IRFB4310ZGPBF-VB Datasheet N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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ESD Protection
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VDS (V)
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ID max (A)Tc= 25°C
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VGS(th) (V)Min
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VGS(th) (V)Max
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RDSon Typ at10V(mΩ)
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RDSon Max at10V(mΩ)
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Qg(nC) Typ
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SLQ02N65A2
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高压MOS管
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SOT-223
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N
|
N
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650
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1.5
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2
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4
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3500
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4500
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7
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SEMTECH ST碳化硅MOS管选型表
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产品型号
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品类
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封装
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VDS (V)
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ID max (A)Tc= 25°C
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VGS(th) (V)Min
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VGS(th) (V)Max
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RDSon(mΩ) at18V/Max
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Qg(nC) Typ
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SCR160N75PAA
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碳化硅MOS管
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TO-252
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750
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2
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4
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216
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11.4
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欧创芯(OCX)中低压MOS选型表
选型表 - 欧创芯 欧创芯提供中低压MOSFET选型。耐压60~100V,连续漏极电流2~50A,采用Trench沟槽工艺,阈值电压1.5~1.8V,栅源耐压±20V,提供SOT-23、SOT-23-3L、TO-252-3L封装。导通电阻低至12mΩ@VGS=10V,输入电容321~2030pF。适用于电源管理、电机驱动及LED驱动等功率开关场景。
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产品型号
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品类
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封装
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工艺
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沟道
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Vos_Max(V)
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DMax(A)
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Ves(t)Typ(V)
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Ves_Max(V)
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C iss_Typ(pF)
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Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)
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Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
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OCT2N10TS
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中低压MOS
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SOT-23
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Trench
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N
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100
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2.0
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1.5
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±20
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321
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220
|
250
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电子商城
现货市场
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