ESD PROTECTION DIODE PESD5V2S2UT,215
| 世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由华轩阳电子品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
ESD保护二极管PESD5V2S2UT,215
1970/01/01 - 数据手册 该资料介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的PESD5V2S2UT,215型号的ESD保护二极管。该二极管用于保护敏感半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压诱导瞬态事件的影响。它具有优异的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间,适用于易受ESD影响的设计。该产品可保护一条双向线路或两条单向线路,工作电压为5V。
华轩阳电子 - ESD保护二极管,PESD5V2S2UT,215,高速数据线路的瞬态保护
BAV23x,215 肖特基整流二极管
1970/01/01 - 技术文档
华轩阳电子 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES,肖特基整流二极管,BAV23A,215,BAV23S,215,BAV23C,215,通用交换应用,GENERAL PURPOSE SWITCHING APPLICATIONS
PESD5V2S2UT ESD保护二极管
1970/01/01 - 数据手册 该资料介绍了一种名为PESD5V2S2UT的ESD保护二极管,具有优异的防静电放电(ESD)和电压瞬态事件保护能力。该产品适用于保护敏感半导体,具有快速响应时间和低漏电流特性。
华轩阳电子 - ESD保护二极管,PESD5V2S2UT,静电放电保护
查看更多版本PMV33UPE,215 P沟道增强型MOSFET
1970/01/01 - 技术文档
华轩阳电子 - P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P通道增强模式MOSFET,PMV33UPE,215,PWM应用,PWM APPLICATION,LOAD SWITCH,负载开关
BSS123,215 N沟道MOSFET
1970/01/01 - 技术文档
华轩阳电子 - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,BSS123,215,脉宽调制应用,BATTERY PROTECTION,PWM APPLICATIONS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关
查看更多版本ESD保护二极管PESD5V2S2UT
1970/01/01 - 数据手册 该资料介绍了EPSON公司生产的PESD5V2S2UT静电保护二极管。该产品用于保护电子设备免受静电放电(ESD)和其他电压瞬态事件的影响。它具有优异的钳位能力、低漏电流、低电容,适用于易受ESD影响的设计。该二极管可保护两个单向线路,适用于不适合使用阵列的应用。它提供快速响应时间,确保最佳单向transil功能,反向 standoff电压为5V,最大漏电流为nA级别。
华轩阳电子 - ESD保护二极管,PESD5V2S2UT,静电放电保护
PMV50UPE,215 P沟道增强型MOSFET
1970/01/01 - 技术文档
华轩阳电子 - P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P通道增强模式MOSFET,PMV50UPE,215,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
ESD保护二极管电子有限公司 PESD15VL2BT,215
1970/01/01 - 数据手册 该资料介绍了ESD保护二极管PESD15VL2BT,215的产品特性、电气特性、封装尺寸以及注意事项。该二极管用于保护敏感半导体免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损害。产品具有双向ESD保护、低漏电流、低电容等特点,适用于多种电子设备。
华轩阳电子 - ESD保护二极管,PESD15VL2BT,215,静电放电保护
ESD保护二极管电子有限公司 PESD5V0U1UT,215
1970/01/01 - 数据手册 该资料介绍了ESD保护二极管PESD5V0U1UT,215的产品特性、电气特性、封装尺寸以及注意事项。该二极管用于保护敏感半导体免受静电放电(ESD)和其他电压瞬态事件的影响,具有优异的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间。
华轩阳电子 - ESD保护二极管,PESD5V0U1UT,215,静电放电保护
ESD保护二极管PESD3V3S2UT,215
1970/01/01 - 数据手册 该资料介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司生产的PESD3V3S2UT,215静电保护二极管。该产品用于保护半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件的影响。它具有优异的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间,适用于易受ESD影响的设计。该二极管可保护单向线路,适用于不适合使用阵列的应用。
华轩阳电子 - 静电保护二极管,PESD3V3S2UT,215,高速数据线路,ESD保护
PESD24VU1UT,215 瞬态电压抑制器
1970/01/01 - 数据手册 该资料介绍了HUA XUAN YANG ELECTRONICS公司的一款ESD保护器件PESD24VU1UT,215。该器件能够有效保护敏感半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件的影响。它具有优秀的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供最佳保护。该器件提供2个单向transil功能,适用于不适合使用阵列的应用。
华轩阳电子 - 瞬态电压抑制器,PESD24VU1UT,215,保护敏感半导体组件免受ESD和其他电压引起的瞬态事件的影响
华轩阳电子二极管选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供全面的二极管(包含TVS/ESD保护二极管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、超快恢复二极管、整流桥等)选型。产品线覆盖静电放电(ESD)保护二极管,细分单/双向、1-5通道,工作电压涵盖3.3V至60V,电容低至0.25pF,峰值电流高达200A,封装包括SOD系列、SOT系列、DFN系列等。还提供各类肖特基二极管、开关/稳压/超快恢复二极管及整流桥,耐压/整流电压从20V至1700V,电流从毫安级至10A级别。广泛用于端口保护、电源管理、整流、信号调理、防反接、浪涌抑制等消费及工业电子应用。
|
产品型号
|
品类
|
二极管方向
|
应用等级
|
通道类型
|
CJ(pF)
|
IPP(A)
|
VRWM(V)
|
封装
|
|
PESD5V2S2UT,215
|
保护二极管
|
Uni单向
|
消费级
|
2通道
|
60pF
|
10A
|
5V
|
SOT-23
|
ESD保护二极管电子有限公司PESD12VL2BT,215
1970/01/01 - 数据手册 该资料介绍了ESD保护二极管PESD12VL2BT,215的产品特性、电气特性、封装尺寸等信息。该二极管用于保护敏感半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件的影响,具有低漏电、低电容和快速响应时间等特点。
华轩阳电子 - 静电保护二极管,PESD12VL2BT,215,用于保护敏感半导体组件免受ESD和其他电压引起的瞬态事件造成的损害
ESD保护二极管电子有限公司 PESD24VS2UT,215
1970/01/01 - 数据手册 该资料介绍了ESD保护二极管PESD24VS2UT,215的产品特性、电气特性、典型特性、封装尺寸以及注意事项。该二极管用于保护敏感半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压诱导瞬态事件的影响,具有优异的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间。
华轩阳电子 - 静电保护二极管,PESD24VS2UT,215,用于保护敏感半导体组件免受 ESD 和其他电压诱导瞬态事件的损害
电子商城
服务市场
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量:30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量:3000 提交需求>
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论