WE-LQS SMD Power Inductor 74404084102

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2018-08-04 WURTH ELEKTRONIK 数据手册 英文


●E一般信息:

■建议在最坏的操作条件下,零件温度不超过125°C。

■环境温度:-40°C至+85°C(参考IR)
■工作温度:-40°C至+125°C
■存储温度(磁带和卷盘上):-20°C至+60°C;最大相对湿度75%。

■电性能试验条件:20°C,33%相对湿度(如果未另行规定)

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产品型号
品类
封装
工艺
沟道
Vos_Max(V)
DMax(A)
Ves(t)Typ(V)
Ves_Max(V)
C iss_Typ(pF)
Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)
Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
OCT2N10TS
中低压MOS
SOT-23
Trench
N
100
2.0
1.5
±20
321
220
250
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KINCARRY(晶凯瑞)中大功率肖特基二极管选型表

选型表  -  KINCARRY KINCARRY提供中大功率肖特基二极管选型,反向耐压VR 20V-200V,正向电流IO 1A-20A,浪涌电流IFSM 30A-300A,正向压降VF 0.4V-0.95V,反向漏电流IR 30μA-1000μA。封装覆盖SOD-123FL、DO-27、TO-277....适配开关电源、DC-DC转换、光伏逆变、汽车电子、高频整流及续流保护等中大功率应用场景。

产品型号
品类
封装
VR(V)
IO(A)
IFSM(A)
VF(V)
VF(V)@IF(A)
IR(µA)
IR(µA)@VR(V)
SB1045L
中大功率肖特基二极管
TO-277
45
10
280
0.45
10
300
45
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FMIC SIC MOSFET选型表

选型表  -  FMIC FMIC方正微电子提供SiC MOSFET、SiC肖特基二极管及功率模块的选型。产品涵盖1200V耐压等级,SiC MOSFET导通电阻13mΩ-85mΩ,二极管正向电流10A-40A,功率模块电流支持63A-210A。封装包含TO247-2/3/4/4NL/7、EASY2B、DIP32等。产品分为车规级(符合AEC-Q101标准)和工业级,适用于汽车电子及工业控制领域。

产品型号
品类
封装
耐压(V)
Rds(on)mΩ
应用等级
认证标准
FM120D013CA
SiC MOSFET功率半导体
TO247-4
1200V
13mΩ
车规级
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