MOT50N06C/MOT50N06D N-CHANNEL MOSFET

知识图谱

发布时间： 2025-03-15 品牌：矽源特科技资料类型：数据手册语言：英文

MOT50N06C/D 是一款N沟道MOSFET，适用于开关应用。该产品具有高开关速度和改进的dv/dt能力。它提供两种封装选项：TO-252和TO-251。文档中详细介绍了产品的特性、绝对最大额定值、热数据、电气特性、开关特性、二极管特性和最大额定值。还包括测试电路和波形图，以及典型特性曲线和封装尺寸图。

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MOT5N50C/MOT5N50D N沟道MOSFET

1970/01/01 - 数据手册该资料详细介绍了MOT5N50C/D型号的N-CHANNEL MOSFET产品，包括其产品特性、应用领域、电气特性、测试电路和波形、封装尺寸等信息。

矽源特科技 - N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,MOT5N50C,MOT5N50D,电子镇流器,LED电源,高频开关模式电源

MOT5N10A3 N沟道MOSFET

1970/01/01 - 数据手册 MOT5N10A3是一款N通道MOSFET，具有低RDS(ON)和高电流能力。资料详细介绍了其产品特性、应用领域、电气特性、热数据、典型特性以及封装尺寸。

矽源特科技 - N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,MOT5N10A3,接口交换,负载/电源切换,LOAD/POWER SWITCHING,INTERFACING SWITCHING

MOT120N03D/C N沟道MOSFET

1970/01/01 - 数据手册本资料详细介绍了MOT120N03D/C型N通道MOSFET的产品特性、应用领域、电气特性、热数据以及典型特性曲线。该产品适用于功率开关应用，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能。

矽源特科技 - N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,MOT120N03D/C,HARD SWITCHED AND HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,硬开关高频电路

MOT9N50C/MOT9N50D N沟道MOSFET

1970/01/01 - 技术文档本资料介绍了MOT9N50C/MOT9N50D两款N-CHANNEL MOSFET的特性。主要特点包括500V的VDSS、RDS(ON)小于0.72Ω、35nC的Qg和9A的ID。适用于高频开关电源、电子镇流器和LED电源。资料还提供了绝对最大额定值、电气特性、测试电路和波形、封装尺寸等信息。

矽源特科技 - N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,MOT9N50C,MOT9N50D,HIGH FREQUENCY SWITCHING MODE POWER SUPPLY,ELECTRONIC BALLAST,LED电源,电子镇流器,LED POWER SUPPLY,高频开关模式电源

N沟道30V快速开关MOSFET超低栅电荷

未提供 - 数据手册 CST20N03D是一款高性能的N沟道30V快速切换MOSFET，采用先进的深沟槽技术，提供优异的导通电阻和栅极电荷，适用于同步降压转换器应用。产品符合RoHS和绿色产品要求，具有100% EAS保证和全功能可靠性认证。

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MOT7N65EC/MOT7N65ED N沟道MOSFET

1970/01/01 - 技术文档本资料详细介绍了MOT7N65EC/MOT7N65ED N-CHANNEL MOSFET的产品特性、应用领域、电气特性、测试电路和波形、封装尺寸等。产品特点包括低栅极电荷、低反向传输电容、快速开关能力等，适用于高效率开关电源、电子镇流器、LED电源等应用。资料中提供了详细的电气参数、测试电路和波形图，以及不同封装的尺寸图。

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N沟道30V快速开关MOSFET

1970/01/01 - 数据手册该资料详细介绍了N-Ch 30V快速切换MOSFETs，包括其特性、电气参数、热数据、封装机械数据等。资料重点介绍了FKN3008这款高密度沟槽N-Ch MOSFET，其具有超低栅极电荷、优异的Cdv/dt效应下降和先进的沟槽技术，适用于小型电源开关和负载开关应用。

矽源特科技 - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,CST3404A,FKN3008,小功率开关和负载开关应用,SMALL POWER SWITCHING AND LOAD SWITCH APPLICATIONS

HYG350N06LA1D/U/V N沟道增强型MOSFET

1970/01/01 - 数据手册该资料详细介绍了HYG350N06LA1D/U/V型号的N-Channel Enhancement Mode MOSFET的特性、电气参数、封装信息、应用领域以及可靠性测试。资料涵盖了产品的最大额定值、电气特性、典型工作特性、封装尺寸和分类曲线等内容。

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华润微电子N+P MOS选型表

选型表 - 华润微电子华润微电子提供N+P沟道MOSFET选型表。涵盖CRM及CRMD系列器件，耐压±30V至±100V，电流±4A至±28A。提供VGS=10V及5V条件下的导通电阻、阈值电压、栅极电荷与输入电容等核心参数。适用于需精确控制导通损耗与开关速度的电路设计场景。

Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)

Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)

Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)

Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

选型表 - 华润微电子华润微电子提供N+N沟道MOSFET器件选型，涵盖CRMM9926、CRMV0318D、CRME0402D、CRMD0041S等型号。核心参数：VDS 20V–100V，ID 4A–48A，RDS(ON)@VGS=10V典型值7.2mΩ–86.4mΩ，VGS(TH)最小0.4V–1.5V、最大1V–3V，Qg 7.2nC–62.5nC，Ciss 318pF–2350pF。产品覆盖低压小功率至高压大电流场景，高耐压型号RDS(ON)和Qg偏高，大电流型号如CRMD0041S（48A）RDS(ON)仅12mΩ typ但Ciss达1726pF。适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换等，用户可按耐压、电流、效率、开关速度筛选最优型号。

产品型号	品类	Polarity	VDS(V)	ID(A)	Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)	Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)	Min VGS(TH) (V)	Max VGS(TH) (V)	Qg(nC)	Ciss(pF)
CRMM9926	N+N沟道MOSFET	N+N	20	7	25	30	0.4	1	7.2	361

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

瞬雷电子Surface Mount Varistor选型表

选型表 - 瞬雷电子瞬雷电子Surface Mount Varistor选型：产品涵盖805至2220封装尺寸，最大直流电压3.3V-385V，压敏电压范围宽，最大峰值电流40A-600A，具备高能量吸收能力。系列多样，适用于不同电压等级及浪涌防护需求的电路保护，用户可根据空间限制及通流要求进行选型。

产品型号	品类	Max. Allowable Voltage DC(V)	Max. Allowable Voltage Acrms(V)	Varistor Voltage V1mA(V)	Max. Clamping Voltage VC(V)	Max. Clamping Voltage IP(A)	Max. Peak Current (8/20µs) IPP(A)	Maximum Energy 10/1000µs(J)	Typical Capacitance @1MHz(pF)	Size
VESD3R3DG	Surface Mount Varistor	3.3	2	4.0-6.0	14	1	40	0.1	2000	805