FH3080G N-Channel Trench Power MOSFET

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2026-02-15 鑫飞宏 数据手册 英文
FH3080G是一款N-Channel增强型功率场效应晶体管,具有VDSS=30V和ID=75A的电气特性。它采用了沟槽DMOS技术,RDS(ON) =4.3mΩ (Typ) @V GS=10V,RDS(ON) =7.2mΩ (Typ) @V GS=4.5V。该技术提高了dv/dt能力,特别针对降低导通电阻、提供优越的开关性能,并保证100% EAS,适用于雪崩和绿色器件的通断模式。这些器件非常适合用于高效率快速开关应用,如电机驱动、UPS和DC-DC转换器。
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系列型号: FH3016FDY; FH3016AAL; FH3016FDZ; FH3016ACF; FH3016FDT; FH3016FDN; FH3016DAQ; FH3016FDO; FH3016FDM; FH3016FDA; FH3016FHB; FH3016FDL; FH3016DCH

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产品型号
品类
Vth(V)
Qg Typ(nC)
VDS
RDS(on) mΩ 4.5V(Typ)
Vgs (±V)
RDS(on) mΩ 4.5V(Max)
ESD Diode
Ciss Typ(pF)
RDS(on) mΩ 10V(Max)
Type
RDS(on) mΩ 2.5V(Typ)
RDS(on) mΩ 10V(Typ)
ID
Package
RDS(on) mΩ 2.5V(Max)
FH3080G
MOS管
1~2
33.7
30
7.2
20
10
/
1560
6.5
N
/
4.3
75
PDFN5*6-8L
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