MMBTA06LTG-CN SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistor(NPN)
特征 Features
●适用于开关和放大运用 For Switching and Amplifier Applications
●最大功率耗散 300mW; Power Dissipation of 300mW
●高稳定性和可靠性。High Stability and High Reliability
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产品型号
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品类
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集射极击穿电压(Vceo)
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应用等级
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特征频率(fT)
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集电极电流(Ic)
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耗散功率(Pd)
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晶体管类型
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封装
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MMBTA06LT1G-CN
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单双极晶体管
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80V
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工业级
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100MHz
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500mA
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225mW
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NPN
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SOT-23-3 (TO-236)
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产品型号
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品类
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VCE(V)
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IC(A)
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VCE(sat)
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VGE(th)
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Eoff(mJ)
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VF(V)
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Package
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WGA25T135A
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绝缘栅双极晶体管
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1350V
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25A
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2.05V
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5.0-6.5V
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1mJ
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TO-247
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