WE-TPC SMD Shielded Tiny Power Inductor 744031002
●一般属性:
■建议在最坏情况下,部件温度不超过+125°C
■环境温度(参考IR):-40°C至+95°C
■工作温度:-40°C至+125°C
■储存温度(原包装):-20°C至+40°C,最大相对湿度75%。
■电性能试验条件:+20°C,相对湿度33%(若未另行规定)
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WURTH ELEKTRONIK - SMD屏蔽式微功率电感器,SMD SHIELDED TINY POWER INDUCTOR,744 066 150,744 065 004 7,744 065 008 2,744 066 330,744 066 470,744 066 151,744 065 006 8,744 066 331,744 062 150,744 065 150,744 065 002 2,WE-TPC,744 065 001 5,744 065 003 3,744 062 007,744 062 005,744 062 006,744 066 220,744 066 680,744 062 001 5,744 066 100,744 066 221,744 066 101,744 062 003,744 062 001,744 066 005,744 062 100,744 062 002,744 065 220,744 066 002 2,744 065 001,744 065 100,744 066 001 5,744 062 180,744 066 003 5,744 066 006 2
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晶新功率晶体管芯片选型表
选型表 - 晶新 晶新提供如下功率晶体管芯片选型,中大功率BJT裸片是一套2~15A全电流、20~350V超宽耐压的线性/驱动功率三极管芯粒矩阵,分为通用中小功率、标准宽压、超大电流功放、高压特种四大系列,配套完整NPN/PNP配对型号。产品线区50~150MHz高频线性放大工艺与10~15MHz低频大电流驱动工艺,裸片尺寸0.86~5.0mm梯度全覆盖,兼容各类直插、贴片功率封装
|
产品型号
|
品类
|
BVᴄᴇᴏ(V)
|
BVᴄʙᴏ(V)
|
BVᴇʙᴏ(V)
|
hғᴇ min
|
hғᴇ max
|
Vᴄᴇ(sat)(V)
|
fᴛ(MHz)
|
Die Size(mm×mm)
|
Wafer Size
|
Iᴄ(A)
|
|
CJZM718
|
功率晶体管芯片
|
-25
|
-25
|
-7.5
|
300
|
600
|
-0.35
|
150
|
0.86×0.86
|
4"
|
-2.5
|
晶新大功率肖特基二极管芯片选型表
选型表 - 晶新 晶新提供如下大功率肖特基二极管芯片选型,大功率肖特基二极管裸片是一套多耐压、多电流、多性能取向的整流芯粒完整矩阵,采用5/6英寸双硅晶圆工艺平台,提供20~200V反向耐压、0.75A~5A正向电流全覆盖规格;通YY/MCC/SCC/NHC/ALX/CC多后缀区分,超低VF、低漏电、高温大电流、小尺寸等细分性能方案,搭配0.61~2.6mm梯度裸片尺寸,适用于消费快充、锂电保护、车载电源
|
产品型号
|
品类
|
Vʀ(V)
|
Vғ(V)
|
Iʀ(µA)
|
Iғ(A)
|
Tj(℃)
|
Die Size(mm×mm)
|
Wafer Size
|
|
S24N40AYY
|
大功率肖特基二极管芯片
|
40
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0.6
|
1000
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0.75
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125
|
0.61×0.61
|
5"
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蓝沛科技功率电感选型表
选型表 - 蓝沛科技 蓝沛科技提供功率电感选型,采用薄膜光刻技术与金属合金复合材料,具备高耐久性、可靠性及优异的温度饱和特性。额定电压均为20V~80V,DCR最大范围3.1mΩ~1080mΩ,饱和电流(Isat)范围0.75A~23.6A,温升电流(Irms)范围0.6A~18.7A。产品适用于智能手机,智能穿戴,显示屏,存储器,笔记本电脑,服务器,汽车零部件,光模块,机器人等场景。
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产品型号
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品类
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DCR/mΩ(Typ)
|
DCR/mΩ
(Max)
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Isat/A
(Typ)
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Isat/A
(Max)
|
Irms/A
(Typ)
|
Irms/A
(Max)
|
Rated Voltage/V
|
|
LMSC1005055R47MTA
|
功率电感
|
120mΩ
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140mΩ
|
1.7A
|
1.5A
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1.3A
|
1.2A
|
20V
|
电子商城
服务市场
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