ESDBW4V5A1 DFNWB1.0X0.6-02L-A Plastic-Encapsulate Diodes

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2022-05-24 长晶科技 数据手册 英文


■说明:

●设计用于保护电压敏感电子元件免受ESD和其他瞬态的影响。出色的箝位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。

●小尺寸、低电容和高水平ESD保护的结合使其成为HDMI、Display Port TM和MDDI接口等应用的灵活解决方案。它的设计目的是取代多层压敏电阻器(MLV)在消费类设备中的应用,如手机、笔记本电脑、PAD、STB、LCD电视等。

■特点:

●单线双向ESD保护
●反向支架−关断电压:4.5V
●反向箝位电压低
●低泄漏电流
●优秀封装:1.0mm×0.6mm×0.5mm
●快速响应时间
●JESD22-A114-B每个人体模型3B级ESD等级
●IEC 61000-4-2 4级ESD保护

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长晶科技ESD Diode选型表

选型表  -  长晶科技 长晶科技提供ESD Diode(静电保护二极管) 选型,涵盖 256 款型号,适用于各类电子设备静电防护场景。封装多样性:提供 30 种封装类型,包括 SOD 系列(SOD-123、SOD-323、SOD-523 等)、SOT 系列(SOT-23、SOT-323 等)、DFN 系列及 WBFBP 系列等,满足不同安装空间需求。参数覆盖全面:峰值脉冲功率(Ppp)1.5-36.0W,工作电压(VRWM)3.0-40.0V,击穿电压(VBR)4.0-48.0V,钳位电压(VC)1.0-300.0V,满足不同防护等级要求。性能优异:反向漏电流(IR)低至 0.2uA,结电容(CJ)3.9-80.0PF,可适配不同信号速率场景。适用于消费电子、通信设备、工业控制、汽车电子等领域,为各类敏感元器件提供可靠的静电防护。

产品型号
品类
Status
VBRMax(V)
VC(V)
VBRMin(V)
IR(uA)
CJ(PF)
IPP(A)
Ppp(W)
VRWM(V)
ESDBW4V5A1_DFNWB1.0x0.6-2L
ESD Diode
540
1
30
6
60
18
DFNWB1.0x0.6-2L
4.5
4.6
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【应用】长晶科技提供多款小封装低功耗TVS、MOS、LDO产品,助力手机市场设计多样化

2025-06-09 -  应用方案 手机已经成为我们生活中必不可少的一部分,随着手机技术的更新换代,长晶科技的产品也紧跟步伐不断创新,针对手机市场,提供小封装(0201、0402)静电TVS管,小信号MOS(CSP封装),超低功耗LDO可提供多种组合方案,满足产品设计的多样化。

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长晶科技TVS二极管&ESD二极管选型表

选型表  -  长晶科技 长晶科技提供如下TVS二极管&ESD二极管的技术选型:Ppp(W)范围:+19~+15000;VRWM(V)范围:+1.5~+45633;IR(uA)范围:+0.01~+5000;VC(V)范围:+3.88~+828.....长晶科技的TVS二极管&ESD二极管有SOD-723、SOP8、SOT-143、DFNWB2×2-3L、DO-15等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号
品类
Status
VBRMax(V)
VC(V)
VBRMin(V)
IR(uA)
CJ(PF)
IPP(A)
Ppp(W)
VRWM(V)
Package
ESDBW4V5A1_DFNWB1.0×0.6-2L
ESD静电保护二极管
Active
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4.6
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