V(BR)DSS RDS(ON)MAX ID 3.5Ω@10V 50V 6Ω@4.5V 0.22A SOT-23

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发布时间： 2025-11-04 品牌：无边界资料类型：数据手册语言：英文

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本文档介绍了V(BR)DSS RDS(ON)MAX ID 3.5Ω@10V 50V 6Ω@4.5V 0.22A SOT-23型号的TrenchFET Power MOSFET。该器件适用于便携式设备的负载开关和DC/DC转换器。文档中包含了该器件的机械数据、极限值和温度特性、电特性、典型特性、封装信息和焊盘设计参考。

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V(BR)DSS RDS(on)TYP 40V 25A -40V -23A

1970/01/01 - 数据手册该资料详细介绍了V(BR)DSS系列MOSFET的特性，包括其绝对最大额定值、静态和动态电气特性、开关特性、二极管特性以及封装尺寸。资料还提供了产品的安全操作区域和热阻抗信息。

无边界 - 高压MOSFET,V(BR)DSS,电机控制,DC-DC转换器

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V(BR)DSS -60V 60mΩ@10V -14A 高效MOSFET

1970/01/01 - 数据手册该资料详细介绍了V(BR)DSS系列功率MOSFET的特性、参数和应用领域。产品采用先进的沟槽技术，具有低栅极电荷和低导通电阻，适用于PWM应用和DC-DC转换器等电源开关应用。

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V(BR)DSS 60V 25A 30mΩ@10V 40mΩ@4.5V RDS(on)TYP

1970/01/01 - 数据手册本资料详细介绍了V(BR)DSS系列功率MOSFET的特性，包括其电气特性、热特性、封装类型和应用领域。资料中提供了该系列产品的最大额定值、电气特性参数、开关特性以及安全工作区域等信息。

无边界 - 功率开关器件,V(BR)DSS,DC-DC转换器功率开关应用

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V(BR)DSS 100V 210A 金属氧化物半导体场效应晶体管

1970/01/01 - 数据手册该资料主要介绍了一种名为V(BR)DSS的元器件，详细描述了其产品特性、绝对最大额定值、静态和动态特性、开关特性、体二极管特性等，并提供了相关参数和应用领域。

无边界 - MOSFET,V(BR)DSS,直流-直流转换器功率管理开关应用,POWER SWITCHING APPLICATION DC-DC CONVERTER POWER MANAGEMENT

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V(BR)DSS 100V 70mΩ@10V 7A 同步整流器主开关，适用于桥式拓扑结构，SOP-8L封装。

2025/11/04 - 数据手册该资料详细介绍了V(BR)DSS产品，一款低导通电阻的MOSFET，适用于桥式拓扑中的同步整流主开关。资料提供了产品的特性参数、绝对最大额定值、静态和动态特性、开关特性、二极管特性、封装尺寸等信息。

无边界 - 同步整流器主开关,V(BR)DSS,适用于桥式拓扑的同步整流

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V(BR)DSS RDS(ON)最大值 ID 30mΩ@10V 30V 42mΩ@4.5V 5.8A SOT-23

2025/11/04 - 数据手册本资料介绍了一种高性能的MOSFET器件，具有极低的RDS(on)和较高的电流承载能力，适用于负载/电源开关应用。资料详细描述了产品的特性、电气参数、机械数据以及封装信息。

无边界 - MOSFET,V(BR)DSS,接口开关,负载/电源开关

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V(BR)DSS -28mΩ -6A SOT-23

1970/01/01 - 数据手册本资料详细介绍了某款SOT-23封装的MOSFET器件，包括其电气特性、机械数据、极限值和温度特性、典型特性曲线、测试电路和波形、焊盘设计参考以及注意事项。

无边界 - 电子元器件,V(BR)DSS,功率开关应用,电源管理,硬开关和高频电路

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V(BR)DSS -60V RDS(on)TYP -1.8A

2025/11/04 - 数据手册该资料主要介绍了一种低栅极电荷的功率开关器件，具有超低导通电阻和良好的热散性。该器件采用先进的深沟槽技术，适用于电源开关、负载开关和充电等应用。

无边界 - MOSFET,V(BR)DSS,充电,电源开关,负载开关

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V(BR)DSS -60V RDS(on)TYP -25A 快速开关速度表面贴装封装

2025/11/04 - 数据手册该资料主要介绍了一种高压快恢复二极管，具有低导通电阻、快速开关速度、表面贴装封装等特点。资料详细描述了该二极管的电气特性、封装尺寸、应用领域等信息。

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V(BR)DSS

1970/01/01 - 数据手册该资料详细介绍了V(BR)DSS产品，一款具有高功率和电流处理能力的元器件。资料涵盖了产品的特性、应用领域、封装类型、标记以及电气参数等详细信息。

无边界 - 高功率MOSFET,V(BR)DSS,电池开关DC/DC转换器

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V(BR)DSS -30V RDS(on)TYP 7.5mΩ@-10V -40A

1970/01/01 - 数据手册该资料主要介绍了一种高压MOSFET产品，包括其产品特性、电气参数、封装尺寸和应用领域。产品具有快速开关速度、低导通电阻和100%单脉冲雪崩能量等特点，适用于DC-DC转换器和电源管理电路。

无边界 - 电子元器件,V(BR)DSS,电源管理,DC-DC转换器

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V(BR)DSS -60V -20A 30mΩ@-10V 38mΩ@-4.5V

1970/01/01 - 数据手册该资料详细介绍了V(BR)DSS系列功率MOSFET的特性，包括其电气参数、静态和动态特性、开关特性、封装尺寸等。资料还提供了产品的应用领域和注意事项。

无边界 - MOSFET,V(BR)DSS,适配器开关电源管理,负载开关

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100 V TrenchFET Gen V 功率MOSFET，采用PowerPAK 10 x 12封装

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真茂佳中低压MOSFET选型表

选型表 - 真茂佳真茂佳（ZMJSEMI）提供车规级与工业级中低压MOSFET选型，电压覆盖20V-500V，N沟道和P沟道，Rds(on)范围0.4mΩ-3600mΩ。产品涵盖SpeedFET（高频低FOM，开关速度快）、RobustFET（高雪崩耐量，鲁棒性强）、BPFET（高EAS能力，极致雪崩容差）及SJMOS（超结技术，高电压低导通电阻）四大技术系列，提供纯MOSFET及N+P、N+N组合型。关键参数包括VDS耐压、ID电流、Rds(on)导通电阻、Vth阈值电压、EAS雪崩能量、Ciss/Coss/Crss电容、Rg栅极电阻、Qg/Qgs/Qgd栅极电荷等。适用于BMS、电动工具、工业电源、电机驱动、DC-DC转换器、负载开关及汽车电子等场景。