IRF9Z30, SiHF9Z30 Vishay Siliconix Power MOSFET
●说明:
■功率MOSFET技术是Vishay先进功率MOSFET晶体管系列的关键。功率MOSFET设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻、高跨导和极端的器件耐用性。p沟道功率MOSFET设计用于需要反向极性操作方便的应用。它们保留了更常见的n沟道功率MOSFET的所有特性,如电压控制、非常快的开关、易于并联和极好的温度稳定性。P沟道功率MOSFET拟用于功率级,其中与n沟道器件的互补对称性提供了电路简化。由于反向极性连接提供的电路多功能性,它们在驱动阶段也非常有用。应用领域包括电机控制、音频放大器、开关模式转换器、控制电路和脉冲放大器。
●特征
■P通道多功能性
■紧凑型塑料包装
■快速切换
■低驱动电流
■易于并联
■优异的温度稳定性
■注:*含铅终端不符合RoHS标准。豁免可能适用
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产品型号
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品类
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Package
|
VDS
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ID
|
Rds
|
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CM7N65PDX100
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Silicon Carbide Power MOSFET
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PDFN5x6
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650V
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7A
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540mΩ
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产品型号
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品类
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Package
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Polarity
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VDS
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ID
|
Rds(VGS=10V)
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VGS(th)
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VGS
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HMJ8N65PEX100
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MOSFET
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DFN8x8
|
N
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650V
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8.7A
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365mΩ
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3.58V
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±30V
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天波电子继电器选型表
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产品型号
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品类
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触点负载
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最大切换电流(A)
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最大切换功率(W)
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最大切换电压(VAC、VDC)
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TR5V L-S-Z 12VDC
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信号继电器
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1A 120VAC 1A 24VDC
2A 120VAC 2A 24VDC
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1A/2A
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1200VA/30W
240VAC/48W
|
120VAC/60VDC
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