WE-LHMI SMD Power Inductor 74437324150
●E一般信息:
■建议在最坏的操作条件下,零件温度不超过125°C。
■环境温度:-40°C至+85°C(参考IR)
■工作温度:-40°C至+125°C
■存储温度(磁带和卷盘上):-20°C至+40°C;最大相对湿度75%。
■电性能试验条件:20°C,33%相对湿度(如果未另行规定)
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产品型号
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品类
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封装
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VR(V)
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IO(A)
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IFSM(A)
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VF(V)
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VF(V)@IF(A)
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IR(µA)
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IR(µA)@VR(V)
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SB1045L
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中大功率肖特基二极管
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TO-277
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45
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10
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280
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0.45
|
10
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300
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45
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FMIC SIC MOSFET选型表
选型表 - FMIC FMIC方正微电子提供SiC MOSFET、SiC肖特基二极管及功率模块的选型。产品涵盖1200V耐压等级,SiC MOSFET导通电阻13mΩ-85mΩ,二极管正向电流10A-40A,功率模块电流支持63A-210A。封装包含TO247-2/3/4/4NL/7、EASY2B、DIP32等。产品分为车规级(符合AEC-Q101标准)和工业级,适用于汽车电子及工业控制领域。
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产品型号
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Rds(on)mΩ
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|
认证标准
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FM120D013CA
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13mΩ
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车规级
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AEC-Q101
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产品型号
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品类
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BVᴄᴇᴏ(V)
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BVᴄʙᴏ(V)
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BVᴇʙᴏ(V)
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hғᴇ min
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hғᴇ max
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Vᴄᴇ(sat)(V)
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fᴛ(MHz)
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Die Size(mm×mm)
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Wafer Size
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Iᴄ(A)
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CJZM718
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功率晶体管芯片
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-25
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-25
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-7.5
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300
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600
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-0.35
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150
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0.86×0.86
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4"
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-2.5
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电子商城
服务市场
30年电声经验,支持电磁/压电/SMD蜂鸣器及扬声器定制,电压、频率、声压等参数按需调整,车规级品质适配严苛工况。
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