LITTELFUSE双向瞬态电压抑制器SZ1SMA30CA的esd等级可达多少?其响应时间可达多少?
-
创建于2018-06-19
1个回答
-
- 用户_1278 (0)
- LITTELFUSE的双向瞬态电压抑制器SZ1SMA30CA的ESD等级为HBM class3(>16kV),典型的响应时间<1ns。
- 创建于2018-06-19
- |
- +1 赞 0
- 收藏
相关推荐
Littelfuse双向瞬态电压抑制器SZ1SMA30CA峰值反向电压范围是多少,齐纳击穿电压范围是多少?
2018-08-22 - 技术问答 LITTELFUSE的双向瞬态电压抑制器SZ1SMA30CA峰值工作反向电压范围为-10V至78V,标准齐纳击穿电压范围为-11.7V至91.3V,1.0ms条件下峰值功率为400W。
笔记本电脑上需要一款瞬态电压抑制器,SOD-323,用于ESD保护,有什么推荐?
2021-08-24 - 技术问答 您好,您可以考虑硕凯电子(Socay)的品牌,型号为SE05D3W11GZ的瞬态电压抑制器,具有良好的应用性能。采用SOD-323封装。参数上附合贵司要求,可用在笔记本电脑上,附上规格书链接: https://www.sekorm.com/doc/1629555.html
需求一款单向瞬态电压抑制器二极管,替换LITTELFUSE的SMF4L13A
2022-10-11 - 技术问答 推荐丽正国际的SM4F13A,规格书链接:https://www.sekorm.com/doc/2207729.html
瞬态电压抑制器(TVS)产品丝印上标示为:BDR 3IISA,那么丝印标示为BFM 4DJWP所对应的产品型号是什么?
2017-10-10 - 技术问答 根据提供的丝印,BDR3IISA对应的瞬态电压抑制器(TVS)型号为:SMCJ8.0CA ;BFM4DJWP对应的瞬态电压抑制器(TVS)型号为:SMCJ33CA。
TVS的瞬时响应时间是多少?
2018-11-05 - 技术问答 关于响应时间,可通过TVS的曲线信息了解,主要是Td--Pppm和t--Ippm两条关系曲线去评估响应时间。相关曲线可参考littelfuse的TPSMA6L系列的datasheet的Figure2和Figure4:https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=62637
华轩阳电子二极管选型表
选型表 - 华轩阳电子 华轩阳电子提供全面的二极管(包含TVS/ESD保护二极管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、超快恢复二极管、整流桥等)选型。产品线覆盖静电放电(ESD)保护二极管,细分单/双向、1-5通道,工作电压涵盖3.3V至60V,电容低至0.25pF,峰值电流高达200A,封装包括SOD系列、SOT系列、DFN系列等。还提供各类肖特基二极管、开关/稳压/超快恢复二极管及整流桥,耐压/整流电压从20V至1700V,电流从毫安级至10A级别。广泛用于端口保护、电源管理、整流、信号调理、防反接、浪涌抑制等消费及工业电子应用。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
应用等级
|
VRWM(V)
|
VC(V)
|
CJ(pF)
|
IPP(A)
|
通道类型
|
二极管方向
|
|
HESDUC5VB1AF-A
|
静电放电保护二极管
|
DFN1006-2L
|
民用级
|
5V
|
22V
|
0.35pF
|
4A
|
1通道
|
双向二极管
|
高特静电放电保护器件选型表
选型表 - 高特 高特提供ESD 保护器件(静电放电保护器件) 选型,涵盖 226 个不同型号,满足多样化静电防护需求。核心可选参数丰富:峰值功率(Ppp)24-8800W,最大反向工作电压(VRWM)2-245V,击穿电压(VBR)、钳位电压(VC)多档位可选,峰值脉冲电流(IPP)1-240A,反向漏电流(IR)低至 0.1V,结电容(Cj)0.2-7545pF,适配不同电路防护要求。封装形式多样,包括 DFN 系列(DFN1006、DFN0603 等 16 种)、SOD 系列(SOD-523、SOD-323 等 4 种)、SOT 系列(SOT-23、SOT-143 等 9 种),可灵活匹配不同 PCB 设计空间。产品广泛应用于消费电子(手机、平板)、智能家居、可穿戴设备、工业控制设备及通信设备等领域,为各类电子设备提供可靠静电防护。
|
产品型号
|
品类
|
Ppp(W)
|
VRWM(V)
|
VBR(V)
|
VC(V)
|
IPP(A)
|
IR(V)
|
Cj(pF)
|
Package
|
|
GESD0301BU
|
ESD Protection Device
|
100
|
3.3
|
4.2
|
25
|
4
|
0.1
|
0.25
|
DFN1006
|
晶新TSS二极管芯片选型表
选型表 - 晶新 晶新提供如下TSS二极管芯片选型,工作耐压6V/25V/58V/275V四档全覆盖,裸片尺寸:1.6×1.6 / 1.74×1.74 / 1.76×1.76 / 2.04×2.04 / 2.20×2.20mm多规格;多电压、多尺寸TSS防护芯片,统一2.2A通流规格,适用于消费电子、高速信号线、工业高压通讯端口、ESD防护
|
产品型号
|
品类
|
Vᴅʀᴍ(V)
|
Iᴛ(A)
|
Iᴅʀᴍ(µA) Max
|
Vs(V) Max
|
Is(mA) Max
|
Vᴛ(V) Max
|
Iʜ(mA) Min
|
Cᴏ(pF) Max
|
Vᴘᴘ(V)
|
Die Size(mm×mm)
|
|
4TB174A6PCC
|
TSS二极管芯片
|
6
|
2.2
|
1
|
25
|
800
|
4
|
50
|
120
|
6000
|
1.74×1.74
|
【经验】ESD抑制器和TVS管的重要参数定义及选型注意事项
2018-07-07 - 设计经验 Littelfuse的ESD抑制器和TVS管。ESD抑制器有PESD,PULSE-GUARD ESD,XTREME-GUARD ESD系列,这几个系列是保护高速数据线路应用的理想选择,可以提供极低的电容,且外形小巧,可在确保ESD保护的同时保证了数据的完整性。TVS管有SD,SM等系列,低的钳位电压,多用于低频信号端。
高特ESD Protection Device选型表
选型表 - 高特 高特ESD Protection Device,符合IEC61000-4-2 ESD Contact±8KV, Air ±15KV标准;符合IEC61000-4-4FET 40A, 5/50ns标准;符合IEC61000-4-5 Lightning 24A, 8/20us标准;多工作电压段供选择:2.5V-36V;可提供单路、双路、四路、五路及六路保护产品;超低电容,最低电容达0.2pF;超低反向漏电流,最低反向漏电流1nA;全线采用微型贴片封装外形,最小外形为DFN0603(0.6*0.3*0.3mm);全线产品符合RoHS、无卤、Reach标准。
|
产品型号
|
品类
|
PPP(W)
|
VRWM(V)
|
VBR(V)
|
VC(V)
|
IPP(A)
|
IR(uA)
|
Cj(pF)
|
Package
|
|
GESD0301BU
|
ESD Protection Device
|
100
|
3.3
|
4.2
|
25
|
4
|
0.1
|
0.25
|
DFN1006
|
KINCARRY(晶凯瑞)半导体放电管选型表
选型表 - KINCARRY 晶凯瑞提供如下半导体放电管选型。断态电压VDRM覆盖6V~400V,浪涌峰值2000V~6000V(10/700µS波形),部分型号支持3000A(8/20µS)大电流浪涌,通态电流IT 2.2A,最大通态电压VT 4V,关断漏电流IDRM≤5µA,开关电流Is 800mA,维持电流IH 10mA~700mA。提供SOD123FL/SMF、SMA/DO-214AC、SMB/DO-214AA、SMB-3、SMC-3等多种贴片封装,含标准型、高浪涌型(B/C后缀)及低电容型(-MC后缀)。适用于通信接口、电源端口、安防设备及工业控制等浪涌防护场景。
|
产品型号
|
品类
|
Off-Stand Voltage VDRM(V)
|
Max Off-Stand Current IDRM(µA)
|
Max Switching Voltage Vs(V)
|
Switching Current Is(mA)
|
Max On-state Voltage VT(V)
|
On-state Current IT(A)
|
Max Capacitance Co@2、1MHz(pF)
|
Min Holding Current IH(mA)
|
Surge Peak
|
Surge Wavefom
|
封装
|
|
P0080FA
|
Thyristor Surge Suppressor
|
6
|
5
|
25
|
800
|
4
|
2.2
|
50
|
20
|
2000V
|
10/700µS
|
SOD123FL/SMF
|
高特 PESD选型表
选型表 - 高特 提供高分子聚合物静电抑制器PESD选型,工作电压范围:VDC 5-30V,CJ: 0.05(pF)Typ
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
VDC Max(V)
|
VT Typ.(V)
|
VC Typ.(V)
|
IL Max.(μA)
|
CJ Typ.(pF)
|
|
PESD0201MS05
|
PESD
|
0201
|
5V
|
450V
|
40V
|
0.1μA
|
0.05pF
|
格瑞宝电子TVS选型表
选型表 - 格瑞宝电子 格瑞宝电子提供TVS二极管/ESD抑制器选型,覆盖2.5-360 V工作电压、0.14-2500 pF超低结电容、70-10000 W峰值功率,IPP 1-1800 A,封装齐全:SOD-123/323/523、SOT-23/553/143、DFN0603/1006/1610/2510/3020、DFN2×2/2×3、SMA/SMB/SMC/SMAG、SOD-123FL等,适用于USB/HDMI/Type-C接口、电池保护、工业通信、汽车电子浪涌与静电防护。
|
产品型号
|
品类
|
Ppp(W)
|
VRWM(V)
|
VBRMin(V)
|
VBRMax(V)
|
IR(uA)
|
CJ(PF)
|
VC(V)
|
IPP(A)
|
Package
|
|
GESDS30VP1
|
TVS
|
6500
|
30
|
31
|
35
|
1
|
350
|
36
|
150
|
DFN2X2-3L
|
XNRUSEMI(新锐半导体)MOSFET选型表
选型表 - XNRUSEMI 新锐半导体提供MOSFET选型。产品涵盖N沟道及P沟道,包含ESD保护及双管配置。电压范围-200V至200V,支持SOT23、SOT89、SOP8、TSSOP8、PDFN33、PDFN56、TO252、TO220、TO263、TO247等多种封装。适用于电机驱动、电源管理及开关电路等应用场景。
|
产品型号
|
品类
|
Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
Vth typ.(V)
|
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V
|
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=2.5V
|
ID(A)
|
|
XR2010S
|
MOSFET
|
SOP8
|
Single
|
N
|
20
|
±12
|
0.7
|
12
|
17
|
8
|
长晶科技MOSFET选型表
选型表 - 长晶科技 长晶科技提供MOSFET(金属 - 氧化物半导体场效应晶体管) 选型,含 414 款型号,涵盖 N 沟道(309 款)、P 沟道(106 款),采用 Trench 工艺,支持 ESD 防护。漏源击穿电压 - 100~650V,漏极电流 - 100.0~350.0A,4.5V 下导通电阻 0.82~5800.0mΩ,栅源电压 6.0~30.0V,阈值电压 - 4.0~4.0V,栅极电压0.65~750.0nC,适配不同功率场景。提供 PDFNWB、SOT、TO、SOP、DFN 等系列封装(如 PDFNWB5×6-8L、SOT-23),适用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业控制等领域。
|
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
TYPE
|
Process
|
V(BR)DSS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)
|
RDS(on) @4.5V TYP(mΩ)
|
RDS(on) @4.5V MAX(mΩ)
|
VGS(th)MAX(V)
|
Qg nC
|
PACKAGING TYPE
|
ESD
|
|
CJ4404SP_CSPB1111-4
|
MOSFET
|
Dual
|
N
|
Trench
|
12
|
12
|
8
|
22
|
27
|
1.3
|
8.6
|
CSPB1111-4
|
ESD
|
电子商城
服务市场
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
提交需求>
测试1.2/50us-8/20us组合波,10/700us-5/320us组合波,8/20us单波。能够模拟雷电瞬变引起的浪涌冲击抗干扰测试,最高电压达20KV,电流达20KA。点击预约,支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址:深圳/上海 提交需求>
现货市场
