WE-TPC SMD Shielded Tiny Power Inductor 744071047
●一般属性：
■建议在最坏情况下，部件温度不超过+125°C
■环境温度（参考IR）：-40°C至+85°C
■工作温度：-40°C至+125°C
■储存温度（原包装）：-20°C至+40°C，最大相对湿度75%。
■电性能试验条件：+20°C，相对湿度33%（若未另行规定）
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产品型号
|
品类
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封装
|
VR(V)
|
IO(A)
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IFSM(A)
|
VF(V)
|
VF(V)@IF(A)
|
IR(µA)
|
IR(µA)@VR(V)
|
|
SB1045L
|
中大功率肖特基二极管
|
TO-277
|
45
|
10
|
280
|
0.45
|
10
|
300
|
45
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FMIC SIC MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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封装
|
耐压（V)
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Rds(on)mΩ
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应用等级
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认证标准
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FM120D013CA
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SiC MOSFET功率半导体
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TO247-4
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1200V
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13mΩ
|
车规级
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AEC-Q101
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晶新功率晶体管芯片选型表
选型表 - 晶新 晶新提供如下功率晶体管芯片选型，中大功率BJT裸片是一套2~15A全电流、20~350V超宽耐压的线性/驱动功率三极管芯粒矩阵，分为通用中小功率、标准宽压、超大电流功放、高压特种四大系列，配套完整NPN/PNP配对型号。产品线区50~150MHz高频线性放大工艺与10~15MHz低频大电流驱动工艺，裸片尺寸0.86~5.0mm梯度全覆盖，兼容各类直插、贴片功率封装
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产品型号
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品类
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BVᴄᴇᴏ(V)
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BVᴄʙᴏ(V)
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BVᴇʙᴏ(V)
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hғᴇ min
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hғᴇ max
|
Vᴄᴇ(sat)(V)
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fᴛ(MHz)
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Die Size(mm×mm)
|
Wafer Size
|
Iᴄ(A)
|
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CJZM718
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功率晶体管芯片
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-25
|
-25
|
-7.5
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300
|
600
|
-0.35
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150
|
0.86×0.86
|
4"
|
-2.5
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