MOS Model 20 Level 2001
●摘要
■开发了一种新的高压MOS器件晶体管模型，称为MOS模型20。该晶体管模型可用于高压集成电路的电路仿真。MOS模型20描述了高压MOS器件（如横向双扩散MOS（LDMOS）器件或扩展漏MOSFET）薄栅氧化物下区域的电气行为。因此，它将沟道区的MOSFET操作与薄栅氧化层下漂移区的MOSFET操作结合起来。因此，在各种高压MOS器件的宏模型中，MOS模型20旨在作为MOS模型9与MOS模型31串联组合的后续产品。
■由于MOS模型20是一种所谓的基于表面电势的模型，因此它在所有操作区域中都能给出准确的描述。MOS模型20包括沟道区和漂移区的强反转、耗尽和积累。此外，通过计算模型本身内部的所谓内部漏极电压，MOS模型20旨在比由MOS模型9与MOS模型31串联组成的宏模型在电路模拟期间具有更好的收敛性能。
■本报告的目的是提供MOS模型20的完整定义，包括模型参数集、温度和几何比例规则，以及电流、电荷和噪声源的所有实施模型方程。简要说明了该模型的物理背景，并给出了参数提取策略。
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产品型号
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品类
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封装
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极性
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IO(MA)
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VCC(V)
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GI/HFE(Min)
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VO(on)(V)
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R1(KΩ)(Typ)
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R2/R1(Typ)
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Marking
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DTA113ZCA
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数字晶体管
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SOT-23
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PNP
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-100
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-50
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-33
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0.3
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1
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10
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E11
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产品型号
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品类
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Iᴄ(mA)
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BVᴄᴇᴏ(V)
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BVᴄʙᴏ(V)
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BVᴇʙᴏ(V)
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hғᴇ min
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hғᴇ max
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Vᴄᴇ(sat)(V)
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fᴛ(MHz)
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Die Size(mm×mm)
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Wafer Size
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9014SSS
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小信号晶体管芯片
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100
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50
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80
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8
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60
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700
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0.3
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150
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0.26×0.26
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5"，6"
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产品型号
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品类
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BVᴄᴇᴏ(V)
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BVᴄʙᴏ(V)
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BVᴇʙᴏ(V)
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hғᴇ min
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hғᴇ max
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Vᴄᴇ(sat)(V)
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fᴛ(MHz)
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Die Size(mm×mm)
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Wafer Size
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Iᴄ(A)
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CJZM718
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功率晶体管芯片
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-25
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-25
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-7.5
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300
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600
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-0.35
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150
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0.86×0.86
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4"
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-2.5
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