IRG4BC30KD-SPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT

知识图谱

发布时间： 2018-08-02 品牌： IR HiRel 资料类型：数据手册语言：英文

●特征
■针对电机控制优化的高短路额定值，tsc=10μs，@360V VCE（启动），TJ=125℃，VGE=15V
■将低导通损耗与高开关速度相结合
■比前几代更严格的参数分布和更高的效率
■IGBT与HEXFRED共同封装™ 超快、超软恢复反并联二极管
■无铅
●好处
■最新一代4 IGBT可提供最高功率密度的电机控制
■海克斯快恢复二极管™ 针对IGBT的性能进行优化的二极管。最小化的恢复特性可降低噪声、EMI和开关损耗
■该部件取代了IRGBC30KD2-S和IRGBC30MD2-S产品
■有关提示，请参阅设计提示97003

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带超快软恢复二极管的IRGS4064DPbF绝缘栅双极晶体管

02/16/12 - 数据手册该资料详细介绍了IRGS4064DPbF型快速恢复二极管的特性、电气参数、开关特性以及应用电路。该二极管采用低VCE(on) trench IGBT技术，具有低开关损耗、高效率、适用于宽范围开关频率、优异的并联电流共享性能和低EMI等特点。

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带超快软恢复二极管的IRG4BC20KD SPbF绝缘栅双极晶体管2额定短路超快IGBT

8/11/04 - 数据手册本资料详细介绍了某型号的功率MOSFET器件，包括其电气特性、热特性、封装尺寸、封装信息等。资料中提供了器件的开关损耗、电流、电压、电容等关键参数，并展示了器件在不同工作条件下的性能表现。

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带超快软恢复二极管的IRGS4045DPbF绝缘栅双极晶体管

October 10, 2010 - 数据手册该资料详细介绍了IRGS4045DPbF型n沟道IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的特性、参数和应用。资料涵盖了产品的电气特性、开关特性、热阻、封装尺寸、绝对最大额定值、电气特性曲线以及应用电路图等信息。

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带超快软恢复二极管的IRG4BC10SD SPbF IRG4BC10SD LPbF绝缘栅双极晶体管

08/27/04 - 数据手册该资料介绍了IRG4BC10SD-S/LPbF绝缘栅双极型晶体管（IGBT）及其相关特性。该产品具有极低的电压降、优化的功率损耗和快速软恢复二极管，适用于逆变器驱动和Brushless DC驱动等应用。

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IRG4BC30KDPbF绝缘栅双极晶体管带超快软恢复二极管短路额定超快IGBT

02/08/10 - 数据手册本资料详细介绍了某款功率MOSFET器件的技术规格和应用信息，包括其电气特性、热特性、封装类型、安全工作区等关键参数，适用于各种高电压、高电流应用场景。

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带超快软恢复二极管短路额定超快IGBT的IRG4BC100KDPBF绝缘栅双极晶体管

12/23/03 - 数据手册本资料介绍了IRG4BC10KDPbF绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的特性。该产品具有高短路额定值，适用于电机控制，结合了低导通损耗和高开关速度。它采用无铅封装，与HEXFRED超快、超软恢复反并联二极管共封装，提供更高的功率密度和效率。

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带超快软恢复二极管短路额定超快IGBT的IRG4PH40KDPbF绝缘栅双极晶体管

6/17/04 - 数据手册本资料主要介绍了IRFPE30这款国际标准的无铅整流器产品。资料中包含了产品型号、组装信息、日期代码、组装线位置标识以及公司联系信息。

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带超快软恢复二极管短路额定超快IGBT的IRG4IBC30KDPbF绝缘栅双极晶体管

06/11/2010 - 数据手册本资料详细介绍了某型号的功率MOSFET器件，包括其电气特性、热特性、开关特性、封装尺寸和标记信息。资料提供了器件在不同工作条件下的电流、电压、功耗等参数，以及器件在不同温度下的性能表现。

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IRG4PSC71KDPbF绝缘栅双极晶体管带超快软恢复二极管短路额定超快IGBT

09/15/04 - 数据手册该资料主要介绍了国际整流器公司（International Rectifier）的一款产品IRFPS37N50A的型号、封装尺寸、标记信息以及公司联系方式。

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IRG4PSH71KDPbF绝缘栅双极晶体管带超快软恢复二极管短路额定超快IGBT

09/20/04 - 数据手册本资料主要介绍了国际整流器公司（International Rectifier）的一款产品——IRFPS37N50A，包括其封装尺寸、标识信息、生产日期和公司联系方式等。

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IRG4IBC20KDPbF绝缘栅双极晶体管带超快软恢复二极管短路额定超快IGBT

01/28/2010 - 数据手册本资料详细介绍了IRF公司的一款TO-220AB Full-Pak封装的MOSFET产品。资料中包含了产品的电气特性、热特性、开关损耗、封装尺寸、应用电路以及测试数据等信息。

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带超快软恢复二极管短路额定超快IGBT的IRG4PH30KDPbF绝缘栅双极晶体管

6/17/04 - 数据手册该资料提供了关于IRFPE30元器件的详细信息，包括产品编号、组装日期、组装线位置、无铅标识以及公司联系信息。

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HYPERSEMI IGBT Module选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供IGBT模块选型，涵盖半桥、PIM、SixPack、INPC等多种拓扑结构。封装包括34MM、62MM、EconoDUAL3、EconoPIM2/3、Easy2B、HP1-DC6i、HPD等工业标准封装。集电极-发射极电压650V-1700V，集电极电流50A-950A，饱和压降1.4V-2.5V。适用于电机驱动、电源转换、逆变器等需要高效开关与高可靠性的应用场景。

产品型号	品类	Topology	Package	VCES	IC	VCE(sat)	VF
HGF75MA65X100	IGBT Module	Half-Bridge	34MM	650V	75A	2V	1.2V

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

HYPERSEMI Trench Field-stop IGBT Discrete选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供沟槽场截止型IGBT分立器件选型。产品涵盖650V、1200V、1350V耐压等级，额定电流6A-180A。封装包括TO-220、TO-220F、TO-247-3L、TO-247PLUS-3L/4L、TO-252、TO-263、TO-3PN。饱和压降1.5V-2.3V，正向导通压降1.4V-2.87V。适用于电机驱动、电源转换、逆变器等需要高效开关与高可靠性的应用场景。

产品型号	品类	Package	VCES	IC	VCE	VF
HG15T65TX100	Trench Field-stop IGBT Discrete	TO-220	650V	15A	1.5V	1.65V

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

明芯新材料纳米硅隔热棉、红外散热绝缘膜、导热硅胶垫选型表

选型表 - 明芯新材料明芯新材料提供纳米硅隔热棉、红外散热绝缘膜、导热硅胶垫三类热管理材料选型。基材包含多孔泡棉、玛拉胶带、导热硅胶，厚度覆盖0.05mm~2mm，基材厚度与整体厚度一致，无复合覆层。颜色可选乳白色、黄色、多色；纳米硅隔热棉主流为乳白色，导热硅胶垫支持多色外观。产品适配电子设备隔热、红外绝缘、界面导热场景，可依据厚度、基材、外观颜色快速筛选，满足多样化热管理设计需求。