• 做800g/1.6t光模块去耦,传统mlcc高频段效果不够好,有没有更好的方案?

  • 创建于2026-08-28

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  • 小c_世强 (0)
    有的。推荐试试 Launchip 的 lxf103sa1k0112 硅电容器。它采用半导体薄膜工艺制造,寄生电感极低,在110gHz频点的插入损耗只有0.3dB,回损大于等于13db,在百GHz级频段依然能稳定发挥去耦作用。而传统mlcc到50GHz以上基本就失能了。封装是01005(0.42x0.22x0.1mm),比0201缩小约70%,直接贴上去就行,不用改产线。
    创建于2026-08-28
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硅电容器件产品手册

2026-05-11  - 选型指南

LAUNCHIP  -  硅电容器,LHC223SA2K0112,LHC503SA2K0042,LXF124SA5K0112,LHF5R6WB2K2501,LXF103SA1K0112,LHC503SA2K0047,LHF221WA0K1501,LHF220WB5K2501,LHF4R0WBDK5001,LXF203SA1K0092,LHF101WB4K1501,LXF223AA2K0112,LHC204SA2K0032,LHF130WBDK5001,LXF223SA2K0112,LHF1R5WBDK5001,LHF471WA0K0501,LHF1R8WB2B2501,LHF680WB5K2501,LHC204SA2K0037,LHF100WBDK5001,LHC103SA1K0112,LHF7R0WBDK5001,LHV5R0WBDK1021,LXF103SA2K0112,LHC124SA5K0112,LHF3R0WBDK5001,LHC203SA1K0092,LHF471WB4K1501,LHF102WBBK2501,LHF470WB5K2501,LHF8R2WB5K2501,LHV280WBBK1021,LHF0R8WB2A2501,LHF3R8WB2B2501,LHV330WBBK1221,LHF101WB7K2501,LHV2R5WBDK1021,LHV4R0WBDK1021,LHC402SA2K0502,LHF1R2WB2B2501,LHF6R0WBDK5001,LHF471WA7K1501,LHV150WB9K1021,LHC105SA4K0032,LXF103SA2K0302,LHF9R0WBDK5001,LHV3R0WBDK1021,LXF473SA2K0112,LHF120WBDK5001,LHF3R5WBDK5001,LHC104SA2K0042,LHF331WB8K2501,LHV1R5WBDK1021,LHV7R0WBDK1021,LHF6R8WB2K2501,LHF150WB5K2501,LHV102WB6K1501,LHC104SA2K0047,LHF102WA0K0301,LHF2R0WBDK5001,LHF100WB2K2501,LHF330WB5K2501,LHC103SA2K0302,LHC103SA5K0502,LHF110WBDK5001,LHF102WB4K1001,LHF202WA7K1001,LHF150WB2K2501,LHF5R0WBDK5001,LHF100WB1K2501,LHV2R0WBDK1021,LHV3R5WBDK1021,LHC205SA8K003Z,LHF8R2WB1K2501,LHV6R0WBDK1021,LHF8R0WBDK5001,LHF101WA0K1501,LHF102WA7K1501,LHF501WB9K2501,LHF2R6WB2B2501,LHC473SA2K0112,LHF2R5WBDK5001,LHC502SA5K1002,LHC354SA7K003C,滤波,能源,射频旁路,通信,医疗,国防军工,航空航天,自动化,PDN电源分配网络,调谐,耦合,隔离直流

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launchip硅电容选型表

选型表  -  Launchip launchip选型表提供了一系列具备高温稳定性(150°C)的硅电容产品,兼顾了小型化(最小0.25mm)与高耐压(最高500V)的需求。选型时需重点关注容值与耐压的平衡,以及不同型号对应的存储湿度要求。

产品型号
品类
尺寸
容值
耐压
温度
厚度
存储环境/要求
LHC503SA2K0042NWBX
硅电容
0.6*0.3
50nF
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150°
100um
温度15℃~35℃,湿度30%~70%
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LXF103SA1K0112NWBX PcbLib & SchLib & IntLib

2026-11-03 00:00:00  - CAD模型库

LAUNCHIP  -  LXF103SA1K0112NWBX

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LAUNCHIP LXF103SA1K0112:硅基薄膜工艺突破MLCC高频瓶颈,赋能1.6T光模块去耦与国产替代

2026-09-04 -  应用方案 本文介绍LAUNCHIP LXF103SA1K0112硅电容器,采用硅基薄膜工艺突破传统MLCC在高频下的寄生电感瓶颈,实现110GHz频点低插入损耗和稳定容性阻抗,赋能1.6T光模块去耦应用,并推动国产高端被动元件的供应链自主可控。

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LXF103SA1K0112 硅电容器 数据手册

2026-04-30  - 数据手册

LAUNCHIP  -  硅电容器,LXF103SA1K0112,电源分布网络,光模块,能源,通信,医疗,航空航天,高温应用,自动化,光通讯,高速数据处理系统

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LXF103SA1K0112SWBX PcbLib & SchLib & IntLib

2026-11-03 00:00:00  - CAD模型库

LAUNCHIP  -  LXF103SA1K0112SWBX

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LAUNCHIP LXF103SA1K0112:110GHz插损仅0.3dB!01005封装硅电容器赋能800G/1.6T光模块射频去耦

2026-09-07 -  应用方案 LAUNCHIP推出LXF103SA1K0112硅电容器,采用01005封装,专为800G/1.6T光模块射频去耦设计,在110GHz下插损仅0.3dB,通过薄膜工艺突破高频瓶颈,提升系统裕量。

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LAUNCHIP LXF103SA1K0112:单颗01005硅电容替代多颗MLCC并联,助力光模块BOM精简与空间释放

2026-09-07 -  应用方案 本文介绍了LAUNCHIP LXF103SA1K0112单颗01005硅电容,可替代多颗MLCC并联,解决800G/1.6T光模块BOM选型中空间与性能的博弈困境,通过封装尺寸、耐压裕量、温度稳定性等优势,助力光模块BOM精简与空间释放。

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2026-09-04 -  应用方案 朗矽科技推出01005规格量产硅电容LXF103SA1K0112,覆盖直流至110GHz超宽频带,插损≤0.3dB,解决800G/1.6T光模块等高速硬件高频设计痛点,具有高环境稳定性和超薄微型化特点。

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Launchip超高频系列(表贴型)硅电容选型表

选型表  -  Launchip Launchip超高频系列(表贴型)硅电容选型表。LXF 为超高频表贴型硅电容产品,对标日本 M 公司 XBSC 系列,可支持 110GHz 高频应用;器件厚度典型值 100μm。

产品型号
品类
静电容量 (nF)
状态
耐压 (Vdc)
尺寸代码 (EIA)
POD 尺寸 (mm)
厚度典型值 (µm)
对标型号
LXF103SA1K0112
超高频率系列(表贴型)硅电容
10
量产
11
1005
0.42*0.22
100
日本 M 公司 XBSC 系列 (110GHz)
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品牌:LITTELFUSE

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品类:单 FET

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