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选型指南 INTERSIL  -  源极驱动器,抗辐射加固模拟 EH,多路复用器,抗辐射5V多路复用器,CAN收发器,负载交换稳压器,仪表放大器,温度传感器,交换式稳压器,抗辐射加固双引脚温度传感器,抗辐射加固QML SMD,航天航空专用IC,单芯片抗辐射加固驱动器,ISL70617SEH,ISL71830SEH,ISL7119EH,ISL73096EH,HS-4423BEH,ISL70001ASEH,ISL78840ASEH,HS-303AEH,ISL71091SEH33,ISL72028SEH,HS-303CEH,HS-4424EH,HS-565BEH,ISL7124SEH,ISL71590SEH,ISL72813SEH,ISL70244SEH,ISL70517SEH,ISL70003SEH,IS-139ASEH,ISL73127EH,ISL706CEH,ISL78841ASEH,HS-1840AEH,ISL706AEH,HS-1825AEH,ISL71090SEH25,HS-26CLV31EH,ISL71091SEH40,HS-508BEH,ISL71831SEH,IS-2100AEH,HS-4080AEH,IS-2981EH,HS-26C32EH,ISL72027,HS-5104AEH,HS-117EH,ISL70002SEH,HS-26CT32EH,ISL70419SEH,ISL71090SEH75,ISL70218SEH,ISL705BEH,ISL72026,HS-26CLV32EHH,ISL75052SEH,ISL70227SEH,ISL70219ASEH,ISL72026SEH,HS-303BEH,HS-4423EH,ISL71091SEH10,ISL71841SEH,IS-1009EH,ISL78845ASEH,HS-2420EH,ISL706BEH,ISL73128EH,HS-1840BEH,HS-3530AEH,ISL70003ASEH,HS-4424BEH,HS-4424DEH,ISL75051SEH,ISL70001SEH,HS-OP470AEH,ISL70444SEH,HS-26C31EH,ISL72027SEH,ISL71091SEH20,ISL71830,ISL71840SEH,HS-139EH,ISL71090SEH50,HS-26CT31EH,ISL705CEH,ISL70417SEH,ISL705AEH,ISL71090SEH12,HS-201HSEH,ISL78843ASEH,航天航空,卫星通信,航空航天

ISL70040SEH、ISL73040SEH抗辐射低端氮化镓FET驱动器

Jul 30, 2021  - 数据手册 该资料介绍了Renesas公司的ISL70040SEH和ISL73040SEH两款低边驱动器,用于驱动增强型氮化镓(GaN)FET,适用于隔离拓扑和升压配置。这些驱动器具有宽工作电压范围(4.5V至13.2V),内置4.5V稳压栅极驱动电压,并具有独立输出,可调整开启和关闭速度。它们适用于军事温度范围(-55°C至+125°C),并提供陶瓷表面贴装器件(SMD)封装或裸片形式。

INTERSIL  -  辐射硬化低边氮化镓场效应管驱动器,RADIATION HARDENED LOW-SIDE GAN FET DRIVER,低档驾驶员,LOW-SIDE DRIVERS,ISL70020SEH,5962R1723301VXC,ISL70023SEH,ISL73040SEHVL,5962R1723301V9A,ISL73040SEHEV4Z,ISL70040SEHX,ISL70040SEHVX,ISL73040SEHX,ISL73040SEHVX,ISL70040SEHEV5Z,ISL71610M,5962L1723302V9A,ISL70040SEHEV2Z,ISL70040SEHVL,5962L1723302VXC,ISL70040SEHEV3Z,ISL73040SEHL,ISL70040SEH,ISL73040SEH,ISL70024SEH,ISL73024SEH,ISL70040SEHL,二次同步场效应管驱动器,BOOST AND PFC CONVERTERS,FLYBACK AND FORWARD CONVERTERS,反激和正激变换器,BOOST和PFC转换器,SECONDARY SYNCHRONOUS FET DRIVERS

标准微电路图纸(SMD)部件号5962R0922501*、5962R0922502*和Intersil部件号ISL70001S*(PAN16028)的数据表规格变更

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INTERSIL  -  5962R0922501VXC,5962R0922502VYC,5962R0922501V9A,5962R0922501QXC,ISL70001SEHVX,ISL70001SRHVF,ISL70001SRHF/PROTO,ISL70001SRHVXS2746,ISL70001SRHX/SAMPLE,ISL70001SRHVXS2745,ISL70001SRHVXS2747,ISL70001SRHFR5427,5962R0922502*,ISL70001S*,ISL70001SRHVX,ISL70001SEHFE/PROTO,5962R0922502VXC,ISL70001SEHVXS2746,ISL70001SEHVXS2747,5962R0922502V9A,ISL70001SRHQF,ISL70001SEHVXS2745,ISL70001SEHVFE,5962R0922501*,ISL70001SEHVF

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2020-09-29 -  应用方案 GaN FETs比传统的Si FETs在尺寸、重量和效率上更优优势,尺寸更小、重量更轻、效率更高,可广泛应用在各个行业中。为了充分发挥GaN FETs的优势,需要一个专门的快速调整到理想驱动电压的门驱动器,推荐Intersil(Renesas​收购)低侧GaN场效应晶体管驱动器ISL70040SEH/ISL73040SEH,可用于反激式电路拓扑的DC/DC变换器。

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2019-12-25 -  应用方案 超级电容作为储能器件,其充放电次数明显多于传统铅酸电池,能够快速吸收能量,并且不会降低寿命,广泛应用于工业备用电源系统,其中超级电容充电部分是必不可少的。本文重点介绍interisl的一款带有CICV管理的DCDC同步降压控制器 ISL78268,可为超级电容提供安全可靠的充电管理,延长超级电容使用寿命。

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瑞萨高可靠太空与严酷环境解决方案,提供抗辐射的PWM控制器、GaN FET驱动器\电源、精密电流源、数字隔离器

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【产品】转换效率大于95%的6相双向同步PWM控制器ISL78226

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