Power MOSFET

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发布时间： 2025-10-29 品牌： VBsemi 资料类型：数据手册语言：英文

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这份文档详细介绍了Power MOSFET（功率MOSFET）的特性、规格和典型应用。文档中包含了绝对最大额定值、热阻等级、电气规格、典型特性和封装信息。此外，还提供了关于开关时间、雪崩能量、峰值二极管恢复dV/dt测试电路等详细信息。

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功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBE185R04 / VBFB185R04型号的N-Channel MOSFET的特性、规格、典型特性曲线以及封装信息。资料涵盖了绝对最大额定值、热阻评级、电气规格、典型特性曲线、封装尺寸等关键信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE185R04,VBFB185R04,电机控制,如电源管理,适用于各种电子设备中的开关应用

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功率 MOSFET

15-Sep-08 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，并提供了产品的封装尺寸图和推荐的最小焊盘尺寸。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBL16R07,高压大电流应用,HIGH VOLTAGE AND HIGH CURRENT APPLICATIONS

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功率 MOSFET

15-Sep-08 - 技术文档本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、封装尺寸、热阻、典型特性曲线等。内容涵盖绝对最大额定值、工作规格、热阻、典型特性曲线、封装尺寸和推荐焊盘尺寸等。资料还包含了免责声明和材料类别政策，强调产品规格和数据的变更可能，并指出产品不适用于特定应用。

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功率 MOSFET

15-Sep-08 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸和推荐焊盘尺寸。资料中未提及具体的产品特性，但提供了详细的参数规格，包括最大漏源电压、导通电阻、栅极电荷、开关时间等。同时，资料还提供了典型特性曲线和封装图，以及推荐的焊盘尺寸。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBL17R07,高速开关应用

功率 MOSFET

Not specified - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装尺寸。资料涵盖了绝对最大额定值、工作规格、典型特性曲线、封装尺寸等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBL17R10,通用功率开关应用,GENERAL-PURPOSE POWER SWITCHING APPLICATIONS

功率 MOSFET

2026/04/06 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装信息。资料涵盖了绝对最大额定值、工作条件、静态和动态参数、开关特性、体二极管特性等，并提供了典型特性曲线和封装尺寸图。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBL17R11,电机控制,电源管理,开关电源等

功率 MOSFET

15-Sep-08 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装尺寸。资料涵盖了绝对最大额定值、工作条件下的规格参数、开关特性、体二极管特性等，并提供了典型应用电路和波形图。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBL185R07,电机驱动,ETC.,等。,POWER ELECTRONICS,太阳能逆变器,电力电子,MOTOR DRIVES,SOLAR INVERTERS

功率 MOSFET

未提供 - 技术文档本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、绝对最大额定值、规格参数、典型输出特性、转移特性、电容特性、源漏体二极管特性、开关时间测试、安全工作区等。资料中包含了典型测试电路波形和图表，旨在为工程师提供全面的产品信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP1202M,适用于各种开关电源、电机驱动、照明控制等应用

功率 MOSFET

2026/04/06 - 数据手册本资料详细介绍了VBP155R18型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、封装尺寸、典型应用电路和测试波形等。资料涵盖了产品的关键参数，如漏源电压、栅极源极电压、导通电阻、开关时间、热阻等，并提供了产品的应用领域和典型电路图。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBP155R18,不间断电源供应,功率因素矫正,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,开关模式电源(SMPS),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

功率 MOSFET

2026/04/06 - 数据手册本资料主要介绍了一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的产品特性、应用领域和电气参数。该MOSFET具有低栅极电荷、高耐压、低导通电阻等特点，适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正等应用。

VBSEMI - N沟道功率MOSFET,VBP165R02,功率因数校正,开关电源（SMPS）,不间断电源

功率 MOSFET

2026/04/06 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET的详细规格和特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、静态和动态特性、开关特性、体二极管特性等，并提供了典型输出特性、转移特性和开关时间波形图等。

VBSEMI - 高压N沟道MOSFET,VBP165R08,功率因数校正,不间断电源,开关模式电源（SMPS）

功率 MOSFET

2026/04/06 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的产品特性、应用领域和电气参数。该产品具有低栅极电荷、高耐压、低导通电阻等特点，适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正等领域。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP16R01,不间断电源供应,功率因素矫正,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,开关模式电源(SMPS),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

功率 MOSFET

2026/04/06 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、封装尺寸、典型应用电路和测试电路等。产品适用于开关电源（SMPS）、不间断电源和功率因数校正等领域。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBP16R10,不间断电源供应,功率因素矫正,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,开关模式电源(SMPS),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

功率 MOSFET

2026/04/06 - 技术文档该资料主要介绍了一种Power MOSFET（功率MOSFET）的产品特性、应用范围、电气参数和封装尺寸。产品具有低栅极电荷、改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性等特点，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源和功率因数校正等应用。资料详细列出了产品的绝对最大额定值、热阻等级、电气规格和典型输出特性等参数，并提供了相关测试电路和波形图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP16R11,不间断电源供应,功率因素矫正,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,开关模式电源(SMPS),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

功率 MOSFET

2026/04/06 - 数据手册本资料主要介绍了一款N沟道MOSFET产品的特性、应用领域以及相关规格参数。产品具有低栅极电荷、高耐压、低导通电阻等特点，适用于开关电源、不间断电源、功率因数校正等应用。

VBSEMI - N沟道MOSFET,VBP175R07,功率因数校正,不间断电源,开关模式电源（SMPS）

功率 MOSFET

2026/02/04 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。资料涵盖了绝对最大额定值、工作规格、典型特性曲线、封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸等内容。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

2026/01/08 - 数据手册该文档详细介绍了一种功率场效应晶体管（Power MOSFET）的技术规格和应用。内容包括绝对最大额定值、热阻等级、典型工作条件下的电学参数、开关时间测试电路波形图以及其他技术细节。 ### **产品特性** - 绝缘栅双极型晶体管结构。 - 漏源电压高达300伏。 - 导通电阻低至0.8欧姆。 - 快速切换能力。 - 简单驱动需求。 - 符合RoHS指令2002/95/EC标准。 ### **应用领域** - 未明确指出具体的适用领域或行业。

VBSEMI - 电力半导体元件 - 电力场效应晶体管,ELECTRIC POWER SEMICONDUCTOR COMPONENTS - POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR,电源管理，电机控制领域,POWER MANAGEMENT, MOTOR CONTROL FIELDS

功率 MOSFET

2026/01/08 - 数据手册

VBSEMI - POWER FIELD EFFECT DEVICES (MOSFET),功率场效应器件（MOSFET）,高压器件（高压器件）,HIGH VOLTAGE DEVICES (HIGH-VOLTAGE DEVICE),VBGC2205M,OTHER HIGH VOLTAGE AND CURRENT APPLICATIONS,其他高电压和大电流应用,开关模式电源（开关式电源供应器）,电源管理电路,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES (SWITCH-MODE POWER SUPPLIES),POWER MANAGEMENT CIRCUITS

功率 MOSFET

2026/01/08 - 数据手册本资料介绍了Power MOSFET（功率场效应晶体管）的特性与应用。内容包括绝对最大额定值、热阻等级、规格说明、典型特性曲线图等。 ### **产品特性** 1. 高耐压：漏源电压高达950伏。 2. 低导通电阻：在栅极驱动为10伏时的导通电阻为5.4欧姆。 3. 快速开关速度：Qg最高值为78纳库仑。 4. 简单并联设计：便于并行连接。 5. 符合RoHS指令：符合欧洲议会和环境委员会于2002年发布的第200295/EC号决议书的要求。 ### **应用领域** 资料中未提及具体的应用领域。

VBSEMI - 功率场效对抗,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

2026/01/08 - 数据手册本资料详细介绍了一种功率场效应晶体管（Power MOSFET）的特性。内容包括绝对最大额定值、热阻等级、规格说明、典型特性曲线和应用电路图。 ### **产品特性** - 绝缘栅极电压：±20伏 - 漏源电流连续值：4.1安培（25°C），2.6安培（100°C） - 导通电阻：2.7欧姆（Vgs=10V） - 结温范围：-55至+150摄氏度 - 封装类型：TO-247AB ### **应用领域** - 电源管理 - 动力系统 - 工业控制 - 可再生能源 - 家用电器

VBSEMI - 功率场效对抗谈机,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

2026/01/05 - 数据手册本资料详细介绍了一种型号为VBN185R04的单通道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有高耐压、低导通电阻等特点。资料涵盖了其绝对最大额定值、热阻等级、典型规格和应用电路图。 ### **产品特性** - 高耐压： drain-source电压高达850伏。 - 低导通电阻：在栅极源极电压为10伏时的导通电阻为2.7欧姆。 - 快速开关速度。 - 易于并联操作。 - 符合RoHS指令2002/95/EC标准。 ### **应用领域** - 电源管理 - 功率转换器 - 工业控制 - 汽车电子

VBSEMI - 功率场效对抗谈机(MOSFET),VDN185R04

功率 MOSFET

24-Dec-12 - 数据手册

VBSEMI - 高速开关器件,功率场效晶体管(POWERMOSFET),电源管理,电机控制等领域

功率 MOSFET

2026/01/04 - 数据手册本资料介绍了某型号功率场效应晶体管（Power MOSFET）的特性及应用。该器件具有低栅极电荷Qg的特点，适用于开关电源等领域。

VBSEMI - 功率场效晶体管(MOSFET),开关模式电源(SMP),不间断电源(UPS),有功因数校正(PFC)

功率 MOSFET

2025/12/26 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET的详细规格和特性，包括其电气参数、热阻、封装尺寸、典型应用电路和测试电路等。资料详细描述了该MOSFET的静态和动态特性，如漏源电压、栅极-源极阈值电压、漏源导通电阻、输入电容、输出电容、反向传输电容等，并提供了典型输出特性、转移特性和导通电阻与温度的关系图。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBP16R07,交换模式电源（SMPS）,功率因数校正,不间断电源

功率 MOSFET

Unknown - 数据手册该资料详细介绍了VBNC1102N和VBL1102N两款功率MOSFET的特性。资料涵盖了产品的绝对最大额定值、热阻率、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBNC1102N,VBL1102N,UNKNOWN,未知的

功率 MOSFET

2025/12/15 - 数据手册本资料详细介绍了某型号高压MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线等。资料涵盖了该产品的最大额定值、工作条件、开关特性、电容特性、二极管特性等多个方面，旨在为工程师提供全面的产品信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/12/11 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型输出特性、转移特性、电容与电压关系、源漏极二极管特性等，并提供了相关测试电路和波形图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBNC1102N,适用于各种电子设备中的开关应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/12/09 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。资料涵盖了产品的绝对最大额定值、工作条件下的电气参数、开关特性、热特性等关键性能指标。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/12/09 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET的详细规格和特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、电气特性、开关特性、二极管特性等，并提供了典型应用电路和测试波形。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBP165R05,交换模式电源（SMPS）,功率因数校正,不间断电源

功率 MOSFET

2025/12/09 - 数据手册本资料详细介绍了VBGC2205M型P-Channel MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，适用于高压应用，符合RoHS指令。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBGC2205M,自动插入,快速开关,175°C工作温度,可堆叠

功率 MOSFET

2025/11/08 - 数据手册本资料详细介绍了VBE110MR02型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装信息以及安全注意事项。资料涵盖了产品的最大额定值、工作条件、开关特性、电容特性、电荷特性等关键参数。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE110MR02,易于并联,动态DV/DT等级,重复雪崩额定值,简单驱动要求,符合ROHS指令2002/95/EC,快速开关,隔离中心安装孔

功率 MOSFET

2025/11/08 - 数据手册本资料详细介绍了VBE112MR02型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装信息以及免责声明。资料涵盖了产品的关键参数，如漏源电压、导通电阻、栅极电荷、开关时间等，并提供了典型应用电路和波形图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE112MR02,适用于各种需要高电流和快速开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/11/08 - 数据手册本资料详细介绍了VBM110MR05型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。资料涵盖了产品的绝对最大额定值、工作条件下的规格参数、典型特性曲线以及封装信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM110MR05,适用于各种需要高电流、高电压开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/11/08 - 数据手册本资料详细介绍了VBsemi公司生产的VBM112MR04型号的Power MOSFET产品。资料涵盖了产品的电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸以及相关的安全警告和免责声明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM112MR04,适用于各种需要高电流、高电压开关的应用，如电源管理、电机控制、照明等

功率 MOSFET

2025/11/07 - 数据手册本资料详细介绍了VBsemi公司的一款Power MOSFET产品，包括其电气参数、特性、典型特性曲线、封装尺寸等。产品具有高耐压、低导通电阻、快速开关等特性，适用于各种功率应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP110MR12,适用于各种开关电源、电机驱动、照明控制和工业应用等

功率 MOSFET

2025/11/07 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET的详细规格和特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、电气特性、开关特性、二极管特性等，并提供了典型应用电路和测试电路图。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBP165R11,交换模式电源（SMPS）,功率因数校正,不间断电源

功率 MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了SIHD7N60E-GE3-VB型功率MOSFET的特性、规格和应用。该产品具有低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗等特性，适用于服务器和电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明和工业等领域。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,SIHD7N60E-GE3-VB,服务器和电信电源,功率因数校正电源 (PFC),照明,工业,开关模式电源 (SMPS)

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBsemi公司生产的VBP115MR03型号N沟道MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、热阻评级、典型特性曲线、封装尺寸以及免责声明等内容。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP115MR03,适用于各种需要高电压、高电流开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VB165R01型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸。资料还包含了产品规格、绝对最大额定值、热阻等级、关键参数和典型特性曲线。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VB165R01,适用于各种电子设备

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种650V的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸和推荐焊盘尺寸等详细信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBA165R04,适用于各种需要高电流和低导通电阻的应用，如电源管理、电机驱动和开关电源

功率 MOSFET

16-May-16 - 数据手册本资料详细介绍了VBE1251K型Power MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻评级、规格参数、典型特性曲线等，并提供了封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE1251K,开关电源,电机驱动

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBE155R02 / VBFB155R02型号的N-Channel MOSFET的特性、规格、典型特性曲线以及封装信息。资料涵盖了绝对最大额定值、热阻、静态和动态规格、典型特性曲线、开关时间测试电路、安全工作区域、封装尺寸等关键信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB155R02,VBE155R02,开关电源,电机驱动

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种低栅极电荷的N沟道MOSFET产品，其具有低导通电阻、低开关损耗和良好的鲁棒性。产品适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正等应用领域。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBE155R01,功率因数校正,不间断电源,开关模式电源（SMPS）

功率 MOSFET

2025/10/29 - 技术文档本资料详细介绍了VBM15R05 / VBMB15R05、VBE15R05 / VBFB15R05系列功率MOSFET的特性。包括其电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。资料还提供了绝对最大额定值、工作条件、开关时间测试电路和波形等详细信息，并强调了产品符合RoHS指令。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,POWER MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET的详细规格和特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，适用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源和功率因数校正等应用。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBE165R01,VBFB165R01,功率因数校正,不间断电源,开关模式电源 (SMPS)

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了某型号650V功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。资料中未提及具体的产品特性，但提供了详细的电气参数和应用信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM16R02 / VBMB16R02 VBE16R02 / VBFB16R02系列功率MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了产品的电气参数、热阻、封装尺寸、典型特性曲线以及安全操作区域等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB16R02,VBFB16R02,VBE16R02,VBM16R02,适用于各种电子设备中的功率开关应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM16R01 / VBMB16R01 VBE16R01 / VBFB16R01系列功率MOSFET的特性、参数和应用。资料涵盖了产品的电气特性、热阻、封装尺寸、典型特性曲线以及安全操作区域等信息。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBMB16R01,VBM16R01,VBFB16R01,VBE16R01,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

2025/10/29 - 技术文档本资料详细介绍了VBM16R04 / VBMB16R04 VBE16R04 / VBFB16R04系列功率MOSFET的特性。包括其电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。资料强调了该系列产品的低栅极电荷、低导通电阻、高频率操作等特性，并指出其符合RoHS指令2002/95/EC。此外，还提供了产品在不同温度下的工作参数和绝对最大额定值。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM16R04,VBFB16R04,VBE16R04,VBMB16R04,电机控制,适用于各种高电压、高电流的开关应用,如电源管理

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料介绍了VBM16R05、VBMB16R05、VBE16R05和VBFB16R05系列功率MOSFET的特性、规格和封装。这些器件具有超低栅极电荷、增强的30V、VGS额定值、减少的Ciss、Coss、Crss，适用于高频操作，并符合RoHS指令。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBM16R05,VBFB16R05,VBE16R05,VBMB16R05,适用于需要高频率操作和重复雪崩额定值的电路

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBE175R02型号的N-Channel MOSFET的特性、规格、典型特性曲线以及封装信息。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、热阻评级、电气规格、典型特性曲线、开关时间测试电路和波形、封装尺寸等详细信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE175R02,适用于各种电子设备中的开关应用，如电源管理、电机控制和电源转换

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种型号为VBE175R05的Power MOSFET产品，包括其电气参数、热阻参数、开关特性、封装尺寸等详细信息，并提供了典型应用电路和波形图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE175R05,适用于各种开关电源、电机驱动、电源管理等应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBE175R06型号的N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线、封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸。资料还包含了产品的不合格声明、材料类别政策以及符合性声明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE175R06,适用于各种需要高电流和电压的电子设备，如电源管理、电机驱动和开关电源

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBE17R02型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸。资料还提供了产品规格、绝对最大额定值、工作温度范围、封装类型等信息。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBE17R02,适用于各种需要高电流和快速开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了某型号的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的产品特性、电气参数、热阻等级、典型特性曲线以及封装尺寸。资料中未提及具体的应用领域。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸。资料涵盖了绝对最大额定值、工作规格、典型特性、开关时间测试电路和波形、峰值二极管恢复dV/dt测试电路等内容。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE185R05

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBE185R02型号的N-Channel MOSFET的特性、规格、典型特性曲线以及封装信息。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、热阻评级、电气规格、典型特性曲线、封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE185R02,适用于各种电子设备中的开关应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBE185R06型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、封装尺寸、推荐的应用电路和测试电路等。资料中提供了产品的典型输出特性、转移特性、电容特性、开关时间波形等，并附有产品图和尺寸图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE185R06,适用于各种电子设备中的功率转换和开关应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等信息。资料涵盖了产品的绝对最大额定值、工作条件下的规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等，为工程师提供全面的产品信息。

VBSEMI - 功率MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBE2201K型Power MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸和推荐的应用电路。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE2201K,适用于各种开关电源、电机驱动、电源管理等领域

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBE2251K型功率MOSFET的特性、规格和典型应用。该产品采用先进的工艺技术，具有动态dV/dt额定值、150°C工作温度、快速开关等特点，适用于多种电子设备。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE2251K,适用于各种需要高电流、高电压和快速开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBFB1204M型Power MOSFET的特性、规格和应用。该产品具备低导通电阻、快速开关特性，适用于多种电子设备中的功率转换和控制应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB1204M,适用于各种开关电源、电机驱动、照明控制等应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBFB1251K型Power MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线等。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、工作条件、静态和动态特性，以及开关时间和频率响应等关键参数。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB1251K,开关电源,电机驱动

功率 MOSFET

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB155R02,VBE155R02,开关电源,电机驱动

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET的详细规格和应用。资料中包含了该产品的电气特性、热阻、封装尺寸、绝对最大额定值、典型应用电路以及安全操作区域等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE155R01,功率因数校正,不间断电源,开关模式电源（SMPS）

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款650V的N沟道MOSFET产品，包括其特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。产品具有低栅极电荷Qg、改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性，符合RoHS指令2002/95/EC。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBFB165R0,通用电子设备

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款型号为VBFB165R02的N-Channel MOSFET产品，包括其产品概述、特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等详细信息。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBFB165R02,适用于各种需要高电流和低导通电阻的应用，如电源管理、电机驱动和开关电源

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种型号为VBFB165R04的功率MOSFET产品。该产品具有低栅极电荷Qg，适用于简单的驱动要求，并符合RoHS指令。资料详细介绍了产品的特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB165R04,可能用于各种电子设备中,适用于简单的驱动要求

功率 MOSFET

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB16R02,VBFB16R02,VBE16R02,VBM16R02,适用于各种电子设备中的开关应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM16R01 / VBMB16R01 VBE16R01 / VBFB16R01系列功率MOSFET的特性、规格和封装。资料涵盖了产品的电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸以及相关的安全注意事项。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBM16R01 / VBMB16R01,VBE16R01 / VBFB16R01,适用于各种需要高电流、高电压开关的应用，如电源管理、电机控制、照明等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料介绍了VBM16R05、VBMB16R05、VBE16R05和VBFB16R05系列功率MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、电气特性、热阻、封装尺寸等。这些MOSFET具有超低栅极电荷、增强的30V、VGS额定值、减少的Ciss、Coss、Crss等特点，适用于高频操作和重复雪崩额定。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM16R05,VBFB16R05,VBE16R05,VBMB16R05,适用于高频率操作,符合ROHS指令的电子设备,重复雪崩额定

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBFB175R02型号的N-Channel MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻评级、规格参数、典型特性曲线等，适用于各种电子电路中作为开关元件。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBFB175R02,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册该资料详细介绍了VBFB17R02型号的Power MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻额定值、规格参数、典型特性曲线等。资料涵盖了产品的电气特性、热特性以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB17R02,易于并联,重复雪崩额定值,快速开关,简单的驱动要求,动态DV/DT额定值

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种型号为VBFB17R04的Power MOSFET产品，包括其电气特性、典型特性曲线、绝对最大额定值、封装尺寸等详细信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB17R04,适用于各种需要高电流和低导通电阻的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种型号为VBFB17R06的功率MOSFET器件。该器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性，适用于各种功率应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB17R06,适用于各种需要高电流和快速开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍一款型号为VBFB185R05的功率MOSFET。该产品具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性，适用于多种电子设备中。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB185R05,易于并联,重复雪崩额定值,简单驱动要求,符合ROHS指令2002/95/EC,快速开关,隔离中心安装孔,动态DV/DT额定值

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBFB185R02型Power MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线等。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、工作条件、静态和动态特性，以及开关时间和频率响应等关键参数。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB185R02,适用于各种需要高电压、低导通电阻和高电流的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBFB185R06型号的Power MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型输出特性、电容特性、开关时间测试电路等，并提供了相关测试波形和图示。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBFB185R06,电机控制,工业控制,电源管理,照明

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBFB185R0型号的Power MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型输出特性、电容特性、开关时间测试电路等，旨在为工程师提供全面的产品信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB185R0**7,适用于各种功率电子应用，如电源管理、电机控制、开关电源等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBFB195R03型Power MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线等。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、工作条件、开关特性、热特性以及典型应用电路等。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBFB195R03,易于并联,重复雪崩额定值,快速开关,简单的驱动要求,动态DV/DT额定值

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种650V的Power MOSFET产品，包括其特性、规格、典型特性曲线以及封装信息。产品具有低栅极电荷、低导通电阻、高可靠性等特点，适用于各种电源、电机控制等应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBI165R04,适用于各种需要高电流和低导通电阻的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了某型号的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的产品特性、电气参数、热阻评级、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。资料涵盖了该产品的关键参数，如漏源电压、导通电阻、栅极电荷、开关时间等，并提供了典型应用曲线和封装尺寸图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了某型号的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸以及相关的安全警告和免责声明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,快速开关,并联应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种650V的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等详细信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBJ165R04,适用于各种需要高电压、高电流的电子设备，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了Power MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线等。资料涵盖了产品的最大额定值、工作条件、开关特性、电容特性、二极管特性等多个方面，旨在为工程师提供全面的产品信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了Power MOSFET（功率MOSFET）的产品特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。资料涵盖了产品的电气性能、热性能、封装类型等关键参数，为工程师提供全面的技术参考。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了某型号功率MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、规格参数、典型特性曲线等。资料涵盖了该产品的电气性能、热性能、封装尺寸以及相关的安全注意事项。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了某型号的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的最大额定值、电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了VBL1251K型功率MOSFET的特性、规格和应用。该产品具有低导通电阻、快速开关特性，适用于各种电源和电机控制应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBL1251K,适用于各种需要高电流和快速开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的产品特性、规格参数和应用领域。资料详细描述了该MOSFET的电气特性，包括漏源电压、导通电阻、开关速度、热阻等，并提供了典型特性曲线和封装尺寸信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,V[BL1252M],易于并联,重复雪崩额定值,快速开关,简单的驱动要求,动态DV/DT额定值

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBL155R02型号的N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻评级、规格参数、典型特性曲线等，并提供了产品封装图和推荐的最小焊盘尺寸。

VBSEMI - MOSFET,VBL155R02,适用于各种需要高电压和低导通电阻的电路，如电源管理、电机驱动等

功率 MOSFET

15-Sep-08 - 数据手册本资料主要介绍了一款N-Channel MOSFET的详细规格、特性、应用领域和封装信息。资料中详细列出了该MOSFET的电气参数、热阻、电容特性、开关特性、安全工作区域等，并提供了典型应用电路和测试波形。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBL155R01,功率因数校正,不间断电源,开关模式电源（SMPS）

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET的详细规格和应用。资料中包含了该产品的电气特性、热阻、封装尺寸、典型应用电路和波形图等，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源和功率因数校正等领域。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBL165R01,功率因数校正,不间断电源,开关模式电源（SMPS）

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET的详细规格、特性、典型应用和封装信息。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、热阻评级、电气规格、典型特性曲线以及封装尺寸等关键信息。

VBSEMI - MOSFET,VBL17R02,适用于各种电子设备中的开关应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了某型号功率MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。资料涵盖了该产品的电气性能、热性能、封装尺寸以及相关的测试电路和波形图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBL17R06型Power MOSFET的特性、应用领域和封装信息。资料涵盖了产品的电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸以及推荐的最小焊盘尺寸等。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBL17R06,开关电源,工业焊接,感应加热,电池充电器,服务器和电信电源,电机驱动,可再生能源,功率因数校正电源,照明,太阳能逆变器

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBL185R02型号的Power MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，并提供了封装尺寸图和推荐的最小焊盘尺寸。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBL185R02,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

15-Sep-08 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，并提供了产品的封装图和推荐的最小焊盘尺寸。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBL185R05,适用于各种需要高电压、高电流开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸和推荐焊盘尺寸。资料中未提及具体的产品特性，但提供了绝对最大额定值、工作规格和典型特性曲线，以及封装图和焊盘尺寸。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBL185R06型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、封装类型、工作条件、典型应用曲线等。资料中未提及具体的产品特性，但提供了详细的规格参数和应用建议。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBL185R06,适用于各种需要高电压、高电流的开关应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了某型号的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸以及推荐的最小焊盘尺寸等信息。

VBSEMI - 功率MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装尺寸。资料涵盖了绝对最大额定值、工作规格、典型特性曲线、封装尺寸等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBsemi公司生产的VBL195R06型号N沟道MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、热阻率、电气特性、开关特性、电容特性、漏极体二极管特性等，并提供了典型输出特性、转移特性、电容与漏源电压的关系、门电荷与栅源电压的关系等图表。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBL195R06,适用于各种开关电源、电机驱动、电源管理等领域

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了Power MOSFET（功率MOSFET）的产品特性、规格参数和应用领域。资料涵盖了产品的电气特性、热阻、封装尺寸、绝对最大额定值、典型特性曲线等，并提供了产品在不同温度下的工作参数。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型输出特性、电容特性、开关时间测试电路等，并提供了产品的尺寸图和免责声明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM1251K,适用于各种开关电源、电机驱动、电源管理等领域

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM1252M型Power MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线等。资料涵盖了该产品的最大额定值、工作条件、开关特性、电容特性以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM1252M,适用于各种开关电源、电机驱动、电源管理等应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了某型号功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线等。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、工作温度范围、封装尺寸等信息，并提供了典型应用电路和波形图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,POWER MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM155R02型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。资料涵盖了产品的绝对最大额定值、工作条件下的规格参数、开关特性、热特性以及封装信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM155R02,适用于各种需要高电流、高电压开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种Power MOSFET（功率MOSFET）的产品特性、应用领域和典型特性。该产品具有低导通电阻、低输入电容、高效率等特点，适用于消费电子、服务器和电信电源、工业应用等领域。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM155R20,工业焊接,服务器和电信电源,电机驱动,电池充电,消费电子产品,功率因数校正（PFC）

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的产品特性、应用领域和典型特性。产品具有低导通电阻、低输入电容、高体二极管鲁棒性等特点，适用于消费电子、工业、电机驱动、电池充电等领域。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM155R18,电池充电器,服务器和电信电源,电机驱动,消费电子,工业应用,显示设备

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM155R13型N沟道MOSFET的特性、规格和应用。该产品具有低导通电阻、低输入电容和快速开关特性，适用于消费电子、工业和电源供应等领域。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM155R13,工业焊接,感应加热,电池充电器,显示器,服务器和电信电源,电机驱动,消费电子产品,功率因数校正（PFC）

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等详细信息。产品具有低导通电阻、低输入电容、高效率等特点，适用于消费电子、工业、电机驱动等领域。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM155R2,显示,服务器和电信电源,电机驱动,电池充电,消费电子,功率因数校正（PFC）,工业

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款型号为VBM15R05 / VBMB15R05 VBE15R05 / VBFB15R05的功率MOSFET产品。该产品具有低栅极电荷、增强的30V栅极电压等级、符合RoHS指令2002/95/EC等特点，适用于高频操作和重复雪崩额定应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM15R05 / VBMB15R05,VBE15R05 / VBFB15R05,适用于各种需要高电流和高速开关的应用，如电源管理、电机控制、开关电源等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、规格参数、典型应用电路和封装尺寸。产品适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正等领域。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBM165R01,交换模式电源（SMPS）,功率因数校正,不间断电源

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了Power MOSFET（功率MOSFET）的产品特性、绝对最大额定值、热阻等级和规格参数。资料涵盖了产品的低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗等特性，以及其在服务器和电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明和工业等领域的应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,IBOOFM7,开关电源,服务器和电信电源,功率因数校正电源,照明

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM16R01 / VBMB16R01 VBE16R01 / VBFB16R01系列功率MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了产品的电气参数、热阻、封装尺寸、典型特性曲线以及安全操作区域等信息。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBMB16R01,VBM16R01,VBFB16R01,VBE16R01,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

VBSEMI - 功率MOSFET,VBMB16R02,VBFB16R02,VBE16R02,VBM16R02,电机控制,如电源管理,适用于各种电子设备中的开关应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款功率MOSFET产品，包括其产品概述、特性、绝对最大额定值、规格参数、典型特性曲线、封装尺寸等详细信息。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBM16R04,VBFB16R04,VBE16R04,VBMB16R04,适用于高电压、高频应用，如开关电源、电机驱动等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种功率MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等详细信息。

VBSEMI - MOSFET,IBOOFM07,不间断电源,开关模式电源（SMPS）,高速电力开关

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装尺寸。资料涵盖了最大额定值、工作条件、静态和动态参数、开关时间、内部电感、体二极管特性等关键信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM175R02,适用于各种需要高电流和快速开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装尺寸。资料涵盖了最大额定值、工作条件、开关特性、静态特性、动态特性、二极管特性等多个方面，为工程师提供了全面的产品信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM175R05型功率MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的电气参数、热阻、开关特性、封装尺寸以及安全操作区域等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM175R05,适用于各种功率应用，如电源管理、电机驱动、开关电源等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM175R06型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、封装尺寸、工作温度范围、开关特性、安全工作区域等关键参数和特性。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM175R06,开关电源,功率电子,电机驱动等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM175R0系列功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、开关特性、封装尺寸等。资料提供了该系列产品的绝对最大额定值、工作参数、典型输出特性、转移特性、电容特性、开关时间测试电路和波形等。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM175R0,适用于各种功率电子应用，如电源管理、电机驱动、开关电源等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM17R02型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。资料涵盖了产品的最大额定值、工作条件、开关特性、电容特性、二极管特性等关键参数。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM17R02,适用于各种需要高电流、高电压开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，并提供了产品的封装尺寸图和免责声明。

VBSEMI - 功率MOSFET,POWER MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。产品具有低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗等特性，适用于服务器和电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明和工业等领域。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBM17R12,服务器和电信电源,开关模式电源（SMPS）,功率因数校正电源（PFC）,工业,照明（高强度放电、荧光灯镇流器）

功率 MOSFET

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,POWER MOSFET,适用于电子和电气设备

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM185R02型号的N-Channel MOSFET的特性、规格、典型特性曲线以及封装尺寸。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、热阻评级、静态和动态规格、典型特性曲线、开关时间测试电路和波形、封装尺寸等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM185R02,适用于各种开关电源、电机驱动、电源管理等应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等，包括绝对最大额定值、工作规格、典型特性等，适用于各种电子电路设计。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,适用于各种电子设备中的开关、放大等电路

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM185R06型功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、开关特性、封装尺寸等。资料提供了该产品的典型输出特性、转移特性、电容特性等图表，并对其绝对最大额定值、工作条件下的参数进行了详细说明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM185R06,适用于各种功率应用，如电源管理、电机控制、开关电源等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM185R0系列功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、开关特性、封装尺寸等。资料提供了该系列产品的绝对最大额定值、工作参数、典型输出特性、转移特性、电容特性、安全工作区域等详细信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM185R07,适用于各种功率电子应用，如开关电源、电机驱动、照明控制和工业设备等

功率 MOSFET

14-Dec-15 - 数据手册本资料详细介绍了VBM195R03型功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。资料涵盖了该产品的关键参数，如漏源电压、导通电阻、开关时间、热特性等，并提供了典型应用电路和波形图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM195R03,易于并联,重复雪崩额定值,简单驱动要求,符合ROHS指令2002/95/EC,快速开关,动态DV/DT额定值

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM2201K型Power MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线等。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、工作条件、开关特性、封装尺寸等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM2201K,适用于各种电子设备中的开关应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBM2251K型功率MOSFET的特性、规格和典型特性曲线。资料涵盖了该产品的电气参数、热阻、开关特性、电容特性、漏极-源极二极管特性等，并提供了典型应用电路和波形图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM2251K,P-CHANNEL应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款型号为VBMB1251K的Power MOSFET产品，包括其特性、规格、应用领域等。该产品具有低导通电阻、快速开关特性，适用于各种电源管理应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB1251K,适用于各种需要高电压、高电流和快速开关的应用，如电源管理、电机控制、开关电源等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装尺寸。资料涵盖了绝对最大额定值、工作条件、静态和动态参数、开关特性、体二极管特性等，并提供了典型特性曲线和封装尺寸图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸以及相关注意事项。资料涵盖了产品的绝对最大额定值、工作条件、静态和动态参数、开关特性、体二极管特性等，并提供了典型特性曲线和封装尺寸图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,适用于各种电子设备

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBMB155R02型号的N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、典型特性曲线、封装尺寸等关键参数和应用信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB155R02,适用于各种需要高电压和低导通电阻的电路，如电源管理、电机驱动等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其特性、规格、应用领域和封装类型。产品具有低栅极电荷、高耐压、低导通电阻等特点，适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正等应用。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBMB155R01,功率因数校正,不间断电源,开关模式电源（SMPS）

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其特性、规格、应用领域和封装信息。产品具有低栅极电荷、高耐压、低导通电阻等特性，适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正等应用。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBMB165R01,功率因数校正,不间断电源,开关模式电源（SMPS）

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等详细信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB165R07,开关电源（SMPS）,服务器和电信电源,功率因数校正电源（PFC）,照明,工业

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线、封装尺寸和免责声明等内容。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB165R08,开关电源（SMPS）,服务器和电信电源,功率因数校正电源（PFC）,照明（包括高强度放电灯和荧光灯镇流器）,工业

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种低导通电阻、低栅极电荷的功率MOSFET产品，适用于服务器、电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明和工业等领域。产品具有低FOM、低输入电容、低开关和导通损耗、超低栅极电荷等特性。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBMB165R10,开关电源（SMPS）,服务器和电信电源,功率因数校正电源（PFC）,照明,工业

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款N-Channel MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等详细信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,IBOOFM7,开关电源（SMPS）,服务器和电信电源,功率因数校正电源（PFC）,照明（高强度放电灯、荧光灯镇流器）,工业

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种650V的Power MOSFET产品，包括其产品概述、特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。产品具有低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗等特性，适用于各种电源应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,$IBOOFM7

功率 MOSFET

VBSEMI - 功率MOSFET,VBMB16R01,VBM16R01,VBFB16R01,VBE16R01,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB16R02,VBFB16R02,VBE16R02,VBM16R02,适用于各种开关电源、电机驱动、照明控制等应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款功率MOSFET产品，包括其产品概述、特性、绝对最大额定值、规格参数、典型特性曲线、封装尺寸等详细信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM16R04,VBFB16R04,VBE16R04,VBMB16R04,适用于高电压、高频应用，如开关电源、电机驱动等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 技术文档本资料详细介绍了VBM16R05、VBMB16R05、VBE16R05和VBFB16R05系列功率MOSFET的特性。包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。产品具备超低栅极电荷、降低栅极驱动要求、增强的30V、VGS等级、减少的Ciss、Coss、Crss等特性，适用于高频操作，符合RoHS指令2002/95/EC。资料还提供了产品的封装尺寸图和免责声明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBM16R05,VBFB16R05,VBE16R05,VBMB16R05,适用于各种高电压、高电流应用，如电源管理、电机驱动等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBMB175R02型号的N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，并提供了产品的封装尺寸图和免责声明。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBMB175R02,电机控制,电源管理,功率转换

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、封装尺寸、绝对最大额定值、规格参数、典型特性曲线等，旨在为工程师提供全面的产品信息。

VBSEMI - MOSFET,POWER MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册该资料详细介绍了VBMB175R05型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、封装尺寸、工作温度范围、最大额定值、典型特性曲线等。资料还提供了产品的应用电路图、波形图以及封装尺寸图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB175R05,适用于各种开关电源、电机驱动、电源管理等应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBMB175R0型号的Power MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻评级、规格参数、典型特性曲线等，并提供了产品的封装尺寸图和免责声明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB175R0**7,适用于各种功率电子应用，如开关电源、电机驱动等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册该资料详细介绍了VBMB175R06型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、封装尺寸、工作温度范围、开关特性、安全工作区域等关键参数，并提供了典型应用电路和波形图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB175R06,适用于各种需要高电压、高电流的开关应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册该资料详细介绍了VBMB17R02型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸以及相关的绝对最大额定值和规格参数。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB17R02,易于并联,重复雪崩额定值,快速开关,简单的驱动要求,动态DV/DT额定值

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种型号为VBMB17R04的Power MOSFET产品，包括其电气参数、特性、典型特性曲线、封装尺寸以及相关的安全警告和免责声明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB17R04,适用于各种需要高电压、低导通电阻和高栅极电荷的电路应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBMB185R02型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸以及相关的安全注意事项和免责声明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB185R02,易于并联,重复雪崩额定值,符合ROHS指令2002/95/EC,快速开关,简单的驱动要求,动态DV/DT额定值

功率 MOSFET

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBMB185R05型号的N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻评级、规格参数、典型特性曲线等，旨在为工程师提供产品设计时的参考。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBMB185R05,易于并联,重复雪崩额定值,符合ROHS指令2002/95/EC,快速开关,简单的驱动要求,隔离中心安装孔,动态DV/DT额定值

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBMB185R06型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、封装尺寸、工作温度范围、最大额定值、典型特性曲线等，并提供了相关测试电路和波形图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB185R06,适用于各种需要高电压、高电流的开关应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBMB185R0系列功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。资料涵盖了该产品的关键参数，如漏源电压、导通电阻、开关时间、热阻等，并提供了典型应用电路和波形图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBMB185R07,适用于各种需要高电流和高速开关的应用，如电源管理、电机控制、开关电源等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装尺寸。资料涵盖了最大额定值、工作条件、开关特性、热特性、电容特性、二极管特性等多个方面，为工程师提供了全面的产品信息。

VBSEMI - 功率MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBMB195R06型号的N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，旨在为工程师提供产品设计时的参考。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBMB195R06,开关电源,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了某型号功率MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。资料还提供了产品的封装尺寸图和免责声明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,POWER MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBN1615型号的N-Channel MOSFET，包括其绝对最大额定值、热阻额定值、规格参数、典型特性曲线、封装尺寸等。资料还提供了产品的工作温度范围、开关时间测试电路、安全工作区域等信息。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBN1615

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBP155R02型号的N-Channel MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，适用于各种电子电路中作为开关元件。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBP155R02,适用于各种开关电源应用，如电源转换器、电机驱动器等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款N-Channel MOSFET的详细规格和应用。包括其绝对最大额定值、热阻等级、电气特性、典型特性曲线等，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源和功率因数校正等应用领域。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP155R01,不间断电源供应,功率因素矫正,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,开关模式电源(SMPS),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款型号为VBP165R01的N沟道MOSFET产品，包括其特性、规格、应用领域和封装信息。该产品适用于开关电源（SMPS）、不间断电源和功率因数校正等应用。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBP165R01,交换模式电源（SMPS）,功率因数校正,不间断电源

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBP165R22型号的Power MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装类型以及相关的绝对最大额定值和规格参数。

VBSEMI - 功率MOSFET,VBP165R22,高速功率开关,电机驱动,不间断电源,开关模式电源（SMPS）,硬开关主电路或PFS开关

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel MOSFET产品，包括其特性、规格、应用领域和封装信息。产品具有低栅极电荷、高耐压、低导通电阻等特点，适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正等应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP16R0,不间断电源供应,功率因素矫正,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,开关模式电源(SMPS),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBP175R02型号的N-Channel MOSFET的特性、规格、典型特性曲线以及应用注意事项。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、热阻评级、电气规格、典型特性曲线等详细信息。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,VBP175R02,适用于需要高电压、低导通电阻和高开关速度的应用

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了某型号功率MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。资料中未提及具体的产品特性，但提供了产品的电气参数和应用信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBP175R05型功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、开关特性、封装尺寸等。资料提供了该产品的典型输出特性、转移特性、电容特性等图表，并对其绝对最大额定值和规格进行了详细说明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP175R05,适用于各种需要高电压、高电流的开关应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款N-Channel MOSFET的详细规格和特性，包括绝对最大额定值、热阻评级、电气规格、典型输出特性、电容特性、开关时间测试电路等，适用于各种电子应用。

VBSEMI - MOSFET,VBP175R06,开关电源,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBP17R02型号的Power MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，旨在为工程师提供产品选型和设计时的参考数据。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP17R02,电机控制,电源管理,工业设备

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBsemi公司的一款功率MOSFET产品，包括其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。产品具有低栅极电荷、高耐压、低导通电阻等特点，适用于各种开关电源和电机驱动应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBP185R02型号的N-Channel MOSFET的特性、规格、典型特性曲线以及应用注意事项。资料涵盖了该产品的电气参数、热阻、开关特性、封装类型等关键信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP185R02,适用于各种需要高电压、高电流开关的应用，如电源管理、电机控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸以及绝对最大额定值。资料涵盖了产品的静态和动态特性，包括漏源电压、栅源电压、连续漏极电流、导通电阻、输入电容、输出电容、反向传输电容、总栅极电荷等参数。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBP185R05型号的N-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，并提供了产品的封装尺寸图和免责声明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP185R05,开关电源,电机驱动,照明控制等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBP185R06型Power MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的电气参数、热阻、开关特性、封装尺寸以及安全操作区域等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP185R06,电机控制,电源管理,照明

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBP185R0系列功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、开关特性、封装尺寸等。资料提供了典型输出特性、转移特性、电容特性等图表，并说明了产品的应用注意事项和免责声明。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP185R07,电机控制,电源管理,开关电源等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装信息。资料涵盖了绝对最大额定值、工作规格、典型特性曲线等，适用于工程师在设计电路时参考。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBsemi公司的一款VBP195R06型号的Power MOSFET产品。资料涵盖了该产品的特性、规格、典型特性曲线、应用电路以及安全注意事项。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBP195R06,工业控制,电源管理,动力电子

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了N-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装信息。资料涵盖了最大额定值、工作条件、静态和动态参数、开关特性、内部电感、体二极管特性等，并提供了典型特性曲线和封装尺寸图。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了VBsemi公司的一款P-Channel MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，适用于各种电子电路中。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,适用于各种电子设备中的开关应用，如电源管理、电机控制、照明等

功率 MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料详细介绍了P-Channel MOSFET的电气特性、热阻、典型特性曲线以及封装信息。资料涵盖了最大额定值、工作条件、静态和动态参数、典型特性曲线等，适用于电子工程师在设计相关电路时参考。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET

功率 MOSFET

2022/04/26 - 数据手册本资料主要介绍了一种650V N-Channel Power MOSFET，详细描述了其电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等，并提供了绝对最大额定值和规格参数。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBZM4N65,开关电源,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

技术文档

VBSEMI - 功率场效对抗谈器(MOSFET),VBN195R03,电源管理,工业控造,开关系列

功率 MOSFET

数据手册本资料介绍了Power MOSFET（功率场效应晶体管）的特性及应用。内容包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格说明、典型工作曲线图、开关时间测试电路波形图等。

VBSEMI - 功率场效晶体管(MOSFET),VBP165RO7,开关模式电源(SMPS),不间断电源(UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,UPS),有功因数校正(POWER FACTOR CORRECTION,PFC)

功率 MOSFET

数据手册本资料详细介绍了一种功率场效应晶体管（Power MOSFET）的特性。内容包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格说明、典型工作曲线图以及推荐的最小焊盘尺寸。 ### **产品特性** - 低导通电阻RDS(on) - 高击穿电压VDS - 快速开关速度 - 符合RoHS指令 - 工作温度范围宽达-55°C至+150°C - 动态dv/dt耐压能力 - 具备雪崩破坏安全评级 - 无卤素材料符合IEC标准 ### **应用领域** 资料中未提及具体的应用领域。

VBSEMI - MOSFET,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

数据手册本资料介绍了Power MOSFET（功率场效应晶体管）的特性及应用。内容包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格说明、典型电路图和数据图表。

VBSEMI - 功率场效晶体管,电力因数校正,不间断电源,开关模式电源(SMP)

功率 MOSFET

数据手册本资料介绍了Power MOSFET（功率场效应晶体管）的特性及应用。内容包括了该器件的关键技术指标，例如漏源电压、导通电阻、栅极电荷量等；绝对最大额定值；热阻等级；典型规格数据；开关时间测试电路图；无钳位电感测试电路图；雪崩能量与电流的关系曲线；门电荷波形；峰值二极管恢复dv/dt测试电路等内容。

VBSEMI - 功率场效晶体管(MOSFET),电力因数校正(POWER FACTOR CORRECTION),开关模式电源(SMPS),不间断电源(UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,UPS)

功率 MOSFET

数据手册本资料介绍了Power MOSFET（功率场效应晶体管）的特性及应用。内容包括了该器件的关键技术指标，例如漏源电压、导通电阻、栅极电荷量等；其在开关电源(SMP)、不间断电源和不间断电力供应系统中的应用；此外还提供了热阻率规格、绝对最大额定值和其他电学参数。

VBSEMI - 功率场效晶体管,不间断电源,开关模式电源(SMP),有功因数校正

功率 MOSFET

数据手册本资料介绍了Power MOSFET（功率场效应晶体管）的特性及应用。内容包括其低栅极电荷Qg导致简单驱动需求的特点，提高了门控、雪崩和动态dV/dt鲁棒性；完全表征的电容量和雪崩电压电流；适用于开关电源(SMP)、不间断电源和不间断电力供应等领域。

VBSEMI - 功率场效对抗谈机,开关模式电源(SMP),不间断电源(UPS),有功因数校正(PFC)

功率 MOSFET

数据手册该文档详细介绍了一种功率场效应晶体管（Power MOSFET）的技术规格和应用。内容包括最大额定值、热阻等级、电学规范、典型特性曲线图以及封装尺寸。 ### **产品特性** 1. 最大漏源电压：60V。 2. 漏极导通电阻：RDS(on)=0.015Ω @ VGS=10V。 3. 最高结温操作温度：175°C。 4. 快速开关速度。 5. 单脉冲雪崩能量：EAS=100mJ。 6. 最大耗散功率：PD=<190>W。 7. 封装类型：I2PAK (TO-262) 高压型。 ### **应用领域** 资料中未提及具体的应用领域。

VBSEMI - POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR (MOSFET),功率场效应晶体管（MOSFET）,VBN1615,HIGH VOLTAGE SWITCHING POWER SUPPLY DESIGN,高压开关电源设计

功率 MOSFET

数据手册

VBSEMI - 功率场效晶体管 (POWER MOSFET),高压型,VBL115MR03,高效率应用,高速切换

功率 MOSFET

数据手册该文档介绍了四种型号为VBE16R05S/VBFB16R05S、VBM16R05S/VBMB16R05S的高压功率场效应晶体管（Power MOSFET）。这些器件具有低栅极电荷和高电流承载能力。文档提供了详细的规格数据，包括绝对最大额定值、热阻等级、静态和工作电学特性。 ### **产品特性** 1. 低栅极充电量Qg。 2. 高连续漏源电压VDS（至600伏）。 3. 低导通电阻RDS(on)在10伏栅极驱动下为0.85欧姆。 4. 兼容ROSH指令2002/95/EC。 5. 单片式结构设计。 6. 提供多种散热解决方案，包括TO-220AB和高压全包封选项。 ### **应用领域** 1. 电源管理电路。 2. 开关电源转换器。 3. 动力系统控制。 4. 工业自动化设备。 5. 汽车电子应用。

VBSEMI - 功率金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET),VBMB16R05S,VBFB16R05S,VBM16R05S,VBE16R05S,用于各种电源管理电路和高频开关应用

功率 MOSFET

数据手册

VBSEMI - MOSFET,电机控制,电源管理

功率 MOSFET

数据手册

VBSEMI - POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR (MOSFET),功率场效应晶体管（MOSFET）,VBMB165R05S,VBM165R05S,VBE165R05S,VBFB165R05S,高频开关应用,HIGH FREQUENCY SWITCH APPLICATION,电源系统,POWER SUPPLY SYSTEM

VBE14R02功率MOSFET

技术文档本资料详细介绍了VBE14R02型号的Power MOSFET产品。内容包括产品概述、特性、绝对最大额定值、热阻、规格参数、典型特性曲线、开关时间测试电路、峰值二极管恢复dV/dt测试电路、TO-252AA封装外形尺寸、DPAK（TO-252）推荐最小焊盘尺寸以及免责声明。资料中提供了产品的电气参数、热参数、封装尺寸等信息，适用于工程师在设计电路时参考。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,VBE14R02,电流调节器等

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技术支持采购服务

N沟道650V（D-S）功率MOSFET

2025/10/30 - 技术文档本资料详细介绍了N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET的产品特性，包括其电气参数、绝对最大额定值、热阻等级、典型特性曲线等。资料还提供了产品的开关时间测试电路、无钳位电感测试电路等，以及TO-220 FULLPAK封装的尺寸信息。此外，资料还包含了免责声明和产品分类政策等内容。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,2SK3726-01MR-VB,适用于各种高电压应用，如电源管理、电机控制等

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技术支持采购服务

P沟道500V（漏源）功率MOSFET

2025/12/15 - 数据手册本资料详细介绍了P-Channel 500V (D-S) Power MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数以及应用图示。资料涵盖了产品的电气特性、热特性、开关特性、封装尺寸等信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,P-CHANNEL 500 V (D-S) POWER MOSFET

代理服务

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N沟道（D-S）超结功率MOSFET 900V

2025/10/29 - 数据手册本资料介绍了一款N-Channel (D-S) Super Junction Power MOSFET，额定电压为900V。产品具有动态dV/dt额定值、重复雪崩额定值、隔离中央安装孔、快速开关、易于并联、简单驱动要求等特点，符合RoHS指令2002/95/EC。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,N-CHANNEL (D-S) SUPER JUNCTION POWER MOSFET 900V,适用于各种高压应用，如工业、汽车和消费电子

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N沟道60-V（漏源）超级沟槽功率MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料介绍了一种N-Channel 60-V Super Trench Power MOSFET，具有低导通电阻和优异的栅极电荷乘以Rds(on)产品（FOM）特性。该产品适用于隔离DC/DC转换器等应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,N-CHANNEL 60-V (D-S) SUPER TRENCH POWER MOSFET,隔离DC/DC转换器,ISOLATED DC/DC CONVERTERS

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N沟道650V（漏极-源极）功率MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一种N-Channel 650 V (D-S) Power MOSFET，详细描述了其产品特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等，旨在为用户提供全面的产品信息。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,N-CHANNEL 650 V (D-S) POWER MOSFET,电池充电器,服务器和电信电源,工业应用,消费电子产品

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N沟道00 V 7（D-S）超结功率MOSFET

2025/10/29 - 数据手册本资料主要介绍了一款N-Channel Super Junction Power MOSFET，包括其产品概述、特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线、封装尺寸以及免责声明等内容。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,N-CHANNEL 00 V **7** (D-S) SUPER JUNCTION POWER MOSFET,适用于各种功率应用，如电源管理、电机控制等

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RU6H10P-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）功率 MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了RU6H10P-VB型号的N-Channel 650V Power MOSFET。资料涵盖了产品的特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻率、规格参数、典型特性曲线、封装尺寸以及免责声明等内容。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,RU6H10P-VB,服务器和电信电源,开关模式电源（SMPS）,功率因数校正电源（PFC）,工业,照明（高强度放电、荧光灯镇流器）

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N-Cha (D-S) 超结功率MOSFET 沟道 700V

2025/10/29 - 数据手册该资料主要介绍了一种N-Cha (D-S) Super Junction Power MOSFET，这是一种700V的功率MOSFET。资料详细描述了该产品的特性，包括其低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗等，以及其在服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、照明和工业等领域的应用。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,N-CHA (D-S) SUPER JUNCTION POWER MOSFET NNEL 700V,服务器和电信电源,开关模式电源（SMPS）,功率因数校正电源（PFC）,照明,工业

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8N50HL-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）功率 MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了8N50HL-VB型号的N-Channel 650V Power MOSFET。资料涵盖了产品的特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻率、规格参数、典型特性曲线、封装尺寸以及免责声明等内容。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,8N50HL-VB,服务器和电信电源,开关模式电源（SMPS）,功率因数校正电源（PFC）,工业,照明（高强度放电、荧光灯镇流器）

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VBsemi场效应管选型表

选型表 - VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域

产品型号	品类	封装	沟道	Vds(V)	Vth(V)	Ida(A)
12N10-VB	MOSFET	TO252	Single-N	100V	1.8V	15A

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SEMTECH ST达林顿三极管选型表

选型表 - SEMTECH ST 先之科提供达林顿三极管选型：涵盖NPN和PNP两种极性配置。达林顿管由两只三极管复合连接，具有极高的电流放大倍数，可用微小的基极电流控制较大的集电极电流，广泛应用于功率放大、开关驱动、电机驱动、继电器驱动、LED驱动及各类需要高增益电流放大的场合。产品提供6种封装形式，从小信号放大到大功率开关均有覆盖。该系列达林顿管电流放大倍数高达140000，可用极小的控制电流驱动大功率负载，简化驱动电路设计。集电极电流能力最高10A，配合2.3W的功耗能力，可满足中等功率开关和放大需求。饱和压降低至2V以内，降低了导通损耗。特征频率最高220MHz，适用于中高频开关应用。NPN/PNP双极性覆盖，方便推挽和桥式驱动电路设计。

产品型号	品类	封装	Polarity	PD(W)	VCBO(V)	VCEO(V)	IC (A)	HFE_Min	HFE_Max	Vcesat(V)	fT(MHZ)
FCX605U	达林顿三极管	SOT-89	NPN	1	140	120	1	2000	100000	1	150

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SEMTECH ST碳化硅肖特基二极管选型表

选型表 - SEMTECH ST 先之科提供碳化硅肖特基二极管选型：碳化硅材料具有超宽的禁带宽度、极高的临界击穿电场和优异的热导率，使SiC肖特基二极管在高压、高温、高频应用中展现出远超传统硅器件的性能优势。产品提供5种功率封装形式TO-252、TO-247-3、TO-220FB-2、TO-220F-2、TO-247-2，适用于工业级功率应用。该系列SiC肖特基二极管反向耐压高达1200V，可在高温（最高175°C以上）环境下稳定工作，大幅降低散热系统复杂度。零反向恢复电荷（或极小）的特性使其开关损耗极低，特别适合高频开关电源（>100kHz）、光伏逆变器、电动汽车OBC/DC-DC、工业PFC及5G基站电源等高端应用场景。正向压降1.4V~1.7V，在高压大电流应用中仍保持优异的导通效率。