OED-ST-15-TR

知识图谱

发布时间： 2018-09-04 品牌： ITW LUMEX 资料类型：数据手册语言：英文

●25°C下的安全工作极限：
■C/E击穿电压：30V
■E/C击穿电压：7V
■功耗：75 MW
■工作温度：-20至+70°C
■存储温度：-30至+80°C
■焊接温度：+260°C
■2.0mm（距离机身）：3秒麦克斯

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东微半导体 IGBT选型表

选型表 - 东微半导体东微半导体提供600V-1400V电压等级IGBT选型，电流覆盖10A-200A（TC=100°C），阈值电压Vge(th)典型值1.45V-6.2V，栅极电荷Qg范围43nC-4809nC，Qgc范围10nC-237nC。产品适用于电机驱动、光伏逆变器、UPS电源及高频功率转换等应用场景，提供不同电流规格和开关性能组合，便于根据系统功率和驱动要求灵活选型。

产品型号	品类	BV	Ic TC=100℃	Vge(th) Typ	Qg	Qgc
OST25N140HSNF	IGBT	1400V	25A	5.5V	99nC	22nC

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2021/8/16 - 选型指南本资料为SMD光电晶体管选择指南，介绍了多种型号的光电晶体管，包括PT26-21B/TR8、PT12-21C/TR8、PT12-21B/TR8等，并提供了其关键参数，如波长、尺寸、饱和电压、暗电流等。此外，还介绍了芯片LED、带透镜的芯片等产品的特性及应用领域，如仪器、红外通信、光学开关等。

PLUS OPTO - SMD PHOTOTRANSISTOR,贴片式光电晶体管,PT26-21B/TR8,EAPST1608A0,LG150PT-CT,PT12-21B/TR8,PT12-21C/TR8,EAPSV3026A0,光开关,仪表,INSTRUMENTATION,IR COMMUNICATION,OPTICAL SWITCH,红外通信

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选型表 - TWTLSEMI TWTLSEMI腾领提供数字晶体管的选型。产品涵盖PNP与NPN极性，输出电流-100mA-100mA，电源电压50V-60V。内置电阻R1典型值1KΩ-47KΩ，R2/R1比值0.47-21，导通输出电压0.1V-0.3V。封装包含SOT-23、SOT-523、SOT-723，适用于简化外围电路设计的开关应用。