WE-LHMI SMD Power Inductor 74437356100
●E一般信息：
■建议在最坏的操作条件下，零件温度不超过125°C。
■环境温度：-40°C至+85°C（参考IR）
■工作温度：-40°C至+125°C
■存储温度（磁带和卷盘上）：-20°C至+40°C；最大相对湿度75%。
■电性能试验条件：20°C，33%相对湿度（如果未另行规定）
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选型表 - KINCARRY KINCARRY提供中大功率肖特基二极管选型，反向耐压VR 20V-200V，正向电流IO 1A-20A，浪涌电流IFSM 30A-300A，正向压降VF 0.4V-0.95V，反向漏电流IR 30μA-1000μA。封装覆盖SOD-123FL、DO-27、TO-277....适配开关电源、DC-DC转换、光伏逆变、汽车电子、高频整流及续流保护等中大功率应用场景。
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产品型号
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品类
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封装
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VR(V)
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IO(A)
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IFSM(A)
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VF(V)
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VF(V)@IF(A)
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IR(µA)
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IR(µA)@VR(V)
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SB1045L
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中大功率肖特基二极管
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TO-277
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45
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10
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280
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0.45
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10
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300
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FMIC SIC MOSFET选型表
选型表 - FMIC FMIC方正微电子提供SiC MOSFET、SiC肖特基二极管及功率模块的选型。产品涵盖1200V耐压等级，SiC MOSFET导通电阻13mΩ-85mΩ，二极管正向电流10A-40A，功率模块电流支持63A-210A。封装包含TO247-2/3/4/4NL/7、EASY2B、DIP32等。产品分为车规级（符合AEC-Q101标准）和工业级，适用于汽车电子及工业控制领域。
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产品型号
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品类
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封装
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耐压（V)
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Rds(on)mΩ
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应用等级
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认证标准
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FM120D013CA
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SiC MOSFET功率半导体
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TO247-4
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1200V
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13mΩ
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车规级
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AEC-Q101
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晶新功率晶体管芯片选型表
选型表 - 晶新 晶新提供如下功率晶体管芯片选型，中大功率BJT裸片是一套2~15A全电流、20~350V超宽耐压的线性/驱动功率三极管芯粒矩阵，分为通用中小功率、标准宽压、超大电流功放、高压特种四大系列，配套完整NPN/PNP配对型号。产品线区50~150MHz高频线性放大工艺与10~15MHz低频大电流驱动工艺，裸片尺寸0.86~5.0mm梯度全覆盖，兼容各类直插、贴片功率封装
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产品型号
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品类
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BVᴄᴇᴏ(V)
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BVᴄʙᴏ(V)
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BVᴇʙᴏ(V)
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hғᴇ min
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hғᴇ max
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Vᴄᴇ(sat)(V)
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fᴛ(MHz)
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Die Size(mm×mm)
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Wafer Size
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Iᴄ(A)
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CJZM718
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功率晶体管芯片
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-25
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-25
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-7.5
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300
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600
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-0.35
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150
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0.86×0.86
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4"
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电子商城
服务市场
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现货市场
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授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
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授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
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