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MICROSEMI - JANSD2N7382,JANSR2N7269,JANSF2N7268,JANSF2N7389,JANSF2N7269,JANSM2N7382,JANSF2N7380,JANSF2N7261,JANSF2N7382,JANSR2N7380,JANSR2N7261,JANSR2N7382,JANSR2N7262,JANSR2N7268,JANSR2N7389
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MICROSEMI - RADIATION HARDENED P-CHANNEL MOSFET,抗辐射P沟道MOSFET,JANS 2N7389,SPACE,HIGH-RELIABILITY RAD-HARD APPLICATIONS,高可靠性抗辐射应用,空间,军事的,MILITARY
技术数据表辐射加固P沟道MOSFET符合MIL-PRF-19500/630器件2N7389 2N7389u水平JANSR(100K RAD(Si))JANSF(300K RAD(Si))
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产品型号
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品类
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工作电压Supply Voltage(V)
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输入与输出相位关系Input-Output Phase Relation
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输出高电平峰值短路电流Output High-level Peak Short Circuit Current(A)
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输出低电平峰值短路电流Output Low-level Peak Short Circuit Current(A)
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输出阻抗Output Impedance(Ω)
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上升和下降时间 Rise and Fall Times(ns)
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延迟时间Delay Time(ns)
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负载驱动能力Load Drive Capability(pF)
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工作温度Operating Temperature (℃)
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封装Package
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AiP4415
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MOSFET
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4.5V ~ 18V
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反相
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1.5
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1.5
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2
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10
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20
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1000
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-40℃~85℃
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SOT23-5
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【选型】Infineon(英飞凌)密封MOSFETs产品选型指南
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产品型号
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品类
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Polarity
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VDS(V)
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ID(A)
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Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
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Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
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Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
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Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
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Min VGS(TH) (V)
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Max VGS(TH) (V)
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Qg(nC)
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Ciss(pF)
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CRMM4606
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N+P沟道MOSFET
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N+P
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±30
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±7
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25/26
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30/31.2
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35/37
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42/44.4
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1/-1
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3/-2
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10.1
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382
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23AA02M/23LCV02M 2-Mbit SPI/SDI/SQI 143 MHz串行RAM,带可选备用电池
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