• 您好,请问世强是否有5ppm,sot23-6封装,电流希望在15mA的基准电压源呢?需要2.5V的,谢谢!

  • 创建于2022-12-20

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WDJ(微电晶)电源管理器件&MOS选型表

选型表  -  WDJ WDJ提供线性稳压器、电压检测芯片、监控IC、逻辑门及运放的完整选型。核心参数:耐压5.5-45 V、输出电流50 mA-1.2 A、静态电流0.6-85 µA、PSRR 70 dB、容差0.02-2%。封装覆盖SOT23/5/89、SOP-8/14/16、SC70、SSOP-48。输出固定1.8-15 V,可调三端稳压至30 V;逻辑支持1.65-5.5 V供电;接口支持RS-232/485/3485 2.5 Mbps。全系列民用级ROHS,最小包装1k-3k,满足便携、工业及通讯设计。

产品型号
品类
封装
应用等级
欧盟强制性环保法规
最小包装量
耐压(V)
电流
AP7380-30Y-WDJ
线性稳压器
SOT-89
民用级
ROHS
1000
24V
150mA
立即选型
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长晶科技MOSFET选型表

选型表  -  长晶科技 长晶科技提供MOSFET(金属 - 氧化物半导体场效应晶体管) 选型,含 414 款型号,涵盖 N 沟道(309 款)、P 沟道(106 款),采用 Trench 工艺,支持 ESD 防护。漏源击穿电压 - 100~650V,漏极电流 - 100.0~350.0A,4.5V 下导通电阻 0.82~5800.0mΩ,栅源电压 6.0~30.0V,阈值电压 - 4.0~4.0V,栅极电压0.65~750.0nC,适配不同功率场景。提供 PDFNWB、SOT、TO、SOP、DFN 等系列封装(如 PDFNWB5×6-8L、SOT-23),适用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业控制等领域。

产品型号
品类
Configuration
TYPE
Process
V(BR)DSS(V)
VGS(±V)
ID(A)
RDS(on) @4.5V TYP(mΩ)
RDS(on) @4.5V MAX(mΩ)
VGS(th)MAX(V)
Qg nC
PACKAGING TYPE
ESD
CJ4404SP_CSPB1111-4
MOSFET
Dual
N
Trench
12
12
8
22
27
1.3
8.6
CSPB1111-4
ESD
立即选型
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LM385 微功耗带隙基准电压源

2025-12  - 数据手册

华冠半导体  -  微功耗带隙基准电压源,LM385AM-2.5/TR,LM385Z-2.5,LM385AM3-2.5/TR,LM385-2.5,LM385Z-1.2,LM385AMM-2.5/TR,LM385AZ-2.5,LM385BM-2.5/TR,LM385-1.2,LM385BDQ3-1.2/TR,LM385BDQ2-1.2/TR,LM385MM-1.2/TR,LM385DQ3-2.5/TR,LM385DQ2-2.5/TR,LM385M3-1.2/TR,LM385,LM385BDQ3-2.5/TR,LM385BDQ2-2.5/TR,LM385BM-1.2/TR,LM385BZ-2.5,LM385ADQ3-2.5/TR,LM385ADQ2-2.5/TR,LM385M-2.5/TR,LM385MM-2.5/TR,LM385DQ3-1.2/TR,LM385DQ2-1.2/TR,LM385BMM-1.2/TR,LM385M3-2.5/TR,LM385BM3-1.2/TR,LM385M-1.2/TR,LM385BZ-1.2,LM385BM3-2.5/TR,LM385BMM-2.5/TR,稳压电源,电池供电的便携仪器,通用模拟电路

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AOSSEMI芯片选型表

选型表  -  AOSSEMI AOSSEMI提供了DC-DC电源芯片、LCD驱动芯片、RS232芯片、RS-485/RS-422芯片、触发器、电池充电管理芯片、电荷泵、电压比较器、电压基准芯片、定时脉冲的双极性芯片、多路复用器、逻辑器件、监控和复位芯片、收发器、锁存器、温度传感器、线性锂电池充电芯片、线性稳压器、移位寄存器、运算放大器选型表

产品型号
品类
电源电压
工作温度
电路数
欧盟强制性环保法规
封装/外壳/尺寸
SN74LVC1G00DCKR
与非门
1.65V~5.5V
-40°C ~ +125°C
1路
ROHS
SC70-5
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LM285 微功耗带隙基准电压源

2025-12  - 数据手册

华冠半导体  -  微功耗带隙基准电压源,LM285,稳压电源,电池供电的便携仪器,通用模拟电路

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屹晶微电子逆变器芯片选型表

选型表  -  屹晶微电子 屹晶微电子提供逆变器芯片选型,涵盖纯正弦波逆变器主控、单相/三相SPWM逆变器、双向逆变器、谐振型双有源桥(DAB)控制芯片及逆变器发电机专用芯片等细分品类。核心可选参数包括死区时间(300nS-2uS)、载波频率(2.5KHz-23.4KHz)、输出频率(50Hz/60Hz,部分支持0-400Hz可调或40-150KHz高频),封装涵盖LQFP32/44/48/64、QFN39/70及SOP16/DIP16。产品优势包括内置桥驱(如EG8015/EG8025/EG8026)、多频率可调(如EG8010/EG8030/EG1615)、低静态电流(如EG7500仅6mA)及宽工作电压(如EG3525S支持8-35V),适用于工业控制、新能源发电及高频谐振等场景。

产品型号
品类
死区时间
VCC工作电压
静态电流
载波频率
输出频率
特点
封装
EG8010
逆变器芯片
300nS/500nS/1uS/1.5uS
-
-
23.4KHz
50Hz 60Hz 0-100Hz可调 0-400Hz可调
纯正弦波逆变器主控芯片
LQFP32
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长晶科技稳压器选型表

选型表  -  长晶科技 长晶科技提供如下LDO的技术选型:VOUT(V)范围:-15~ADJ;IOUT(mA)范围:+100~+1000;IQ(μA/mA)范围:-6.5mA~10mA;PSRR@1KHZ(dB)范围:+30~+80;Accuracy(%)范围:+0.03~+4.....长晶科技的LDO有TO-220F、TO-251、DFNWB1x1-4L、SOT-223、SOT-23等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号
品类
Status
VIN min(V)
VIN max(V)
VOUT(V)
IOUT(mA)
IQ(µA/mA)
Vdrop(mV)
PSRR@1KHZ(dB)
Accuracy(%)
Package
CJ6101A18M_SOT-23-3L
LDO
Active
1.8
6
1.8
300
0.8µA
110
50
2
SOT-23-3L
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TST Crystal Oscillator选型表

选型表  -  TST TST提供石英晶体谐振器(Crystal Resonator)选型,覆盖32.768kHz、16MHz等中高频应用。核心可选参数包括:供电电压0.9V至5V,频率容差10ppm至100ppm,工作温度覆盖-40℃至+125℃宽温档位。产品依托高Q值晶片设计与微型化SMD封装,兼具低功耗、高精度与优异的耐环境特性,适用于RTC实时时钟基准及系统主时钟参考。典型应用涵盖智能电表、物联网、Wi-Fi 6/6E、蓝牙、智能座舱、车载通信及工业自动化等场景。

产品型号
品类
Center Frequency(MHz)
Supply Voltage(V)
Frequency Tolerance
operating temperature
TW0357A
Crystal Oscillator
0.032768MHz
3.3V
25ppm
-10℃~70℃
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TAITIEN有源晶振、无源晶振选型表

选型表  -  TAITIEN TAITIEN提供以下技术参数的有源晶振、无源晶振选型,3225、2520、2016等封装,使用方式SMD,输出CMOS/LVPECL/LVDS/HCSL,单端支持1.8V~3.3V宽电压,差分支持2.5V/3.3V,温度稳定度±0.5ppm~±50ppm,温度:-40°C~+105°C,OA系列频点:10MHz~250MHz,90MHz~125MHz;OX:32.768kHz~125MHz;OY:32.768kHz~125MHz;OZ:1.5MHz~50MHz。

产品型号
品类
电压(V)
封装
频点
温度稳定度(ppm)
温度区间(℃)
输出格式
OXJTDLJANF-25.000000MHZ
晶振
2.5V
3225
25MHZ
±25ppm
-40°C~+85°C
CMOS
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品类:电压基准源

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