SGMPE35220 20V Single P-Channel MOSFET

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2026-09-02 SGMICRO 数据手册 英文

20V,功率,单P沟道,MOSFET。低导通电阻,超低QG和QGD,ESD二极管保护栅极,超小封装Tiny FET。

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【产品】SGMICRO SGMPM21330系列 MOSFET MOSFET

产品特性:1.低导通电阻(典型值16.7mΩ) 2.高速切换性能 3.RoHS合规且无卤素 4.最大漏极到源极电压为-30V 5.最大栅极到源极电压±20V 6.最大漏极电流-7.5A(直流)和-30A(脉冲);应用领域:1.加载开关应用 2.高速线路驱动器 3.继电器驱动器 4.手持和移动设备应用

系列型号: SGMPM21330TTEN6G/TR; SGMPM21330TTEO6G/TR

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产品型号
品类
封装
Polarity
ESD Protection
VDS (V)
ID max (A)Tc= 25°C
VGS(th) (V)Min
VGS(th) (V)Max
RDSon Typ at10V(mΩ)
RDSon Max at10V(mΩ)
Qg(nC) Typ
SLQ02N65A2
高压MOS管
SOT-223
N
N
650
1.5
2
4
3500
4500
7
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产品型号
品类
ID (A)
VDS(±V)
VGS(±V)
Vth typ.(V)
RDS(ON) (mΩ)
HLS30N20F
碳化硅场效应管
30A
200V
±20V
3.4V
82mΩ
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