to-252 封装低压 mosfet 想换国产供应商，有靠谱推荐吗？

选型表  -  VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域

选型表  -  华润微电子 华润微电子提供如下MOSFET选型，类型分为N沟道和P沟道，VDS(V)范围：-200~1500，ID(A)范围：-160~460，Min VGS(TH) (V)范围：-2.7~4，Max VGS(TH) (V)范围：-3.6~5.3，Qg(nC)范围：3.1~300，Ciss(pF)范围：3.32~111060.

选型表  -  长晶科技 长晶科技IGBT单管选型表。选型表汇总了多款650V IGBT单管，电流范围6A-40A（高温），封装包括TO-252、TO-247、PDFN5×6等，主要面向工业级应用（部分车规级），涵盖电机驱动、光伏储能、UPS、空调PFC等场景，部分型号标注了短路承受时间（5μs/7μs），供货状态分为量产和样品，交货周期18+6周。

选型表  -  至信微电子 至信微电子提供SIC MOSFET选型，涵盖650V、700V、750V、800V、850V、900V、1200V、1700V、1800V、2200V等多电压等级，RDS(ON)覆盖10.5mΩ至40KΩ，ID范围0.852A至204A，适用于高频、高效、高功率密度应用。产品系列包括D56、D88、PD、T3、T4、H、L8等多种型号，具备低栅极电荷（Qg 4.5nC–324nC）、高散热能力（PD 20W–789W）、全电压范围驱动兼容（VGS 15–18V），广泛用于电源、光伏、电机驱动、新能源汽车及工业电源系统。

选型表  -  无边界 无边界MOSFET选型表分为多种不同封装，有N沟道和P沟道两种，电压范围8V~1700V，电流范围21mA~519A，功率范围100mW~500W。

选型表  -  WG WG（威谷）提供碳化硅二极管的选型。该系列产品具备650V-1200V的VRM耐压与2A-60A的正向电流（Io）规格。优势参数突出，正向电压VF低至1.21V-2.2V，抗浪涌电流IFSM高达200A，反向漏电流IR仅为2.4μA-100μA，兼具低损耗与高可靠性。产品提供TO-247-2L、TO-247-3L、TO-252、TO-220-2L、TO-220F-2L及PDFN5X6等多种封装。广泛适用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩及高效开关电源（PFC）等高频大功率应用场景。

选型表  -  WDJ WDJ提供线性稳压器、电压检测芯片、监控IC、逻辑门及运放的完整选型。核心参数：耐压5.5-45 V、输出电流50 mA-1.2 A、静态电流0.6-85 µA、PSRR 70 dB、容差0.02-2%。封装覆盖SOT23/5/89、SOP-8/14/16、SC70、SSOP-48。输出固定1.8-15 V，可调三端稳压至30 V；逻辑支持1.65-5.5 V供电；接口支持RS-232/485/3485 2.5 Mbps。全系列民用级ROHS，最小包装1k-3k，满足便携、工业及通讯设计。

选型表  -  WG WG（威谷）提供碳化硅MOS管（SiC MOSFET）的选型。该系列产品具备650V-3300V的BVDSS耐压与9A-108A的ID电流规格。其核心优势参数包括：VTH范围2.0V-4.5V，VGS Max涵盖-10/+22V与-10/+25V，RDS(ON)@VGS=10V低至0.011Ω-0.8Ω。产品具有低导通电阻与高频高效特性，提供TO-247-4L、TO-247、TO-252、TO-220F及TO-263等丰富封装。可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、储能系统及工业开关电源等高效率功率转换场景。

选型表  -  长晶科技 长晶科技提供MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管） 选型，含 414 款型号，涵盖 N 沟道（309 款）、P 沟道（106 款），采用 Trench 工艺，支持 ESD 防护。漏源击穿电压 - 100~650V，漏极电流 - 100.0~350.0A，4.5V 下导通电阻 0.82~5800.0mΩ，栅源电压 6.0~30.0V，阈值电压 - 4.0~4.0V，栅极电压0.65~750.0nC，适配不同功率场景。提供 PDFNWB、SOT、TO、SOP、DFN 等系列封装（如 PDFNWB5×6-8L、SOT-23），适用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业控制等领域。