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一个信道机项目中需要选择一颗基准电压源,要求输出电压2.5V,温漂10ppm/°C,SOT23封装,请问有没有合适推荐?
2023-04-03 - 技术问答 你好,推荐一颗核芯互联的CLREF1025AR,具有超低噪声、低温漂电压基准,采用小型6引脚SOT23封装,参考资料:https://www.sekorm.com/doc/2667969.html
请推荐一款1.8V基准电压源 ,温漂为6PPM,sot23-6封装,用于替代MAX6070系列。
2022-11-14 - 技术问答 可以看一下地芯的GREF0618,数据手册为https://www.sekorm.com/doc/3736140.html
有没有 国产2.5V基准电压源,给AD做基准电源用的
2020-03-02 - 技术问答 推荐国产圣邦微品牌的基准电源芯片SGM431,相关资料可在世强元件电商搜索获取。
在温控器上用到颗基准电压源TLV431,有没有合适的替换推荐?
2023-03-27 - 技术问答 你好,推荐思瑞浦的基准电压源TPR431B-S3TR,详细参考数据手册:https://www.sekorm.com/doc/3407569.html
推荐下稳压基准电压源有哪些芯片呢
2018-11-26 - 技术问答 推荐Renesas品牌的超低噪声、高DC精度的精密基准电压源ISL71090SEH50,具有7V至30V的宽输入电压范围,在0.1Hz时实现1.1μVP-P噪声,精度超过0.15%,输出电流能力为20mA。可以参考应用文章:【产品】5V基准电压源ISL71090SEH50,7V~30V宽输入电压范围、精度高达±0.15%。
WDJ(微电晶)电源管理器件&MOS选型表
选型表 - WDJ WDJ提供线性稳压器、电压检测芯片、监控IC、逻辑门及运放的完整选型。核心参数:耐压5.5-45 V、输出电流50 mA-1.2 A、静态电流0.6-85 µA、PSRR 70 dB、容差0.02-2%。封装覆盖SOT23/5/89、SOP-8/14/16、SC70、SSOP-48。输出固定1.8-15 V,可调三端稳压至30 V;逻辑支持1.65-5.5 V供电;接口支持RS-232/485/3485 2.5 Mbps。全系列民用级ROHS,最小包装1k-3k,满足便携、工业及通讯设计。
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产品型号
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品类
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封装
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应用等级
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欧盟强制性环保法规
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最小包装量
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耐压(V)
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电流
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AP7380-30Y-WDJ
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线性稳压器
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SOT-89
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民用级
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ROHS
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1000
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24V
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150mA
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长晶科技MOSFET选型表
选型表 - 长晶科技 长晶科技提供MOSFET(金属 - 氧化物半导体场效应晶体管) 选型,含 414 款型号,涵盖 N 沟道(309 款)、P 沟道(106 款),采用 Trench 工艺,支持 ESD 防护。漏源击穿电压 - 100~650V,漏极电流 - 100.0~350.0A,4.5V 下导通电阻 0.82~5800.0mΩ,栅源电压 6.0~30.0V,阈值电压 - 4.0~4.0V,栅极电压0.65~750.0nC,适配不同功率场景。提供 PDFNWB、SOT、TO、SOP、DFN 等系列封装(如 PDFNWB5×6-8L、SOT-23),适用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业控制等领域。
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产品型号
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品类
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Configuration
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TYPE
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Process
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V(BR)DSS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) @4.5V TYP(mΩ)
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RDS(on) @4.5V MAX(mΩ)
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VGS(th)MAX(V)
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Qg nC
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PACKAGING TYPE
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ESD
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CJ4404SP_CSPB1111-4
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MOSFET
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Dual
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N
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Trench
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12
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12
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8
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22
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27
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1.3
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8.6
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CSPB1111-4
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ESD
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LM385 微功耗带隙基准电压源
2025-12 - 数据手册
华冠半导体 - 微功耗带隙基准电压源,LM385AM-2.5/TR,LM385Z-2.5,LM385AM3-2.5/TR,LM385-2.5,LM385Z-1.2,LM385AMM-2.5/TR,LM385AZ-2.5,LM385BM-2.5/TR,LM385-1.2,LM385BDQ3-1.2/TR,LM385BDQ2-1.2/TR,LM385MM-1.2/TR,LM385DQ3-2.5/TR,LM385DQ2-2.5/TR,LM385M3-1.2/TR,LM385,LM385BDQ3-2.5/TR,LM385BDQ2-2.5/TR,LM385BM-1.2/TR,LM385BZ-2.5,LM385ADQ3-2.5/TR,LM385ADQ2-2.5/TR,LM385M-2.5/TR,LM385MM-2.5/TR,LM385DQ3-1.2/TR,LM385DQ2-1.2/TR,LM385BMM-1.2/TR,LM385M3-2.5/TR,LM385BM3-1.2/TR,LM385M-1.2/TR,LM385BZ-1.2,LM385BM3-2.5/TR,LM385BMM-2.5/TR,稳压电源,电池供电的便携仪器,通用模拟电路
AOSSEMI芯片选型表
选型表 - AOSSEMI AOSSEMI提供了DC-DC电源芯片、LCD驱动芯片、RS232芯片、RS-485/RS-422芯片、触发器、电池充电管理芯片、电荷泵、电压比较器、电压基准芯片、定时脉冲的双极性芯片、多路复用器、逻辑器件、监控和复位芯片、收发器、锁存器、温度传感器、线性锂电池充电芯片、线性稳压器、移位寄存器、运算放大器选型表
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产品型号
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品类
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电源电压
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工作温度
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电路数
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欧盟强制性环保法规
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封装/外壳/尺寸
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SN74LVC1G00DCKR
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与非门
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1.65V~5.5V
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-40°C ~ +125°C
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1路
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ROHS
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SC70-5
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思瑞浦(3PEAK)线性稳压与基准选型表
选型表 - 思瑞浦 低压差、高PSRR,低功耗,低噪,最大输出电流(mA):150~3000,更有DDR端供电专用LDO,具有灌、拉电流能力。
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产品型号
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品类
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Status
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Rating
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Package
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Maximum Output Current(mA)
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Iq(mA)
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PSRR @1KHz (dB)
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Dropout(mV)
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Input Voltage(V)
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Accuracy(max)
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Noise(μVRMS)
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TPL503133-S5TR
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LVLDO
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Production
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Industrial
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SOT23-5
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300
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0.055
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70
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250
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1.5~5.5
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±2%
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178
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屹晶微电子逆变器芯片选型表
选型表 - 屹晶微电子 屹晶微电子提供逆变器芯片选型,涵盖纯正弦波逆变器主控、单相/三相SPWM逆变器、双向逆变器、谐振型双有源桥(DAB)控制芯片及逆变器发电机专用芯片等细分品类。核心可选参数包括死区时间(300nS-2uS)、载波频率(2.5KHz-23.4KHz)、输出频率(50Hz/60Hz,部分支持0-400Hz可调或40-150KHz高频),封装涵盖LQFP32/44/48/64、QFN39/70及SOP16/DIP16。产品优势包括内置桥驱(如EG8015/EG8025/EG8026)、多频率可调(如EG8010/EG8030/EG1615)、低静态电流(如EG7500仅6mA)及宽工作电压(如EG3525S支持8-35V),适用于工业控制、新能源发电及高频谐振等场景。
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产品型号
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品类
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死区时间
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VCC工作电压
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静态电流
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载波频率
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输出频率
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特点
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封装
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EG8010
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逆变器芯片
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300nS/500nS/1uS/1.5uS
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-
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-
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23.4KHz
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50Hz 60Hz
0-100Hz可调
0-400Hz可调
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纯正弦波逆变器主控芯片
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LQFP32
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长晶科技稳压器选型表
选型表 - 长晶科技 长晶科技提供如下LDO的技术选型:VOUT(V)范围:-15~ADJ;IOUT(mA)范围:+100~+1000;IQ(μA/mA)范围:-6.5mA~10mA;PSRR@1KHZ(dB)范围:+30~+80;Accuracy(%)范围:+0.03~+4.....长晶科技的LDO有TO-220F、TO-251、DFNWB1x1-4L、SOT-223、SOT-23等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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VIN min(V)
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VIN max(V)
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VOUT(V)
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IOUT(mA)
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IQ(µA/mA)
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Vdrop(mV)
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PSRR@1KHZ(dB)
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Accuracy(%)
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Package
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CJ6101A18M_SOT-23-3L
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LDO
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Active
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1.8
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6
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1.8
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300
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0.8µA
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110
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50
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2
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SOT-23-3L
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TST Crystal Oscillator选型表
选型表 - TST TST提供石英晶体谐振器(Crystal Resonator)选型,覆盖32.768kHz、16MHz等中高频应用。核心可选参数包括:供电电压0.9V至5V,频率容差10ppm至100ppm,工作温度覆盖-40℃至+125℃宽温档位。产品依托高Q值晶片设计与微型化SMD封装,兼具低功耗、高精度与优异的耐环境特性,适用于RTC实时时钟基准及系统主时钟参考。典型应用涵盖智能电表、物联网、Wi-Fi 6/6E、蓝牙、智能座舱、车载通信及工业自动化等场景。
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产品型号
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品类
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Center Frequency(MHz)
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Supply Voltage(V)
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Frequency Tolerance
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operating temperature
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TW0357A
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Crystal Oscillator
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0.032768MHz
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3.3V
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25ppm
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-10℃~70℃
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TAITIEN有源晶振、无源晶振选型表
选型表 - TAITIEN TAITIEN提供以下技术参数的有源晶振、无源晶振选型,3225、2520、2016等封装,使用方式SMD,输出CMOS/LVPECL/LVDS/HCSL,单端支持1.8V~3.3V宽电压,差分支持2.5V/3.3V,温度稳定度±0.5ppm~±50ppm,温度:-40°C~+105°C,OA系列频点:10MHz~250MHz,90MHz~125MHz;OX:32.768kHz~125MHz;OY:32.768kHz~125MHz;OZ:1.5MHz~50MHz。
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产品型号
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品类
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电压(V)
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封装
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频点
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温度稳定度(ppm)
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温度区间(℃)
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输出格式
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OXJTDLJANF-25.000000MHZ
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晶振
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2.5V
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3225
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25MHZ
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±25ppm
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-40°C~+85°C
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CMOS
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电子商城
服务市场
提供支付收单NFC读写模块定制服务,支持通信接口、电压、天线、结构、协议与安全方案等定制,快速响应。
提交需求>
针对电子系统中的详细传热和流体流动模拟进行优化,可准确分析复杂的两相冷却组件(如热管/均热板),量化利用率,并警告是否干涸。
实验室地址:深圳 提交需求>
现货市场
