NextPowerS3产品组合利用Nexperia独特的“肖特基+”技术，提供了高效率、低尖峰性能，通常与具有集成肖特基或类似肖特基二极管的MOSFET相关，但没有出现问题的高泄漏电流。NextPower 3特别适用于高开关频率下的高效率应用。
●特点和优点：
■超低QG、QGD和QOSS可提高系统效率，尤其是在更高的开关频率下
■具有软恢复的超快切换；s因子>1
■低尖峰和振铃用于低EMI设计
■独特的“肖特基+”技术；25°C时泄漏小于1μA的肖特基性能
■针对4.5 V栅极驱动进行了优化
■低寄生电感和电阻
■高可靠性夹焊和焊接模具连接的小型功率SO8封装；无胶水，无金属丝粘合，合格温度为175°C
■裸露的导线可实现最佳的目视焊接检查
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