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SemiHow MOSFET选型表
选型表 - SemiHow SemiHow提供如下参数的MOSFET：Technology：S3、S2、Q1；VDS [V]：60~900；ID @25℃ [A]：1~68.8；RDS(on) (max.)@VGS=10V[Ω]：0.022~11.5；VGS(th) (min.)[V]：2~3；VGS(th) (max.)[V]：3.5~5；PD @25℃ [W]：3.1~417；Qg [nC]：3.9~186；EAS [mJ]：21~1152；包括D-PAK、TO-220FT、I2-PAK、D2-PAK等多种封装形式。
|
产品型号
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品类
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Technology
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Package
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VDS [V]
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ID @25℃ [A]
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RDS(on) (max.)@VGS=10V[Ω]
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VGS(th) (min.)[V]
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VGS(th) (max.)[V]
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PD @25℃ [W]
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Qg [nC]
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EAS [mJ]
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HCD60R2K4
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MOSFET
|
S3
|
D-PAK
|
600
|
2.3
|
2.4
|
2
|
4
|
29
|
4.1
|
21
|
FMIC SIC MOSFET选型表
选型表 - FMIC FMIC方正微电子提供SiC MOSFET、SiC肖特基二极管及功率模块的选型。产品涵盖1200V耐压等级，SiC MOSFET导通电阻13mΩ-85mΩ，二极管正向电流10A-40A，功率模块电流支持63A-210A。封装包含TO247-2/3/4/4NL/7、EASY2B、DIP32等。产品分为车规级（符合AEC-Q101标准）和工业级，适用于汽车电子及工业控制领域。
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产品型号
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品类
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封装
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耐压（V)
|
Rds(on)mΩ
|
应用等级
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认证标准
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FM120D013CA
|
SiC MOSFET功率半导体
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TO247-4
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1200V
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13mΩ
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车规级
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AEC-Q101
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华轩阳电子N型场效应晶体管选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供N沟道MOSFET的选型。本表涵盖N沟道场效应管，耐压范围20V至650V，电流范围0.1A至400A，导通电阻涵盖2.4mΩ至6000mΩ。封装形式多样，包括SOT-23、SOP-8、TO252-2L、TO252-3L及DFN1006-3L等。所有产品均为民用级，适用于消费电子、电源管理及开关电路等应用场景。
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产品型号
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品类
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类型
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VDSS耐压(V)
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ID电流(A)
|
RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
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RDON(mR)
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封装
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应用等级
|
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HXY2302AI
|
N型场效应晶体管
|
N沟道
|
20V
|
3A
|
45mΩ
|
33mR
|
SOT-23
|
民用级
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电子商城
服务市场
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授权代理品牌：电源及模块
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授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
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