PCW120N40M1 N-Channel eSiC Silicon Carbide Power MOSFET

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2026-10-07 POWERMASTER 数据手册 英文

N沟道eSiC碳化硅功率MOSFET。具有低栅极电荷的高速开关特性。快速本征二极管,反向恢复时间短。稳健的雪崩能力。100%雪崩测试。无铅、无卤且符合RoHS标准。

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1200V 第一代 eSiC MOSFET 选型指南 2024

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PCZ65N39M1B N沟道eSiC碳化硅功率MOSFET

2026/09/28  - 数据手册

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PCD65N325M1 N沟道eSiC碳化硅功率MOSFET

2026-7-10  - 数据手册

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PCW65N27M1 N沟道eSiC碳化硅功率MOSFET

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POWERMASTER  -  N-CHANNEL ESIC SILICON CARBIDE POWER MOSFET,N沟道ESIC碳化硅功率MOSFET,PCW65N27M1,服务器与电信电源,太阳能逆变器 / ESS / UPS,工业电源,INDUSTRIAL POWER SUPPLY,SERVER & TELECOM POWER,SOLAR INVERTER / ESS / UPS,EV充电站,EV CHARGING STATION

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PCZN170N34M1 N沟道eSiC碳化硅功率MOSFET

2026/09/28  - 数据手册

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PCZ65N22M1B N沟道eSiC碳化硅功率MOSFET

2026/09/28  - 数据手册

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PCW65N22M1B N沟道eSiC碳化硅功率MOSFET

2026/09/28  - 数据手册

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PCZ65N27M1 N沟道eSiC碳化硅功率MOSFET

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PCZ120N21M2 N沟道eSiC碳化硅功率MOSFET

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PCZ65N27M1B N沟道eSiC碳化硅功率MOSFET

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PCD65N245M1 N沟道eSiC碳化硅功率MOSFET

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WG碳化硅MOS管选型表

选型表  -  WG WG(威谷)提供碳化硅MOS管(SiC MOSFET)的选型。该系列产品具备650V-3300V的BVDSS耐压与9A-108A的ID电流规格。其核心优势参数包括:VTH范围2.0V-4.5V,VGS Max涵盖-10/+22V与-10/+25V,RDS(ON)@VGS=10V低至0.011Ω-0.8Ω。产品具有低导通电阻与高频高效特性,提供TO-247-4L、TO-247、TO-252、TO-220F及TO-263等丰富封装。可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、储能系统及工业开关电源等高效率功率转换场景。

产品型号
品类
ID(A)
BVDSS(V)
VTH Min(V)
VTH Max(V)
VGS Max(V)
RDS(ON)@VGS=10V TYP(Ω)
RDS(ON)@VGS=10V MAX(Ω)
Package
SICMA75R014GL-4L
碳化硅MOS管
108A
750V
2.2V
4.2V
-10/+22V
0.011Ω
0.014Ω
TO-247-4L
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