WE-LQS SMD Power Inductor 74404084102
●E一般信息:
■建议在最坏的操作条件下,零件温度不超过125°C。
■环境温度:-40°C至+85°C(参考IR)
■工作温度:-40°C至+125°C
■存储温度(磁带和卷盘上):-20°C至+60°C;最大相对湿度75%。
■电性能试验条件:20°C,33%相对湿度(如果未另行规定)
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|
产品型号
|
品类
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封装
|
工艺
|
沟道
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Vos_Max(V)
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DMax(A)
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Ves(t)Typ(V)
|
Ves_Max(V)
|
C iss_Typ(pF)
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Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)
|
Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
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OCT2N10TS
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中低压MOS
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SOT-23
|
Trench
|
N
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100
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2.0
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1.5
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±20
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321
|
220
|
250
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KINCARRY(晶凯瑞)中大功率肖特基二极管选型表
选型表 - KINCARRY KINCARRY提供中大功率肖特基二极管选型,反向耐压VR 20V-200V,正向电流IO 1A-20A,浪涌电流IFSM 30A-300A,正向压降VF 0.4V-0.95V,反向漏电流IR 30μA-1000μA。封装覆盖SOD-123FL、DO-27、TO-277....适配开关电源、DC-DC转换、光伏逆变、汽车电子、高频整流及续流保护等中大功率应用场景。
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产品型号
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品类
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封装
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VR(V)
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IO(A)
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IFSM(A)
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VF(V)
|
VF(V)@IF(A)
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IR(µA)
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IR(µA)@VR(V)
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SB1045L
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中大功率肖特基二极管
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TO-277
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45
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10
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280
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0.45
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10
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300
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45
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FMIC SIC MOSFET选型表
选型表 - FMIC FMIC方正微电子提供SiC MOSFET、SiC肖特基二极管及功率模块的选型。产品涵盖1200V耐压等级,SiC MOSFET导通电阻13mΩ-85mΩ,二极管正向电流10A-40A,功率模块电流支持63A-210A。封装包含TO247-2/3/4/4NL/7、EASY2B、DIP32等。产品分为车规级(符合AEC-Q101标准)和工业级,适用于汽车电子及工业控制领域。
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产品型号
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品类
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封装
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耐压(V)
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Rds(on)mΩ
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应用等级
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认证标准
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FM120D013CA
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SiC MOSFET功率半导体
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TO247-4
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1200V
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13mΩ
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车规级
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AEC-Q101
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电子商城
服务市场
30年电声经验,支持电磁/压电/SMD蜂鸣器及扬声器定制,电压、频率、声压等参数按需调整,车规级品质适配严苛工况。
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