WE-TPC SMD Shielded Tiny Power Inductor 744031002

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2018-08-08 WURTH ELEKTRONIK 数据手册 英文


●一般属性:

■建议在最坏情况下,部件温度不超过+125°C
■环境温度(参考IR):-40°C至+95°C
■工作温度:-40°C至+125°C
■储存温度(原包装):-20°C至+40°C,最大相对湿度75%。

■电性能试验条件:+20°C,相对湿度33%(若未另行规定)

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产品型号
品类
BVᴄᴇᴏ(V)
BVᴄʙᴏ(V)
BVᴇʙᴏ(V)
hғᴇ min
hғᴇ max
Vᴄᴇ(sat)(V)
fᴛ(MHz)
Die Size(mm×mm)
Wafer Size
Iᴄ(A)
CJZM718
功率晶体管芯片
-25
-25
-7.5
300
600
-0.35
150
0.86×0.86
4"
-2.5
立即选型
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晶新大功率肖特基二极管芯片选型表

选型表  -  晶新 晶新提供如下大功率肖特基二极管芯片选型,大功率肖特基二极管裸片是一套多耐压、多电流、多性能取向的整流芯粒完整矩阵,采用5/6英寸双硅晶圆工艺平台,提供20~200V反向耐压、0.75A~5A正向电流全覆盖规格;通YY/MCC/SCC/NHC/ALX/CC多后缀区分,超低VF、低漏电、高温大电流、小尺寸等细分性能方案,搭配0.61~2.6mm梯度裸片尺寸,适用于消费快充、锂电保护、车载电源

产品型号
品类
Vʀ(V)
Vғ(V)
Iʀ(µA)
Iғ(A)
Tj(℃)
Die Size(mm×mm)
Wafer Size
S24N40AYY
大功率肖特基二极管芯片
40
0.6
1000
0.75
125
0.61×0.61
5"
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蓝沛科技功率电感选型表

选型表  -  蓝沛科技 蓝沛科技提供功率电感选型,采用薄膜光刻技术与金属合金复合材料,具备高耐久性、可靠性及优异的温度饱和特性。额定电压均为20V~80V,DCR最大范围3.1mΩ~1080mΩ,饱和电流(Isat)范围0.75A~23.6A,温升电流(Irms)范围0.6A~18.7A。产品适用于智能手机,智能穿戴,显示屏,存储器,笔记本电脑,服务器,汽车零部件,光模块,机器人等场景。

产品型号
品类
DCR/mΩ(Typ)
DCR/mΩ (Max)
Isat/A (Typ)
Isat/A (Max)
Irms/A (Typ)
Irms/A (Max)
Rated Voltage/V
LMSC1005055R47MTA
功率电感
120mΩ
140mΩ
1.7A
1.5A
1.3A
1.2A
20V
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