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SiHG17N80E E系列功率MOSFET
12-Jun-17 - 数据手册
VISHAY - POWER MOSFET,功率 MOSFET,SIHG17N80E,E SERIES,SIHG17N80E-GE3,HIGH-INTENSITY DISCHARGE,伺服器,SERVER,WELDING,INDUSTRIAL,电信电源,照明,PFC,INDUCTION HEATING,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,焊接,光伏变流器,LIGHTING,功率因数校正电源,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,工业,BATTERY CHARGERS,MOTOR DRIVES,HID,电机驱动,SOLAR,开关模式电源,隐藏,POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES,荧光灯镇流器照明,感应加热,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,全氟化碳,PV INVERTERS,蓄电池充电器,高强度放电,太阳的,SMPS,模式电源开关,TELECOM POWER SUPPLIES
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Power MOSFE Ts TrenchFET®和E系列
2018/02/05 - 技术文档 该资料介绍了多种类型的功率MOSFET，包括TrenchFET®和E系列。这些MOSFET具有广泛的 breakdown 电压（从-200V到800V），适用于商业、汽车和医疗产品。资料还展示了不同封装类型，如PowerPAK、MICRO FOOT®、SC-75/SC-89、SOT-23、TSOP-6等，并提供了相应的应用场景和电路设计建议。
VISHAY - E SERIES
SiHG17N80E Vishay Siliconix E系列功率MOSFET
12-Jun-17 - 数据手册
VISHAY - POWER MOSFET,功率 MOSFET,SIHG17N80E,SIHG17N80E-GE3,HIGH-INTENSITY DISCHARGE,WELDING,INDUSTRIAL,电信电源,照明,PFC,INDUCTION HEATING,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,焊接,光伏变流器,LIGHTING,功率因数校正电源,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,工业,SERVER POWER SUPPLIES,BATTERY CHARGERS,MOTOR DRIVES,服务器电源,HID,电机驱动,SOLAR,开关模式电源,隐藏,POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES,荧光灯镇流器照明,感应加热,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,全氟化碳,PV INVERTERS,蓄电池充电器,高强度放电,太阳的,SMPS,模式电源开关,TELECOM POWER SUPPLIES
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SiHG17N80E功率MOSFET
12-Jun-17 - 数据手册
VISHAY - POWER MOSFET,功率 MOSFET,SIHG17N80E,SIHG17N80E-GE3,WELDING,INDUSTRIAL,SERVER AND TELECOM POWER SUPPLIES,照明,INDUCTION HEATING,FLUORESCENT BALLAST LIGHTING,焊接,LIGHTING,工业,BATTERY CHARGERS,MOTOR DRIVES,开关电源（SMPS）,太阳能（光伏逆变器）,电机驱动,功率因数校正电源（PFC）,SOLAR (PV INVERTERS),SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS),HIGH-INTENSITY DISCHARGE (HID),荧光灯镇流器照明,感应加热,服务器和电信电源,RENEWABLE ENERGY,可再生能源,高强度放电（HID）,POWER FACTOR CORRECTION POWER SUPPLIES (PFC),蓄电池充电器
E系列功率MOSFET SiHG17N80E
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SPICE器件SiHA4N80E型Vishay Siliconix E系列功率MOSFET
27-Nov-17 - 数据手册 该资料为Vishay Siliconix公司提供的SPICE模型，描述了n沟道垂直DMOS的典型电气特性。模型在25°C至150°C的温度范围内，通过脉冲0V至15V的栅极驱动进行提取和优化。模型采用新颖的栅极至漏极反馈电容网络来模拟栅极电荷特性，以避免开关Cgd模型的收敛困难。所有模型参数值均优化以提供最佳拟合测量电气数据。
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27-Nov-17 - 数据手册 本资料提供Vishay Siliconix公司生产的SiHA6N80E n沟道垂直DMOS晶体管的SPICE模型，描述了其典型电气特性。模型在25°C至150°C的温度范围内，通过脉冲0V至15V栅极驱动进行提取和优化。模型使用新颖的栅极至漏极反馈电容网络来模拟栅极电荷特性，所有模型参数值均优化以提供最佳拟合测量电气数据。
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SPICE器件SiHD4N80E型Vishay Siliconix E系列功率MOSFET
27-Nov-17 - 数据手册 本资料提供Vishay Siliconix的SiHD4N80E n沟道垂直DMOS的SPICE模型，描述了其典型电气特性。模型在25°C至150°C的温度范围内，脉冲0V至15V栅极驱动下优化提取。模型采用新颖的栅极至漏极反馈电容网络来模拟栅极电荷特性，所有模型参数值均优化以提供最佳拟合测量电气数据。
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SPICE器件SiHB4N80E型Vishay Siliconix E系列功率MOSFET
25-Dec-17 - 数据手册 本资料提供Vishay Siliconix的SiHB4N80E n沟道垂直DMOS的SPICE模型，描述了其典型电气特性。模型在25°C至150°C的温度范围内，脉冲0V至15V栅极驱动下优化提取。模型使用新颖的栅极至漏极反馈电容网络来模拟栅极电荷特性，所有模型参数值均优化以提供最佳拟合测量电气数据。
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SiHG22N60E Vishay Siliconix E系列功率MOSFET
02-May-16 - 数据手册 SiHG22N60E是一款Vishay Siliconix生产的E系列功率MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和低开关损耗等特点，适用于服务器、电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、照明、工业焊接、感应加热、电机驱动、电池充电和可再生能源等领域。
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SEMTECH ST达林顿三极管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科提供达林顿三极管选型：涵盖NPN和PNP两种极性配置。达林顿管由两只三极管复合连接，具有极高的电流放大倍数，可用微小的基极电流控制较大的集电极电流，广泛应用于功率放大、开关驱动、电机驱动、继电器驱动、LED驱动及各类需要高增益电流放大的场合。产品提供6种封装形式，从小信号放大到大功率开关均有覆盖。该系列达林顿管电流放大倍数高达140000，可用极小的控制电流驱动大功率负载，简化驱动电路设计。集电极电流能力最高10A，配合2.3W的功耗能力，可满足中等功率开关和放大需求。饱和压降低至2V以内，降低了导通损耗。特征频率最高220MHz，适用于中高频开关应用。NPN/PNP双极性覆盖，方便推挽和桥式驱动电路设计。
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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PD(W)
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VCBO(V)
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VCEO(V)
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IC (A)
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HFE_Min
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HFE_Max
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Vcesat(V)
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fT(MHZ)
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FCX605U
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达林顿三极管
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SOT-89
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NPN
|
1
|
140
|
120
|
1
|
2000
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100000
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1
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150
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SEMTECH ST碳化硅肖特基二极管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科提供碳化硅肖特基二极管选型：碳化硅材料具有超宽的禁带宽度、极高的临界击穿电场和优异的热导率，使SiC肖特基二极管在高压、高温、高频应用中展现出远超传统硅器件的性能优势。产品提供5种功率封装形式TO-252、TO-247-3、TO-220FB-2、TO-220F-2、TO-247-2，适用于工业级功率应用。该系列SiC肖特基二极管反向耐压高达1200V，可在高温（最高175°C以上）环境下稳定工作，大幅降低散热系统复杂度。零反向恢复电荷（或极小）的特性使其开关损耗极低，特别适合高频开关电源（>100kHz）、光伏逆变器、电动汽车OBC/DC-DC、工业PFC及5G基站电源等高端应用场景。正向压降1.4V~1.7V，在高压大电流应用中仍保持优异的导通效率。
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产品型号
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品类
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封装
|
VRRM(V)
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IF(A)
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VF(V) Max
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IR(mA)
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IFSM(A)
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SBR10J120A2Z
|
碳化硅肖特基二极管
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TO-252
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1200
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30
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1.65
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0.1
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90
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SEMTECH ST中低压功率MOS管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科中低压功率MOS管提供选型：产品涵盖N沟道、P沟道以及双管型号，提供包括DFN3030、DFN5060、TO-220FB、TO-247-3、TOLL等14种先进封装形式，适用于电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子及工业控制等广泛领域。该系列MOS管提供全电压段覆盖，从低压12V到高压200V，满足各类电源拓扑的耐压需求。导通电阻低至0.7mΩ，配合大电流能力514A，可实现高效率的功率开关。栅源阈值电压低至0.3V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动，便于直接与MCU或驱动器接口。
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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ESD Protection
|
VDS (V)
|
ID max (A)Tc= 25°C
|
VGS(th) (V)Min
|
VGS(th) (V)Max
|
RDSon(mΩ) at 4.5V/Typ
|
RDSon(mΩ) at 4.5V/Max
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Qg Typ （nC）
|
|
STM3038N02UA1SK
|
中低压功率MOS管
|
DFN3030
|
N
|
Y
|
12
|
87
|
0.3
|
1
|
2.9
|
3.8
|
79
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电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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