HFP3N80-VB Datasheet Power MOSFET

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发布时间： 2025-10-30 品牌： VBsemi 资料类型：数据手册语言：英文

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本资料文档详细介绍了HFP3N80-VB型号的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的技术规格和应用信息。该MOSFET具有850V的漏源电压、2.7Ω的导通电阻，适用于各种高电压应用。文档中包含了绝对最大额定值、热阻率、典型特性曲线、封装尺寸等信息，为工程师提供了全面的产品信息。

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功率MOSFET FQP5P20-VB 数据手册

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了FQP5P20-VB型功率MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。资料还提供了产品的封装尺寸图和典型应用电路。

VBSEMI - 功率MOSFET,FQP5P20-VB

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PHB9NQ20T-VB 数据手册功率MOSFET

2025/10/30 - 技术文档本资料详细介绍了PHB9NQ20T-VB型号的功率MOSFET器件。资料涵盖了该器件的电气特性、绝对最大额定值、热阻评级、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。内容包括静态和动态参数、开关时间、内部电感、体二极管特性等，并提供了典型应用电路和波形图。此外，还包含了产品尺寸图和免责声明，强调产品规格和数据的可能变化，以及产品在特定应用中的责任限制。

VBSEMI - 功率MOSFET,PHB9NQ20T-VB,开关电源,电机控制,电源管理

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FZ44EL-VB 数据手册功率MOSFET

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了FZ44EL-VB型功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。资料涵盖了该产品的关键参数，如漏源电压、导通电阻、开关时间等，并提供了典型应用电路和波形图。

VBSEMI - 功率MOSFET,FZ44EL-VB

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STB50NE10L-T4-VB 数据手册功率MOSFET

2025/10/30 - 技术文档本资料详细介绍了STB50NE10L-T4-VB型号的功率MOSFET器件。资料涵盖了该器件的电气特性、热阻、典型特性曲线、封装尺寸、推荐焊盘尺寸以及免责声明等内容。主要包括绝对最大额定值、工作温度范围、开关特性、漏极-源极二极管特性等关键参数。

VBSEMI - 功率MOSFET,STB50NE10L-T4-VB,适用于各种需要高电流和快速开关的应用，如电源管理、电机控制等

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9972GR-VB 数据手册功率MOSFET

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了9972GR-VB型号的功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。资料涵盖了该产品的关键参数，如漏源电压、导通电阻、开关时间、热性能等，并提供了典型应用电路和波形图。

VBSEMI - 功率MOSFET,9972GR-VB

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LZ44ZL-VB 数据手册功率MOSFET

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了LZ44ZL-VB型号的功率MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。资料还提供了产品的封装尺寸图和免责声明。

VBSEMI - 功率MOSFET,LZ44ZL-VB

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FZ48NL-VB TO262 数据手册功率MOSFET

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了FZ48NL-VB TO262型号的功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等，适用于各种高电压应用。

VBSEMI - 功率MOSFET,FZ48NL-VB

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P3HNK90Z-VB 数据手册功率MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了P3HNK90Z-VB型号的功率MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的电气参数、热阻、封装尺寸、工作温度范围以及安全操作区域等关键信息。

VBSEMI - 功率MOSFET,P3HNK90Z-VB,适用于各种需要高电流、高电压开关应用的电路，如电源管理、电机控制、开关电源等

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K2914-VB 数据手册功率MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了K2914-VB型号的功率MOSFET器件。资料涵盖了该器件的主要参数、特性、典型特性曲线以及封装尺寸等信息，适用于各种高电流应用。

VBSEMI - 功率MOSFET,K2914-VB,适用于各种开关电源、电机驱动、电源管理等应用

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FZ44VL-VB 数据手册功率MOSFET

2025/10/31 - 数据手册本资料详细介绍了FZ44VL-VB型号的功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、典型特性曲线、封装尺寸等。资料涵盖了该产品的关键参数，如漏源电压、导通电阻、开关时间等，并提供了典型应用电路和波形图。

VBSEMI - 功率MOSFET,FZ44VL-VB

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K791-VB 数据手册功率MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了K791-VB型号的功率MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。资料还提供了产品的封装尺寸图和免责声明。

VBSEMI - 功率MOSFET,K791-VB,适用于各种需要高电流和快速开关的应用，如电源管理、电机控制和工业设备

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K2199-VB 数据手册功率MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了K2199-VB型功率MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。资料还提供了产品的封装尺寸、推荐的最小焊盘尺寸以及免责声明。

VBSEMI - 功率MOSFET,K2199-VB,适用于各种需要高电流和快速开关的应用，如电源管理、电机控制、开关电源等

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微碧AI智能扫地机功率MOSFET选型方案：高效可靠动力与电源管理系统适配指南

2026-06-26 - 器件选型本文针对扫地机对紧凑空间、长续航、低噪声与高智能化的严苛要求，以场景化适配为核心，重构功率MOSFET选型逻辑，提供一套可直接落地的优化方案。

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选型表 - WG WG（威谷）提供碳化硅MOS管（SiC MOSFET）的选型。该系列产品具备650V-3300V的BVDSS耐压与9A-108A的ID电流规格。其核心优势参数包括：VTH范围2.0V-4.5V，VGS Max涵盖-10/+22V与-10/+25V，RDS(ON)@VGS=10V低至0.011Ω-0.8Ω。产品具有低导通电阻与高频高效特性，提供TO-247-4L、TO-247、TO-252、TO-220F及TO-263等丰富封装。可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、储能系统及工业开关电源等高效率功率转换场景。

产品型号	品类	ID(A)	BVDSS(V)	VTH Min(V)	VTH Max(V)	VGS Max(V)	RDS(ON)@VGS=10V TYP(Ω)	RDS(ON)@VGS=10V MAX(Ω)	Package
SICMA75R014GL-4L	碳化硅MOS管	108A	750V	2.2V	4.2V	-10/+22V	0.011Ω	0.014Ω	TO-247-4L