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NEXPERIA - 双通道N沟道增强型场效应晶体管 (FET),PHN210T,电机和继电器驱动器,DC-DC转换器,逻辑电平转换器
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化学成分PHN210T
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NEXPERIA - PHN210T,9340 554 51118
中国RoHS PHN210T
2018/04/29 - 测试报告 本资料为Nexperia公司PHN210T元器件的RoHS合规性声明。内容包括该元器件中粘合剂、晶粒、极片材料、注塑胶料、预电镀和线等部件的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量均符合SJ/T11363-2006标准。同时，Nexperia产品具有50年的环保使用期限。资料还包含免责声明，指出信息仅供参考，不构成任何保证或承诺。
NEXPERIA - PHN210T
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双N沟道增强型PHN210 TrenchMOSTM晶体管
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PHN210T China RoHS 测试报告
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31 August 2021 - 应用笔记或设计指南 本资料提供了一种名为PXN012-60QL的热阻网络（Cauer）的SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻（Rth(j-mb)）和相关参数，如Cth1至Cth4。资料中详细列出了这些参数的最小值、典型值和最大值，以及相应的单位。资料还包含了版权声明和免责条款。
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