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13-May 2010 - 数据手册 本资料介绍了Centrale Semi公司的CP392V型小信号晶体管(NPN - 放大器/开关晶体管芯片)。该产品采用EPITAXIAL PLANAR工艺制造,具有11x11 MILS的晶圆尺寸和7.1 MILS的晶圆厚度。资料提供了典型电学特性数据和应用支持服务。
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13-May 2010 - 测试报告 本资料详细介绍了CP392V型号的NPN型小信号晶体管芯片。资料中包含了该芯片的制造工艺细节,如基板尺寸、厚度、金属化层等信息。此外,还列出了该芯片的主要设备类型和应用,并提供了典型的电气特性数据。资料还涵盖了产品支持、设计师支持服务以及如何请求产品电镀等实用信息。
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系列型号: CMST3904 BK PBFREE; CMST3904 TR PBFREE
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13-May 2010 - 数据手册 本资料介绍了Centrale Semi公司的Smal Signal Transistor芯片,型号为CP792V。该芯片采用EPITAXIAL PLANAR工艺制造,具有特定的尺寸和金属化层厚度。资料还列出了几种主要的设备类型,并提供了典型电学特性的详细信息。
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选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor(美国中央半导体)双极性晶体管选型。参数信息如下:电流集电极(Ic)(最大值):50mA~1A,电压集射极击穿(最大值):25V~160V。此产品广泛应用于工业、消费等领域
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产品型号
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品类
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不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值)
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功率最大值
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电压集射极击穿(最大值)
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频率跃迁
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电流集电极(Ic)(最大值)
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不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值)
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CMLT3904EG TR PBFREE
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双极性晶体管
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30@100mA,1V
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150mW
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40V
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300MHz
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200mA
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100mV@5mA,50mA
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Central Semiconductor提供符合MIL-PRF-38534/19500标准的上筛选产品
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选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor(美国中央半导体)双极结型晶体管选型。参数信息如下:最大直流电集电极电流:10mA~50A,集电极-发射极最大电压VCEO:12V~400V,此产品广泛应用于小信号的一般放大和开关等应用
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产品型号
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品类
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最小工作温度
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最大直流电集电极电流
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集电极-基极电压VCBO
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最大工作温度
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集电极-射极饱和电压
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发射极-基极电压VEBO
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集电极-发射极最大电压VCEO
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Pd-功率耗散
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增益带宽产品fT
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CMLT3904EGTRPBFREE
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双极结型晶体管
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-65℃
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200mA
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60V
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+150℃
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100mV
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6V
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40V
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350mW
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300MHz
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