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SiHP17N80E Vishay Siliconix E系列功率MOSFET
12-Jun-17 - 数据手册
VISHAY - POWER MOSFET,功率 MOSFET,SIHP17N80E-GE3,SIHP17N80E,HIGH-INTENSITY DISCHARGE,WELDING,INDUSTRIAL,电信电源,照明,PFC,INDUCTION HEATING,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,焊接,光伏变流器,LIGHTING,功率因数校正电源,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,工业,SERVER POWER SUPPLIES,BATTERY CHARGERS,MOTOR DRIVES,服务器电源,HID,电机驱动,SOLAR,开关模式电源,隐藏,POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES,荧光灯镇流器照明,感应加热,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,全氟化碳,PV INVERTERS,蓄电池充电器,高强度放电,太阳的,SMPS,模式电源开关,TELECOM POWER SUPPLIES
查看更多版本Power MOSFE Ts TrenchFET®和E系列
2018/02/05 - 技术文档 该资料介绍了多种类型的功率MOSFET,包括TrenchFET®和E系列。这些MOSFET具有广泛的 breakdown 电压(从-200V到800V),适用于商业、汽车和医疗产品。资料还展示了不同封装类型,如PowerPAK、MICRO FOOT®、SC-75/SC-89、SOT-23、TSOP-6等,并提供了相应的应用场景和电路设计建议。
VISHAY - E SERIES
E系列功率MOSFET SiHP17N80E
12-Jun-17 - 数据手册 Vishay Siliconix推出的SiHP17N80E是一款N沟道MOSFET,适用于各种电源应用。该产品具有低导通电阻、低栅极电荷和低开关损耗等特性,适用于服务器和电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明、工业焊接、感应加热、电机驱动和电池充电等领域。
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SiHP23N60E Vishay Siliconix E系列功率MOSFET
23-Feb-15 - 数据手册 本资料介绍了Vishay Siliconix的SiHP23N60E功率MOSFET产品,包括其特性、应用领域和订购信息。该产品适用于服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、照明和工业应用,如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源和太阳能。
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SiHP6N65E Vishay Siliconix E系列功率MOSFET
16-Mar-15 - 数据手册 该资料介绍了Vishay Siliconix的SiHP6N65E E系列功率MOSFET。该产品具有低导通电阻、低栅极电荷和低开关损耗等特点,适用于服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、照明、工业应用等领域。
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E系列功率MOSFET数据表
20-Nov-17 - 数据手册
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查看更多版本SiHP25N50E Vishay Siliconix E系列功率MOSFET
23-Feb-15 - 数据手册 该资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiHP25N50E型号的E系列功率MOSFET。该产品具有低导通电阻、低输入电容、低开关和导通损耗等特性,适用于硬开关拓扑、功率因数校正电源、开关模式电源、计算设备、照明等领域。
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查看更多版本SPICE器件型号SiHP6N80E Vishay Siliconix E系列功率MOSFETE系列功率MOSFETE
27-Nov-17 - 数据手册 本资料提供Vishay Siliconix的SiHP6N80E n沟道垂直DMOS的SPICE模型,描述了其典型电气特性。模型在25°C至150°C的温度范围内,脉冲0V至15V栅极驱动下优化提取。模型使用新颖的栅极至漏极反馈电容网络来模拟栅极电荷特性,所有模型参数值均优化以提供最佳拟合测量电气数据。
VISHAY - POWER MOSFET,功率 MOSFET,SIHP6N80E,E SERIES
SPICE器件SiHP4N80E型Vishay Siliconix E系列功率MOSFET
27-Nov-17 - 数据手册 本资料提供Vishay Siliconix的SPICE模型SiHP4N80E,描述了n沟道垂直DMOS的典型电气特性。模型在25°C至150°C的温度范围内,通过脉冲0V至15V栅极驱动进行提取和优化。模型使用新颖的栅极至漏极反馈电容网络来模拟栅极电荷特性,并优化所有模型参数以提供最佳拟合。
VISHAY - POWER MOSFET,功率 MOSFET,SIHP4N80E,E SERIES
SiHP21N80AE Vishay Siliconix E系列功率MOSFET
01-Oct-2018 - 数据手册 该资料详细介绍了Vishay Siliconix的SiHP21N80AE功率MOSFET,包括其特性、应用领域、订购信息和绝对最大额定值。该MOSFET适用于服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、照明、工业应用等。
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查看更多版本SiHP38N60E E系列功率MOSFET
11-May-2020 - 数据手册
VISHAY - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,POWER MOSFET,功率 MOSFET,SIHP38N60E,SIHP38N60E-GE3,E SERIES,伺服器,SERVER,WELDING,INDUSTRIAL,电信电源,照明,INDUCTION HEATING,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,焊接,LIGHTING,工业,BATTERY CHARGERS,MOTOR DRIVES,开关电源(SMPS),太阳能(光伏逆变器),电机驱动,功率因数校正电源(PFC),SOLAR (PV INVERTERS),SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS),HIGH-INTENSITY DISCHARGE (HID),荧光灯镇流器照明,感应加热,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,高强度放电(HID),POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES (PFC),蓄电池充电器,TELECOM POWER SUPPLIES
SiHP11N80AE E系列功率MOSFET
11-Nov-2019 - 数据手册
VISHAY - POWER MOSFET,功率 MOSFET,SIHP11N80AE-GE3,SIHP11N80AE,E SERIES,BATTERY CHARGERS,MOTOR DRIVES,开关电源(SMPS),电机驱动,WELDING,INDUSTRIAL,SERVER AND TELECOM POWER SUPPLIES,功率因数校正电源(PFC),照明,INDUCTION HEATING,SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS),HIGH-INTENSITY DISCHARGE (HID),荧光灯镇流器照明,感应加热,服务器和电信电源,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,焊接,LIGHTING,高强度放电(HID),POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES (PFC),蓄电池充电器,工业
查看更多版本SEMTECH ST达林顿三极管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科提供达林顿三极管选型:涵盖NPN和PNP两种极性配置。达林顿管由两只三极管复合连接,具有极高的电流放大倍数,可用微小的基极电流控制较大的集电极电流,广泛应用于功率放大、开关驱动、电机驱动、继电器驱动、LED驱动及各类需要高增益电流放大的场合。产品提供6种封装形式,从小信号放大到大功率开关均有覆盖。该系列达林顿管电流放大倍数高达140000,可用极小的控制电流驱动大功率负载,简化驱动电路设计。集电极电流能力最高10A,配合2.3W的功耗能力,可满足中等功率开关和放大需求。饱和压降低至2V以内,降低了导通损耗。特征频率最高220MHz,适用于中高频开关应用。NPN/PNP双极性覆盖,方便推挽和桥式驱动电路设计。
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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PD(W)
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VCBO(V)
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VCEO(V)
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IC (A)
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HFE_Min
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HFE_Max
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Vcesat(V)
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fT(MHZ)
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FCX605U
|
达林顿三极管
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SOT-89
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NPN
|
1
|
140
|
120
|
1
|
2000
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100000
|
1
|
150
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SEMTECH ST碳化硅肖特基二极管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科提供碳化硅肖特基二极管选型:碳化硅材料具有超宽的禁带宽度、极高的临界击穿电场和优异的热导率,使SiC肖特基二极管在高压、高温、高频应用中展现出远超传统硅器件的性能优势。产品提供5种功率封装形式TO-252、TO-247-3、TO-220FB-2、TO-220F-2、TO-247-2,适用于工业级功率应用。该系列SiC肖特基二极管反向耐压高达1200V,可在高温(最高175°C以上)环境下稳定工作,大幅降低散热系统复杂度。零反向恢复电荷(或极小)的特性使其开关损耗极低,特别适合高频开关电源(>100kHz)、光伏逆变器、电动汽车OBC/DC-DC、工业PFC及5G基站电源等高端应用场景。正向压降1.4V~1.7V,在高压大电流应用中仍保持优异的导通效率。
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产品型号
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品类
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封装
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VRRM(V)
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IF(A)
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VF(V) Max
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IR(mA)
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IFSM(A)
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SBR10J120A2Z
|
碳化硅肖特基二极管
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TO-252
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1200
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30
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1.65
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0.1
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90
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SEMTECH ST中低压功率MOS管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科中低压功率MOS管提供选型:产品涵盖N沟道、P沟道以及双管型号,提供包括DFN3030、DFN5060、TO-220FB、TO-247-3、TOLL等14种先进封装形式,适用于电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子及工业控制等广泛领域。该系列MOS管提供全电压段覆盖,从低压12V到高压200V,满足各类电源拓扑的耐压需求。导通电阻低至0.7mΩ,配合大电流能力514A,可实现高效率的功率开关。栅源阈值电压低至0.3V,兼容3.3V/5V逻辑电平驱动,便于直接与MCU或驱动器接口。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
Polarity
|
ESD Protection
|
VDS (V)
|
ID max (A)Tc= 25°C
|
VGS(th) (V)Min
|
VGS(th) (V)Max
|
RDSon(mΩ) at 4.5V/Typ
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RDSon(mΩ) at 4.5V/Max
|
Qg Typ (nC)
|
|
STM3038N02UA1SK
|
中低压功率MOS管
|
DFN3030
|
N
|
Y
|
12
|
87
|
0.3
|
1
|
2.9
|
3.8
|
79
|
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现货市场
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