MPSA63 / 64 PNP Silicon Epitaxial Planar Darlington Transistor

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2026-10-05 SEMTECH ST 数据手册 英文

PNP硅外延平面达林顿晶体管。用于高增益放大。

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产品型号
品类
PD(W)
VCBO(V)
HFE_Min
fT Typ(MHZ)
Polarity
VCEO(V)
IC (A)
Vcesat (mV)
封装
MPSA92U
小信号三极管
0.5
300
25
50
PNP
300
0.5
500
SOT-89
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选型表  -  SEMTECH ST 先之科提供IGBT选型:VCES覆盖650V~1200V,IC范围12A~320A,采用TO-220F/TO-220F-3/TO-220FB-3/TO-247/TO-247-3/TO-247-4等14种封装。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的大电流承载能力,具有低导通压降、高开关速度、高可靠性等特点。VCES覆盖650V至1200V,集电极电流IC(Tc=25°C)为12A至320A,饱和压降VCEsat(VGE=15V)为1.53V至1.6V,导通损耗极低;栅源阈值电压VGE(th)为4V至7.5V,兼容主流栅极驱动。广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、新能源发电(光伏/风电)逆变器、电动汽车驱动、轨道交通牵引、智能电网SVG/APF、焊接设备、感应加热等大功率电力电子领域。

产品型号
品类
封装
TSC(us)
VCES (V)
IC (A)Tc= 25°C
IC (A)Tc= 100°C
ICM (A) @Tc= 25°C
VGE(th) (V)Min
VGE(th) (V)Max
VCEsat(V)Typ@VGE=15V
Eon (mJ)Typ
Eoff(mJ) Typ
SGR06T65TAAD
IGBT
TO-252
5
650
12
6
18
5.5
7.5
1.56
0.08
0.11
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