E Series Power MOSFET Data Sheet

知识图谱
2018-11-08 VISHAY 数据手册 英文


■特性
●低品质因数(FOM)R-ON X Q-G
●低输入电容(C-ISS)
●降低开关和导通损耗
●超低栅极电荷(Q-G)
●额定雪崩能量(UIs)

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SEMTECH ST达林顿三极管选型表

选型表  -  SEMTECH ST 先之科提供达林顿三极管选型:涵盖NPN和PNP两种极性配置。达林顿管由两只三极管复合连接,具有极高的电流放大倍数,可用微小的基极电流控制较大的集电极电流,广泛应用于功率放大、开关驱动、电机驱动、继电器驱动、LED驱动及各类需要高增益电流放大的场合。产品提供6种封装形式,从小信号放大到大功率开关均有覆盖。该系列达林顿管电流放大倍数高达140000,可用极小的控制电流驱动大功率负载,简化驱动电路设计。集电极电流能力最高10A,配合2.3W的功耗能力,可满足中等功率开关和放大需求。饱和压降低至2V以内,降低了导通损耗。特征频率最高220MHz,适用于中高频开关应用。NPN/PNP双极性覆盖,方便推挽和桥式驱动电路设计。

产品型号
品类
封装
Polarity
PD(W)
VCBO(V)
VCEO(V)
IC (A)
HFE_Min
HFE_Max
Vcesat(V)
fT(MHZ)
FCX605U
达林顿三极管
SOT-89
NPN 
1
140
120
1
2000
100000
1
150
立即选型
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SEMTECH ST碳化硅肖特基二极管选型表

选型表  -  SEMTECH ST 先之科提供碳化硅肖特基二极管选型:碳化硅材料具有超宽的禁带宽度、极高的临界击穿电场和优异的热导率,使SiC肖特基二极管在高压、高温、高频应用中展现出远超传统硅器件的性能优势。产品提供5种功率封装形式TO-252、TO-247-3、TO-220FB-2、TO-220F-2、TO-247-2,适用于工业级功率应用。该系列SiC肖特基二极管反向耐压高达1200V,可在高温(最高175°C以上)环境下稳定工作,大幅降低散热系统复杂度。零反向恢复电荷(或极小)的特性使其开关损耗极低,特别适合高频开关电源(>100kHz)、光伏逆变器、电动汽车OBC/DC-DC、工业PFC及5G基站电源等高端应用场景。正向压降1.4V~1.7V,在高压大电流应用中仍保持优异的导通效率。

产品型号
品类
封装
VRRM(V)
IF(A)
VF(V) Max
IR(mA)
IFSM(A)
SBR10J120A2Z
碳化硅肖特基二极管
TO-252
1200
30
1.65
0.1
90
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SEMTECH ST中低压功率MOS管选型表

选型表  -  SEMTECH ST 先之科中低压功率MOS管提供选型:产品涵盖N沟道、P沟道以及双管型号,提供包括DFN3030、DFN5060、TO-220FB、TO-247-3、TOLL等14种先进封装形式,适用于电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子及工业控制等广泛领域。该系列MOS管提供全电压段覆盖,从低压12V到高压200V,满足各类电源拓扑的耐压需求。导通电阻低至0.7mΩ,配合大电流能力514A,可实现高效率的功率开关。栅源阈值电压低至0.3V,兼容3.3V/5V逻辑电平驱动,便于直接与MCU或驱动器接口。

产品型号
品类
封装
Polarity
ESD Protection
VDS (V)
ID max (A)Tc= 25°C
VGS(th) (V)Min
VGS(th) (V)Max
RDSon(mΩ) at 4.5V/Typ
RDSon(mΩ) at 4.5V/Max
Qg Typ (nC)
STM3038N02UA1SK
中低压功率MOS管
DFN3030
N
Y
12
87
0.3
1
2.9
3.8
79
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