P-Channel 200V (D-S) MOSFET

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发布时间： 2025-10-29 品牌： VBsemi 资料类型：数据手册语言：英文

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这份文档介绍了一种P-Channel 200V (D-S) MOSFET，它具有动态dV/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关、易于并联和简单的驱动要求等特点。文档详细描述了该MOSFET的绝对最大额定值、热阻额定值、规格参数以及典型特性曲线。

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P沟道200V（漏-源）MOSFET

2025/12/15 - 数据手册本资料主要介绍了一种P-Channel 200V (D-S) MOSFET产品，包括其产品概述、特性、绝对最大额定值、热阻额定值、规格、典型特性等详细信息。

VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 200V (D-S) MOSFET

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P沟道200-V（D-S）MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款P-Channel 200-V (D-S) MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。该产品是一款 trench power MOSFET，具有高可靠性、低导通电阻和良好的热性能，适用于负载开关等应用。

VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 200-V,LOAD SWITCH,负载开关

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功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、封装尺寸、绝对最大额定值、规格参数、典型特性曲线等，旨在为工程师提供全面的产品信息。

VBSEMI - MOSFET,POWER MOSFET

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P沟道20-V（漏-源）MOSFET

2025/12/15 - 数据手册本资料介绍了一种P-Channel 20-V (D-S) MOSFET，详细描述了其产品特性、应用领域、绝对最大额定值、规格参数、典型特性、热阻、封装尺寸和推荐焊盘布局。资料中未提及具体的产品特性，但提供了详细的技术参数和应用信息。

VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET,便携式设备（负载开关、电池开关、充电器开关）

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P沟道30v（D-S）MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了P-Channel 30 V (D-S) MOSFET的产品特性、规格参数、典型特性曲线、热性能、封装尺寸等信息。资料涵盖了该MOSFET的绝对最大额定值、电气特性、热阻、封装类型等关键参数。

VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

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N沟道30 V（D-S）MOSFET

2025/12/15 - 数据手册本资料介绍了一种N-Channel 30-V (D-S) MOSFET，详细描述了其产品特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET,同步整流,电源供应

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N沟道60-V（D-S）MOSFET

2025/10/29 - 技术文档本资料详细介绍了N-Channel 60-V (D-S) MOSFET的产品特性、应用范围、绝对最大额定值、热阻等级、MOSFET规格、典型特性曲线、封装尺寸和推荐最小焊盘尺寸。资料中包含了产品的主要技术参数，如漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流、静态和动态特性等，并提供了典型应用场景下的性能数据。

VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET,电池开关,DC/DC转换器

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N沟道60V（漏极-源极）MOSFET

2025/11/08 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel 60V (D-S) MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性和热性能。资料涵盖了产品的电气特性、热性能、封装尺寸和免责声明等内容。

VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 60V (D-S) MOSFET,电机控制,电源管理

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P沟道40v（D-S）MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了P-Channel 40 V (D-S) MOSFET的产品特性，包括绝对最大额定值、规格参数、典型特性、热性能、封装尺寸等，旨在为用户提供全面的产品信息。

VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET,适用于各种需要高电压和低导通电阻的应用，如电源管理、电机控制和开关电源

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P沟道60V（漏源）MOSFET

2025/12/15 - 数据手册本资料详细介绍了P-Channel 60 V (D-S) MOSFET的产品特性，包括绝对最大额定值、热阻率、静态和动态规格、典型特性曲线等。资料还提供了产品的热性能、封装尺寸和免责声明。

VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,适用于各种功率应用，如电源管理、电机控制等

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60 V沟道MOSFET

2025/12/15 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel 60 V (D-S) MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻率、规格参数、典型特性和热性能。资料涵盖了MOSFET的静态和动态特性，包括漏源击穿电压、栅极阈值电压、导通电阻、输入电容、输出电容、反向传输电容、总栅极电荷等关键参数。

VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,各种电子设备中的开关和控制应用

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N沟道40-V（D-S）MOSFET

2025/12/15 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel 40-V (D-S) MOSFET，包括其产品概述、特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻率、典型特性曲线、封装尺寸以及免责声明等内容。

VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET,同步整流,电源供应

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选型表 - SEMTECH ST 先之科提供高压MOS管选型：采用TO-220F/TO-220FB/TO-220F-3/TO-247/TO-247-3/TO-247-4/TO-252/TO-263/SOT-223/SOT-223-2共10种封装。该系列具有低导通电阻、高开关速度、高可靠性等特点，漏源电压VDS覆盖500V至1500V，满足超高压工业应用需求；最大漏极电流ID范围为1.5A至60A，适配从中功率到大功率的各种场景；栅源阈值电压VGS(th)为2V至4.5V，支持低压逻辑驱动；导通电阻RDSon(10V)低至数毫欧，有效降低导通损耗；总电荷Qg范围为7nC至65nC，保证高速开关性能。广泛应用于工业逆变器、不间断电源（UPS）、智能电网、光伏并网逆变器、新能源汽车OBC/DC-DC转换器、PFC电路等高压大功率领域。

产品型号	品类	封装	Polarity	ESD Protection	VDS (V)	ID max (A)Tc= 25°C	VGS(th) (V)Min	VGS(th) (V)Max	RDSon Typ at10V(mΩ)	RDSon Max at10V(mΩ)	Qg（nC） Typ
SLQ02N65A2	高压MOS管	SOT-223	N	N	650	1.5	2	4	3500	4500	7

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富海微碳化硅场效应管选型表

选型表 - 富海微富海微提供碳化硅场效应管（SiC MOSFET）选型。涵盖 HLS、HL、HLC 等系列，可选 ID -120A~180A，VDS 20V~1200V（含 -150V~-19V 负压及 40/-40V 双参数），VGS ±12V~±30V（含 -4~22V），Vth typ. -3V~4.6V，RDS(ON) 1.5mΩ~2300mΩ。具备低导通电阻、高压 650V/800V/1200V 与低压大电流 100A/120A/150A/180A 等特性，含正/负电流与正/负电压型号。