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2023/12/21 - 数据手册 本资料介绍了LT80N06AG型N通道增强模式MOSFET的特性、最大额定值、电气特性曲线和封装尺寸。该器件采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷,并可在最低4.5V栅极电压下运行。
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产品型号
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品类
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Die
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Iᴅ(A)
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RDS(ON)4.5V(mΩ) TYP
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RDS(ON)10V(mΩ) MAX
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Vɢs(th)(V) Min.
|
Vɢss(V) Min.
|
RDS(ON)4.5V(mΩ) MAX
|
是否量产
|
封装
|
Vᴅss(V) Min.
|
Die Code
|
Vɢs(th)(V) Max.
|
RDS(ON)10V(mΩ) Typ
|
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LT80N04AG
|
中低压MOS管
|
1
|
80
|
9
|
7
|
1
|
±20
|
12
|
样品
|
PDFN5*6
|
40
|
KG
|
2
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5.5
|
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