IRF9Z30, SiHF9Z30 Vishay Siliconix Power MOSFET

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2018-05-22 VISHAY 数据手册 英文


●说明:
■功率MOSFET技术是Vishay先进功率MOSFET晶体管系列的关键。功率MOSFET设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻、高跨导和极端的器件耐用性。p沟道功率MOSFET设计用于需要反向极性操作方便的应用。它们保留了更常见的n沟道功率MOSFET的所有特性,如电压控制、非常快的开关、易于并联和极好的温度稳定性。P沟道功率MOSFET拟用于功率级,其中与n沟道器件的互补对称性提供了电路简化。由于反向极性连接提供的电路多功能性,它们在驱动阶段也非常有用。应用领域包括电机控制、音频放大器、开关模式转换器、控制电路和脉冲放大器。

●特征
■P通道多功能性
■紧凑型塑料包装
■快速切换
■低驱动电流
■易于并联
■优异的温度稳定性
■注:*含铅终端不符合RoHS标准。豁免可能适用

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产品型号
品类
Package
VDS
ID
Rds
CM7N65PDX100
Silicon Carbide Power MOSFET
PDFN5x6
650V
7A
540mΩ
立即选型
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HYPERSEMI MOSFET选型表

选型表  -  HYPERSEMI HYPERSEMI提供功率MOSFET选型,涵盖N沟道与P沟道器件。封装包括D2PAK、TO-220、TO-247、SO-8等。漏源击穿电压20V-1000V以上,连续漏极电流<1A-300A以上,最大导通电阻从几毫欧至几千毫欧,典型栅极电荷覆盖宽范围。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效开关与低导通损耗的应用场景。

产品型号
品类
Package
Polarity
VDS
ID
Rds(VGS=10V)
VGS(th)
VGS
HMJ8N65PEX100
MOSFET
DFN8x8
N
650V
8.7A
365mΩ
3.58V
±30V
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选型表  -  天波电子 天波电子继电器选型:本选型表提供信号继电器与功率继电器的选型。产品涵盖信号继电器(如TR5V、HJR系列)及功率继电器(如HQJ-15F、TRAF系列),支持多路触点配置(1H/1D/1Z)。核心可选参数包括触点负载(如1A 120VAC、2A 24VDC;或10A 240VAC、7A 240VAC等)、最大切换电流(1A~30A)、最大切换功率(30W~7200VA/560W)、最大切换电压(120VAC/60VDC~277VAC/30VDC)。优势特性为高负载能力(最高30A/7200VA)与双电压适应能力,部分型号含TUV认证。适用于低功率信号控制及高功率工业负载场景。

产品型号
品类
触点负载
最大切换电流(A)
最大切换功率(W)
最大切换电压(VAC、VDC)
TR5V L-S-Z 12VDC
信号继电器
1A 120VAC 1A 24VDC 2A 120VAC 2A 24VDC
1A/2A
1200VA/30W 240VAC/48W
120VAC/60VDC
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