IRFB4310ZGPBF-VB Datasheet N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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2025-10-30 VBsemi 数据手册 英文
本文档是IRFB4310ZGPBF-VB型号N通道100V (D-S) MOSFET的详细资料。文档中包含了产品的特性、绝对最大额定值、规格、典型特性、热性能和封装信息。产品采用ThunderFET®技术,具有最高175°C的结温,100%的Rg和UIS测试,材料分类符合特定定义。
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产品型号
品类
封装
Polarity
ESD Protection
VDS (V)
ID max (A)Tc= 25°C
VGS(th) (V)Min
VGS(th) (V)Max
RDSon Typ at10V(mΩ)
RDSon Max at10V(mΩ)
Qg(nC) Typ
SLQ02N65A2
高压MOS管
SOT-223
N
N
650
1.5
2
4
3500
4500
7
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产品型号
品类
封装
VDS (V)
ID max (A)Tc= 25°C
VGS(th) (V)Min
VGS(th) (V)Max
RDSon(mΩ) at18V/Max
Qg(nC) Typ
SCR160N75PAA
碳化硅MOS管
TO-252
750
12
2
4
216
11.4
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产品型号
品类
封装
工艺
沟道
Vos_Max(V)
DMax(A)
Ves(t)Typ(V)
Ves_Max(V)
C iss_Typ(pF)
Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)
Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
OCT2N10TS
中低压MOS
SOT-23
Trench
N
100
2.0
1.5
±20
321
220
250
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