CXG60N65HSZU IGBT in TO-247

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发布时间： 2023-11-29 品牌： CREATEK 资料类型：数据手册语言：英文

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●功能
■650V 60A，VCE（sat）（典型值）=2.2 V@60A
■场阻IGBT技术
◼10μs短路能力
◼方形RBSOA
◼正VCE（开）温度系数
●好处
■电机控制的高效率
■坚固的性能
■并联运行中的良好均流

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CXG60N65HSZU IGBT，采用TO-247封装

5-Jun-2024 - 数据手册本资料详细介绍了CREATEK Microelectronics公司生产的72-247系列650V 60A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的特性。该产品采用场停技术，具有10μs的短路能力，适用于电机控制、UPS、逆变器等软开关应用，具有高效率、坚固性能和优异的并联电流共享特性。

CREATEK - IGBT,CXG60N65HSZU,逆变器,不间断电源,UPS,INVERTER,MOTOR DRIVE,SOFT SWITCHING APPLICATIONS,电动机驱动,软开关应用

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CXG60N65HSZ IGBT，采用TO-247封装

5-Jun-2024 - 数据手册本资料详细介绍了CREATEK Microelectronics公司生产的C;G6165HSZ型号的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品。该产品具备650V 60A的电压和电流规格，采用场停技术，具有10μs的短路能力。资料中包含了产品的机械数据、电气特性、热特性、典型性能特性、封装尺寸和订购信息等。

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CXG60N65HSE IGBT，采用TO-247封装

5-Jun-2024 - 数据手册本资料介绍了CREATEK Microelectronics公司生产的G6165HSE型号IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的特性、参数和应用信息。该IGBT具有650V电压、60A电流容量，采用场停技术，具备10μs短路能力，适用于电机控制、UPS、逆变器等软开关应用。

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CXG60N65HSEU IGBT，采用TO-247封装

5-Jun-2024 - 数据手册本资料详细介绍了CREATEK Microelectronics公司生产的72-247系列IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品。该产品具有650V 60A的电压和电流规格，采用场停技术，具有10μs的短路能力。产品特性包括高效率、坚固性能和并联操作中的出色电流共享。应用领域涵盖电机控制、UPS、逆变器和其他软开关应用。

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IGBT在72-247

19-Dec-2025 - 数据手册本资料介绍了CREATEK公司生产的CXG60N65HSE型号的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品。该产品具有650V电压、60A电流容量，采用场停技术，具备10μs短路能力。产品特性包括高效率、坚固性能和并联操作中的优异电流共享。应用领域包括电机驱动、UPS、逆变器和其他软开关应用。

CREATEK - IGBT,C;G6165HSE,CXG60N65HSE,逆变器,不间断电源,UPS,INVERTER,MOTOR DRIVE,SOFT SWITCHING APPLICATIONS,电动机驱动,软开关应用

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CXG25N120H IGBT，采用TO-247封装

5-Jun.-2024 - 数据手册本资料详细介绍了CREATEK Microelectronics公司生产的CXG25N120H型IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品。该产品采用TO-247封装，具有1200V电压和25A电流能力，适用于高速开关、系统效率高、软关断波形等特性。资料中还包括了产品的机械数据、电气特性、热特性、典型特性、封装尺寸、标记和订购信息。

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5-Jun-2024 - 数据手册本资料详细介绍了CREATEK Microelectronics生产的C;G3165HSU型号IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的特性、参数和应用。该IGBT采用72-47塑料封装，具有650V的耐压能力和10μs的短路能力，适用于电机控制、UPS、逆变器等软开关应用。

CREATEK - IGBT,CXG30N65HSU,逆变器,不间断电源,UPS,INVERTER,MOTOR DRIVE,SOFT SWITCHING APPLICATIONS,电动机驱动,软开关应用

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选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供IGBT模块选型，涵盖半桥、PIM、SixPack、INPC等多种拓扑结构。封装包括34MM、62MM、EconoDUAL3、EconoPIM2/3、Easy2B、HP1-DC6i、HPD等工业标准封装。集电极-发射极电压650V-1700V，集电极电流50A-950A，饱和压降1.4V-2.5V。适用于电机驱动、电源转换、逆变器等需要高效开关与高可靠性的应用场景。

产品型号	品类	Topology	Package	VCES	IC	VCE(sat)	VF
HGF75MA65X100	IGBT Module	Half-Bridge	34MM	650V	75A	2V	1.2V

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不带铜底板IGBT功率模块的散热设计

2016-04-15 - 设计经验不带铜底板的IGBT模块已经成为模块封装发展的一个趋势，本文通过大量仿真及实验数据，介绍了Vincotech公司推出的预涂高性能导热硅脂服务对模块散热的改善效果。

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HYPERSEMI Trench Field-stop IGBT Discrete选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供沟槽场截止型IGBT分立器件选型。产品涵盖650V、1200V、1350V耐压等级，额定电流6A-180A。封装包括TO-220、TO-220F、TO-247-3L、TO-247PLUS-3L/4L、TO-252、TO-263、TO-3PN。饱和压降1.5V-2.3V，正向导通压降1.4V-2.87V。适用于电机驱动、电源转换、逆变器等需要高效开关与高可靠性的应用场景。