WE-LHMI SMD Power Inductor 74437324150

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2018-05-29 WURTH ELEKTRONIK 数据手册 英文


●E一般信息:

■建议在最坏的操作条件下,零件温度不超过125°C。

■环境温度:-40°C至+85°C(参考IR)
■工作温度:-40°C至+125°C
■存储温度(磁带和卷盘上):-20°C至+40°C;最大相对湿度75%。

■电性能试验条件:20°C,33%相对湿度(如果未另行规定)

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KINCARRY(晶凯瑞)中大功率肖特基二极管选型表

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产品型号
品类
封装
VR(V)
IO(A)
IFSM(A)
VF(V)
VF(V)@IF(A)
IR(µA)
IR(µA)@VR(V)
SB1045L
中大功率肖特基二极管
TO-277
45
10
280
0.45
10
300
45
立即选型
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FMIC SIC MOSFET选型表

选型表  -  FMIC FMIC方正微电子提供SiC MOSFET、SiC肖特基二极管及功率模块的选型。产品涵盖1200V耐压等级,SiC MOSFET导通电阻13mΩ-85mΩ,二极管正向电流10A-40A,功率模块电流支持63A-210A。封装包含TO247-2/3/4/4NL/7、EASY2B、DIP32等。产品分为车规级(符合AEC-Q101标准)和工业级,适用于汽车电子及工业控制领域。

产品型号
品类
封装
耐压(V)
Rds(on)mΩ
应用等级
认证标准
FM120D013CA
SiC MOSFET功率半导体
TO247-4
1200V
13mΩ
车规级
AEC-Q101
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晶新功率晶体管芯片选型表

选型表  -  晶新 晶新提供如下功率晶体管芯片选型,中大功率BJT裸片是一套2~15A全电流、20~350V超宽耐压的线性/驱动功率三极管芯粒矩阵,分为通用中小功率、标准宽压、超大电流功放、高压特种四大系列,配套完整NPN/PNP配对型号。产品线区50~150MHz高频线性放大工艺与10~15MHz低频大电流驱动工艺,裸片尺寸0.86~5.0mm梯度全覆盖,兼容各类直插、贴片功率封装

产品型号
品类
BVᴄᴇᴏ(V)
BVᴄʙᴏ(V)
BVᴇʙᴏ(V)
hғᴇ min
hғᴇ max
Vᴄᴇ(sat)(V)
fᴛ(MHz)
Die Size(mm×mm)
Wafer Size
Iᴄ(A)
CJZM718
功率晶体管芯片
-25
-25
-7.5
300
600
-0.35
150
0.86×0.86
4"
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