CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor CHDTC114TKGP
●特征
■小型表面安装型。(SOT-23)
■高电流增益。
■适用于高堆积密度。
■低共振器发射极饱和。
■高饱和电流能力。
■一个封装中的内部隔离NPN晶体管。
■内置偏置电阻器(R1=10kΩ, 典型)
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|
产品型号
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品类
|
Max. Allowable Voltage DC(V)
|
Max. Allowable Voltage Acrms(V)
|
Varistor Voltage V1mA(V)
|
Max. Clamping Voltage VC(V)
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Max. Clamping Voltage IP(A)
|
Max. Peak Current (8/20µs) IPP(A)
|
Maximum Energy 10/1000µs(J)
|
Typical Capacitance @1MHz(pF)
|
Size
|
|
VESD3R3DG
|
Surface Mount Varistor
|
3.3
|
2
|
4.0-6.0
|
14
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1
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40
|
0.1
|
2000
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805
|
晶新小信号晶体管芯片选型表
选型表 - 晶新 晶新提供如下小信号晶体管芯片选型,小信号BJT裸片是一套100mA~4A全电流、12~400V超宽耐压的通用信号开关/放大三极管芯粒矩阵,分为9000微型逻辑、8050中功率负载、高压工业信号、特种低饱和四大子系列,配套完整NPN/PNP配对型号。产品线区分100~600MHz高频高速、50~150MHz中低频驱动工艺,裸片尺寸0.26~0.89mm梯度细分,兼容全部贴片、直插小信号封装;常规低压型号面向消费数码、小家电,高压特种型号覆盖工业控制、高压隔离回路
|
产品型号
|
品类
|
Iᴄ(mA)
|
BVᴄᴇᴏ(V)
|
BVᴄʙᴏ(V)
|
BVᴇʙᴏ(V)
|
hғᴇ min
|
hғᴇ max
|
Vᴄᴇ(sat)(V)
|
fᴛ(MHz)
|
Die Size(mm×mm)
|
Wafer Size
|
|
9014SSS
|
小信号晶体管芯片
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100
|
50
|
80
|
8
|
60
|
700
|
0.3
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150
|
0.26×0.26
|
5",6"
|
晶新功率晶体管芯片选型表
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产品型号
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品类
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BVᴄᴇᴏ(V)
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BVᴄʙᴏ(V)
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BVᴇʙᴏ(V)
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hғᴇ min
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hғᴇ max
|
Vᴄᴇ(sat)(V)
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fᴛ(MHz)
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Die Size(mm×mm)
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Wafer Size
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Iᴄ(A)
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CJZM718
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功率晶体管芯片
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-25
|
-25
|
-7.5
|
300
|
600
|
-0.35
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150
|
0.86×0.86
|
4"
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-2.5
|
电子商城
现货市场
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