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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
12 June 2014 - 数据手册 本资料为Nexperia公司生产的BUK92150-55A N沟道TrenchMOS逻辑电平FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术,适用于汽车关键应用,具有低导通损耗、适用于逻辑电平门驱动源和高温环境等特点。
NEXPERIA - N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET,N沟道TRENCHMOS逻辑电平场效应晶体管,LOGIC LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管,BUK92150-55A,GENERAL PURPOSE POWER SWITCHING,马达,LAMPS,汽车,24 V负载,通用电源开关,MOTORS,12 V负载,12 V LOADS,AUTOMOTIVE,灯,螺线管,24 V LOADS,SOLENOIDS
化学成分BUK92150-55A\U CD
2018/04/24 - 测试报告 该资料详细描述了元器件BUK92150-55A_CD的化学成分、封装类型、重量、无铅焊接工艺、MPPT版本、处理周期、材料组成及质量百分比。资料中还包括了不同材料的CAS编号、质量、以及总产品中的质量百分比。此外,还包含了免责声明和注意事项,强调信息仅供参考,不构成任何保证或承诺。
NEXPERIA - 9340 685 57118,BUK92150-55A_CD,BUK92150-55A
查看更多版本中国RoHS BUK92150-55A\U光盘
2018/04/24 - 测试报告 该资料为Nexperia公司生产的BUK92150-55A_CD元器件的环保合规性声明。资料详细列出了该元器件中可能含有的有害物质,如铅、镉、汞等,并说明这些物质是否在规定限量以下。同时,资料还提到所有Nexperia产品均有50年的环保使用期限,并对信息准确性、免责声明等内容进行了说明。
NEXPERIA - BUK92150-55A_CD
中国RoHS BUK92150-55A
2019/01/09 - 测试报告 该资料为Nexperia公司生产的BUK92150-55A元器件的环保信息报告。报告详细列出了该元器件中各部件的有毒有害物质含量,包括铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等,并标注了是否符合SJ/T11363-2006标准。同时,报告还声明了Nexperia产品具有50年的环保使用期限,并对信息准确性、产品偏差等进行了免责声明。
NEXPERIA - BUK92150-55A
查看更多版本化学成分BUK92150-55A
2019/01/09 - 测试报告 该资料详细描述了元器件BUK92150-55A的化学成分、封装类型、总产品重量、无铅焊接工艺、MPPT版本、处理周期、材料组成、CAS编号、质量百分比等信息。资料还包含了免责声明,指出所有信息仅供参考,且可能存在轻微偏差。
NEXPERIA - 9340 562 50118,BUK92150-55A
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