Central Semiconductor（中央半导体） CDM7-600LR 数据手册

【产品】CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM7-600LR系列 晶体管

系列型号： CDM7-600LR TR13 PBFREE

Central Semiconductor（中央半导体） CDM4-600LR/CDM7-600LR/CDM7-700LR 数据手册

2016年08月09日  - 数据手册 该资料介绍了中央半导体公司的N-Channel UltraMOS™功率MOSFET产品线，包括CDM4-600LR（4A, 600V）、CDM7-600LR（7A, 600V）和CDM7-700LR（7A, 700V）。这些MOSFET专为高压、快速切换应用设计，如功率因数校正（PFC）、照明和电源逆变器。它们结合了高电压能力、极低的rDS(ON)、低阈值电压和低栅极电荷，以实现最佳效率。

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【PCN】Central Semiconductor（中央半导体）CP389晶圆工艺由CP400晶圆工艺替代的通知（PCN #182）

27 April 2020  - 产品变更通知及停产信息 本通知宣布Central Semiconductor将CP389晶圆加工工艺替换为CP400晶圆加工工艺，以提高制造过程控制和性能。CP400工艺满足所有电气规格，并采用8英寸晶圆以提高产量。现有CP389库存将售罄为止。

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CDM7-600LR SPICE模型

2024/03/26  - 设计模型

CENTRAL SEMICONDUCTOR  -  CDM7-600LR

【产品】CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM7-650系列 晶体管

系列型号： CDM7-650 TR13 PBFREE

产品简介CDM4-600LR（4A）CDM7-600LR（7A）600V，N沟道UltraMOS™ DPAK封装中的功率mosfet

2017/01/14  - 数据手册 该资料介绍了Central Semiconductor公司的两款600V N-Channel UltraMOS™ Power MOSFET，分别为CDM4-600LR（4A）和CDM7-600LR（7A），采用DPAK封装。这些MOSFET适用于高压快速开关应用，如功率因数校正(PFC)、照明和逆变器。它们具有高电压能力、超低rDS(ON)、低阈值电压和低栅极电荷，以实现最佳效率。

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DPAK案例中的以下MOSFET已停产，现被归类为停产（EOL）（PDN01264）

9/06/23  - 产品变更通知及停产信息 中央半导体公司宣布，以下DPAK封装的MOSFET产品已停产，并进入生命终结（EOL）状态。公司将继续生产其他制造商已宣布EOL的设备，但根据行业惯例，当客户需求低于最低可持续水平时，将停止生产某些设备。相关产品的最后采购订单日期为通知发布之日起六个月，最终发货日期为通知发布之日起十二个月。如需替代产品信息，请访问公司网站提交在线查询。

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用行业领先的性能重新定义效率

2017/10/01  - 技术文档 该资料为元器件行业中的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品规格表。表格中列出了不同型号和电压等级的MOSFET的最大额定值，包括最大漏源电压、最大连续漏极电流、导通电阻和封装类型。部分型号预计于2015年第四季度推出。

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【产品】CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM7-700LR系列 MOSFET

系列型号： CDM7-700LR TR13 PBFREE; CDM7-700LR BK PBFREE

产品简介CDM4-600LR CDM7-600LR DPAK CDM22011-600LRFP CDM7-700LR N沟道Ultra MOS™ 功率金氧半电晶体

2017/08/08  - 数据手册 本资料介绍了Central Semiconductor公司的N-Channel UltraMOS™功率MOSFET产品线，包括CDM4-600LR、CDM7-600LR、CDM22011-600LRFP和CDM7-700LR。这些MOSFET适用于高压快速开关应用，如电力因数校正（PFC）、固态照明（SSL）和逆变器。它们具有高电压能力、极低rDS(ON)、低阈值电压和低栅极电荷，以实现最佳效率。

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新产品UltraMOSTM MOSFET

2017/10/24  - 技术文档 该资料介绍了多种类型的元器件，包括MOSFET、碳化硅整流器、快速恢复整流器和瞬态电压抑制器（TVS）。这些元器件具有高电压能力、低栅极电荷、低开关损耗、高功率密度等特性，适用于电源转换、固态照明、电机驱动、功率因数校正和高速数据线保护等应用。资料还提供了产品信息和样品请求的网站链接。

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CDM7-600LRSURFACE MOUNT SILICONN-CHANNEL LR POWER MOSFET7.0 AMP, 600 VOLT

10-August 2015  - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CDM7-600LR型表面贴装硅N沟道功率MOSFET。这款MOSFET适用于高压、快速切换应用，如电力因数校正（PFC）、照明和电源逆变器。它具有高电压能力、极低的导通电阻、低阈值电压和低栅极电荷，以实现最佳效率。

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带PFC的AC-DC开关电源应用简介

0920  - 应用及方案 本文档介绍了AC-DC开关模式电源中功率因数校正（PFC）的设计要点，强调了低损耗、快速开关的半导体组件的重要性。文档详细介绍了Central Semiconductor Corp.提供的多种高效MOSFET、超快整流器和离散组件，这些组件非常适合现代PFC设计。文档还提供了不同型号的半导体器件及其参数，包括MOSFET、超快整流器和肖特基整流器等，适用于不同的应用场景。

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电动汽车（EV）充电站应用简介

0821  - 应用及方案 本文介绍了电动汽车（EV）充电站行业的发展趋势，强调了快速可靠充电的重要性。文章指出，目前存在三种充电架构：一级、二级和直流快充。充电站通过高功率桥式整流器和二极管实现AC/DC转换，并提供了多种整流器和二极管的型号，包括全桥整流器、整流二极管、硅肖特基二极管和碳化硅肖特基整流器。此外，还介绍了功率MOSFET和PB EV CHARGER（R0 0821）等产品。

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