本文内容由VBsemi品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
HM30P55-VB 数据手册
数据手册 本资料详细介绍了HM30P55-VB型P-Channel 60-V (D-S) MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。资料中提供了该MOSFET的绝对最大额定值、电气特性、热阻等级、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。
VBSEMI - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,HM30P55-VB,LOAD SWITCH,负载开关
HM30P55I-VB 数据手册
2025/10/31 - 数据手册 本资料详细介绍了HM30P55I-VB型P沟道60V MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻、电气规格、典型特性和热特性。资料提供了该产品的详细参数，如漏源电压、栅极源极电压、连续漏极电流、导通电阻等，并包含了典型应用曲线和热阻数据。
VBSEMI - MOSFET,HM30P55I-VB,适用于各种高电压应用，如电源管理、电机控制等
HM30N04Q-VB 数据手册 - N沟道 40V（漏源）MOSFET
2025/10/31 - 数据手册 本资料详细介绍了HM30N04Q-VB N-Channel 40 V (D-S) MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。该MOSFET具备 trench power特性，适用于同步整流、同步降压转换器、ORing、负载切换和电机驱动开关等应用。
VBSEMI - MOSFET,HM30N04Q-VB,O型圈,电机驱动开关,同步整流,同步降压转换器,负载开关,ORING
CHM3055LXPT-VB 数据手册 N沟道 60-V（漏源）MOSFET
2025/10/31 - 数据手册 本资料详细介绍了CHM3055LXPT-VB型N通道60V（D-S）MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻率、规格参数、典型特性以及封装尺寸。资料中未提及具体的应用领域。
VBSEMI - MOSFET,CHM3055LXPT-VB,电机控制,电源管理
HM3077-VB 数据手册 N沟道 80V（漏源）MOSFET
2025/10/30 - 数据手册 本资料详细介绍了N-Channel 80V (D-S) MOSFET产品HM3077-VB的特性、应用领域和热性能。产品具有低导通电阻、低栅极电荷和良好的热性能，适用于电源、DC/DC转换器、电动工具、电机驱动开关、DC/AC逆变器和电池管理等应用。
VBSEMI - MOSFET,HM3077-VB,电机驱动开关,电源 - 次级同步整流,DC/AC逆变器,DC/DC转换器,电动工具,电池管理
HM30P02K-VB 数据手册 P沟道 30-V（漏-源）MOSFET
数据手册 本资料详细介绍了HM30P02K-VB型P沟道30V（D-S）MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。该产品是一款无卤素、 trench功率MOSFET，经过100%的Rg和UIS测试，适用于负载开关和笔记本电脑适配器开关等应用。
VBSEMI - MOSFET,HM30P02K-VB,笔记本电脑适配器开关,负载开关
HM30N10-VB 数据手册 N沟道 100-V（漏源）MOSFET
2025/10/30 - 数据手册 本资料详细介绍了HM30N10-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、规格参数、典型特性、热性能和封装尺寸。资料涵盖了该MOSFET的电气特性、热特性以及封装信息，适用于电子工程师在设计时参考。
VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,HM30N10-VB,高电压应用
HM30P10-VB 数据手册 P沟道 100V（D-S）175°C MOSFET
2025/10/30 - 数据手册 本资料详细介绍了HM30P10-VB型P沟道100V MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻评级、规格参数、典型特性、热评级、封装尺寸以及免责声明。资料涵盖了产品的电气性能、热性能和物理尺寸等关键信息。
VBSEMI - MOSFET,HM30P10-VB,工业应用,消费电子,汽车应用
HM30P10K-VB 数据手册 P沟道 100V（D-S）MOSFET
2025/10/30 - 数据手册 本资料详细介绍了HM30P10K-VB型P沟道100V（D-S）MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性、热等级、封装尺寸以及推荐的最小焊盘尺寸。资料中未提及具体的应用领域。
VBSEMI - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,HM30P10K-VB,电源应用
HM30N10D-VB 数据手册 N沟道 100-V（D-S）MOSFET
2025/10/31 - 数据手册 本资料详细介绍了HM30N10D-VB型N-Channel 100-V (D-S) MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压、宽工作温度范围等特点，适用于隔离DC/DC转换器等应用。
VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,HM30N10D-VB,隔离DC/DC转换器,ISOLATED DC/DC CONVERTERS
查看更多版本
HM30P10L-VB 数据手册 P沟道 100V（D-S）175°C MOSFET
未指定 - 数据手册 本资料详细介绍了HM30P10L-VB型P沟道MOSFET的特性，包括其电气参数、热参数、封装尺寸等。资料涵盖了产品的绝对最大额定值、工作规格、典型特性曲线以及热性能等，适用于电子工程师在设计相关电路时参考。
VBSEMI - P沟道MOSFET,HM30P10L-VB,工业应用,消费电子,汽车应用
VBsemi场效应管选型表
选型表 - VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域
|
产品型号
|
品类
|
Vds(V)
|
Vth(V)
|
Ida(A)
|
沟道
|
封装
|
|
HM30P55-VB
|
MOSFET
|
-60V
|
-1.7V
|
-50A
|
Single-P
|
TO220
|
D2 P沟道MOSFET
2025/10/30 - 数据手册 本资料详细介绍了VBsemi公司的一款 trench power MOSFET产品，包括其绝对最大额定值、热阻等级、典型特性曲线等。产品适用于中端DC/DC电源的主动钳位、LED照明和负载开关等应用。
VBSEMI - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,D2,中间直流直流电源的主动钳位,负载开关,LED照明
SEMTECH ST小信号三极管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科提供小信号三极管选型：采用DFN1006-3B/DFN1006-3H/DFN2020-3HM/SOT-223/SOT-23/SOT-26/SOT-323/SOT-353/SOT-363/SOT-523/SOT-563/SOT-89共12种封装形式，提供NPN、PNP及其互补对管等多种配置。VCBO：12V至700V，VCEO：12V至500V，IC：0.015A至6A，从小信号放大到中等功率驱动全覆盖；PD：0.1W至2W，需配合合理散热设计；HFE：10至10000，提供从精密放大到功率放大的完整选择；饱和压降t为25mV至2000mV，低饱和压降型号可实现高效开关；特征频率fT最高可达7000MHz，支持高频信号放大。产品采用先进半导体工艺，具有低噪声、高电流增益、宽工作温度范围、快速开关等特点，广泛应用于音频前置放大、信号放大与开关、传感器接口、电平转换、LED驱动、电源管理IC内部驱动等小信号处理场合。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
Polarity
|
PD(W)
|
VCBO(V)
|
VCEO(V)
|
IC (A)
|
HFE_Min
|
HFE_Max
|
Vcesat (mV)
|
fT Typ(MHZ)
|
|
BC846BP
|
小信号三极管
|
DFN1006-3B
|
NPN
|
0.15
|
80
|
65
|
0.1
|
110
|
800
|
250
|
300
|
SEMTECH ST IGBT选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科提供IGBT选型：VCES覆盖650V~1200V，IC范围12A~320A，采用TO-220F/TO-220F-3/TO-220FB-3/TO-247/TO-247-3/TO-247-4等14种封装。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的大电流承载能力，具有低导通压降、高开关速度、高可靠性等特点。VCES覆盖650V至1200V，集电极电流IC(Tc=25°C)为12A至320A，饱和压降VCEsat(VGE=15V)为1.53V至1.6V，导通损耗极低；栅源阈值电压VGE(th)为4V至7.5V，兼容主流栅极驱动。广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、新能源发电（光伏/风电）逆变器、电动汽车驱动、轨道交通牵引、智能电网SVG/APF、焊接设备、感应加热等大功率电力电子领域。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
TSC（us）
|
VCES (V)
|
IC (A)Tc= 25°C
|
IC (A)Tc= 100°C
|
ICM (A) @Tc= 25°C
|
VGE(th) (V)Min
|
VGE(th) (V)Max
|
VCEsat（V）Typ@VGE=15V
|
Eon （mJ）Typ
|
Eoff（mJ） Typ
|
|
SGR06T65TAAD
|
IGBT
|
TO-252
|
5
|
650
|
12
|
6
|
18
|
5.5
|
7.5
|
1.56
|
0.08
|
0.11
|
电子商城
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论