LT80N04AG N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2023-12-11 凌讯微电子 数据手册 英文


●特性
■采用先进的Trench技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

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产品型号
品类
Die
Iᴅ(A)
RDS(ON)4.5V(mΩ) TYP
RDS(ON)10V(mΩ) MAX
Vɢs(th)(V) Min.
Vɢss(V) Min.
RDS(ON)4.5V(mΩ) MAX
是否量产
封装
Vᴅss(V) Min.
Die Code
Vɢs(th)(V) Max.
RDS(ON)10V(mΩ) Typ
LT80N04AG
中低压MOS管
1
80
9
7
1
±20
12
样品
PDFN5*6
40
KG
2
5.5
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