Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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产品型号
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品类
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封装
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沟道
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Vds(V)
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Vth(V)
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Ida(A)
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12N10-VB
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MOSFET
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TO252
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Single-N
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100V
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1.8V
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15A
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SEMTECH ST小信号三极管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科提供小信号三极管选型：采用DFN1006-3B/DFN1006-3H/DFN2020-3HM/SOT-223/SOT-23/SOT-26/SOT-323/SOT-353/SOT-363/SOT-523/SOT-563/SOT-89共12种封装形式，提供NPN、PNP及其互补对管等多种配置。VCBO：12V至700V，VCEO：12V至500V，IC：0.015A至6A，从小信号放大到中等功率驱动全覆盖；PD：0.1W至2W，需配合合理散热设计；HFE：10至10000，提供从精密放大到功率放大的完整选择；饱和压降t为25mV至2000mV，低饱和压降型号可实现高效开关；特征频率fT最高可达7000MHz，支持高频信号放大。产品采用先进半导体工艺，具有低噪声、高电流增益、宽工作温度范围、快速开关等特点，广泛应用于音频前置放大、信号放大与开关、传感器接口、电平转换、LED驱动、电源管理IC内部驱动等小信号处理场合。
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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PD(W)
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VCBO(V)
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VCEO(V)
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IC (A)
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HFE_Min
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HFE_Max
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Vcesat (mV)
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fT Typ(MHZ)
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BC846BP
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小信号三极管
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DFN1006-3B
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NPN
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0.15
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80
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65
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0.1
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110
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800
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250
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300
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SEMTECH ST IGBT选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科提供IGBT选型：VCES覆盖650V~1200V，IC范围12A~320A，采用TO-220F/TO-220F-3/TO-220FB-3/TO-247/TO-247-3/TO-247-4等14种封装。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的大电流承载能力，具有低导通压降、高开关速度、高可靠性等特点。VCES覆盖650V至1200V，集电极电流IC(Tc=25°C)为12A至320A，饱和压降VCEsat(VGE=15V)为1.53V至1.6V，导通损耗极低；栅源阈值电压VGE(th)为4V至7.5V，兼容主流栅极驱动。广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、新能源发电（光伏/风电）逆变器、电动汽车驱动、轨道交通牵引、智能电网SVG/APF、焊接设备、感应加热等大功率电力电子领域。
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产品型号
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品类
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封装
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TSC（us）
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VCES (V)
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IC (A)Tc= 25°C
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IC (A)Tc= 100°C
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ICM (A) @Tc= 25°C
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VGE(th) (V)Min
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VGE(th) (V)Max
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VCEsat（V）Typ@VGE=15V
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Eon （mJ）Typ
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Eoff（mJ） Typ
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SGR06T65TAAD
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IGBT
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TO-252
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5
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650
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12
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6
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18
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5.5
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7.5
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1.56
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0.08
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0.11
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