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Renesas RZ/T1中的加载程序和用户应用程序有什么区别？
2019-12-10 - 技术问答 加载程序是auser程序（不大于24 KB），它在启动处理后立即开始处理。加载程序预先存储在外部闪存中，然后从外部闪存复制到内部紧耦合存储器（BTCM）区域在启动处理期间。用户应用程序是在加载程序完成处理后开始处理的用户程序（不大于512 KB）。假设用户应用程序从外部闪存复制（或加载）到ATCM区域由装载程序。由于用户应用程序不像加载程序那样自动复制，因此必须由加载程序显式复制。因此，建议使用以下用法： - 加载程序：执行初始设置，如时钟功能，总线功能等然后复制用户应用程序；-用户应用程序：用户系统的应用程序。
Renesas RZ/T1中如何为SPI启动模式选择外部串行闪存？
2019-11-18 - 技术问答 在SPI引导模式下，从复位状态返回后，通过SPI多I / O总线控制器（SPIBSC）从串行闪存读取，启动处理开始，其设置如下所示。因此，请更改产品设置以满足以下条件：·CPU时钟（CPUCLK）：150 MHz·SPIBSC比特率（SPBCLK）：18.75 MHz·支持的命令：读取（03h）·地址输出：3个字节·虚拟循环：无·数据读取宽度：1位·SPI模式：CPOL = 0（正脉冲）CPHAR = 0（奇数边沿数据接收）CPHAT = 0（偶数边沿数据传输）另外，建议使用串行闪存有一个专用的复位引脚，不与任何其他功能复用。如果复位引脚与另一个引脚功能复用，请确保将其设置为复位功能。
在Renesas RZ/T1中，是否可以使用RSTOUT＃作为用于引导的闪存模块的复位信号？
2019-12-02 - 技术问答 RSTOUT＃信号不能与闪存一起用于启动。建议使用RES＃信号和其他。当RES＃信号复位时，如果RSTOUT＃引脚输出低电平500 us（典型值），则RSTOUT＃可用作其他外部器件的复位信号。当复位释放RES＃引脚后，RZ / T1的启动处理启动，当RSTOUT＃引脚用作闪存复位时，有可能无法及时读取闪存。
在Renesas RZ/T1中，如果输入信号逐渐上升或下降，是否存在问题？
2019-11-28 - 技术问答 可能。如果输入信号逐渐上升或下降，它很容易受到噪声的影响，因此可能影响高/低电平决策。此外，它更有可能传导直通电流，因为输入电平漂浮在中间虽然没有规格，但建议避免输入信号的急剧上升和下降。
Renesas RZ/T1中，如果端口是5V容限，那么该容差是否适用于端口上共享的所有功能？
2019-12-09 - 技术问答 确实如此。注意当VCCQ33小于3.0V时，5V容限端口的额定值变为3.6V。
晟矽微电子MCU选型表
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产品型号
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品类
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封装
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程序存储器(bit)
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数据存储器(bit)
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工作电压(V)
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通用 I/O(个）
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系统时钟源
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CPU最高频率（MHz）
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定时器(个）
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唤醒端口(个）
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看门狗
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MC30P6230
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8位 RISC OTP 芯片
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SOP8,DIP8,SOT23-6
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1K×14bit OTP
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50×8bit
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2.0V~5.5V
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6 个
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IRC(8M/32K)
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4MHz
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8位1个
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6 个
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WDT
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GSTO存储芯片选型表
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产品型号
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品类
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Density(G)
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Supply Voltage(V)
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IO BUS
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Interface
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Type
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GSS04GPAL0
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SLC NAND
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4G
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2.7V-3.6V
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X8
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ONFI
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NAND
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产品型号
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品类
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封装
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Core
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CPU Frequency
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Operating
Voltage
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Flash
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RAM
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UART
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I2C
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SPI
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Operating Temperature
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PT32L031F6P6
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Ultra Low Power MCU
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TSSOP20
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M0
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48MHz
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1.8V~3.6V
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32K
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4K
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2
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2
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1
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﹣40℃~+85℃
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MK-米客方德存储卡选型表
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产品型号
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品类
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容量
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Flash 类型
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关键特征
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工作温度
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保修
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应用
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SDSDQAB-004G-MK
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Micro SD Card
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4GB
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MLC
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SD3.0 C10, U1, V10
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-25℃~85℃
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1年
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消费电子产品
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固态储存板卡与传统的闪存存储卡有何区别？
2024-04-17 - 技术探讨 本文对比了固态储存板卡与传统闪存存储卡在存储芯片类型、接口标准、性能、容量范围、适用场景及耐用性等方面的差异。固态储存板卡采用MLC/TLC芯片，支持SATA/PCIe高速接口，具备高性能、大容量和高稳定性，适用于服务器、工作站等高端应用。传统闪存卡多使用SLC芯片，接口为SD/MicroSD等，性能和容量较低，主要用于消费类电子产品。
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产品型号
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品类
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封装
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Core
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CPU Frequency
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Operating
Voltage
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Flash
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RAM
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EEP
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UART
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I2C
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SPI
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SWD Pins
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Operating Temperature
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PT32Y003F4P6A
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32位MCU
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TSSOP20
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M0
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48MHz
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1.8V~5.5V
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16K
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2K
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128B
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2
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1
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1
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8,18
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﹣40℃~+85℃
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MindMotion(灵动微) MCU选型表
选型表 - MindMotion 32位高性能，高性价比MCU，Core核心有M0、M0+、2XM0、M3、STAR-MC1，Flash存储容量范围 16KB~2048KB，RAM存储容量范围 2KB~128KB，工作电压：1.8~48V，CPU频率(MHz)：48~180MHz，GPIO 端口数（个）：6~86，LQFP/TSSOP/QFN等多种封装形式。
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产品型号
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品类
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内核
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管脚数（个）
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工作温度(℃)
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CPU频率(MHz)
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工作电压（V）
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GPIO 端口数（个）
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Flash(KB)
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SRAM (KB)
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封装/外壳/尺寸
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MM32F0163D7PV
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32位MCU
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M0
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64
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-40℃~105℃
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96MHz
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2.0~5.5V
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57
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128KB
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16KB
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LQFP64
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FlexxonEMMC选型表
选型表 - Flexxon Flexxon提供全面的EMMC选型。Flexxon的EMMC产品线涵盖多种存储容量，从64Gbit至4Tbit不等，满足不同存储需求。产品采用NAND MLC、pSLC和TLC技术，提供Non-Volatile闪存类型，确保数据持久性。核心可选参数包括Memory Size（64Gbit至4Tbit）、Operating Temperature（-25°C至105°C）等。封装形式多样，主要为153-VFBGA和100-LBGA，尺寸包括11.5x13及14x18。这些EMMC广泛应用于需要高可靠性和大容量的嵌入式系统，为用户提供丰富的选择和灵活的配置。
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产品型号
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品类
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Memory Type
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Memory Format
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Technology
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Memory Size
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MemoryOrganization
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Memory Interface
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ClockFrequency
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Voltage-Supply
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OperatingTemperature
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Mounting Type
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Package / Case
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Supplier Device Package
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FEMC008G-M10
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EMMC
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Non-Volatile
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FLASH
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FLASH - NAND (MLC)
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64Gbit
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8Gx8
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eMMC_5.1
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200MHz
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2.7V~3.6V
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-25°C~85°C
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Surface Mount
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153-VFBGA
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153-FBGA (11.5x13)
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串行多I/O闪存存储器数据手册
2026/02/03 - 数据手册 该资料详细介绍了PY25R256LD串行多I/O闪存芯片的技术规格和应用。该芯片具有低功耗、高可靠性、多种I/O模式支持等特点，适用于多种消费类应用，如代码和数据的存储。资料涵盖了产品特性、引脚定义、电气规格、数据保护、内存地址映射和设备操作等方面。
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MK-米客方德eMMC NAND选型表
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产品型号
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品类
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容量
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工作温度
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尺寸
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Flash 类型
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关键特征
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MKEMC004GT1M-C
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eMMC NAND
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4GB（32Gbit）
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-25℃~85℃
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7.5x9mm
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MLC
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小尺寸
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电子商城
服务市场
铭旺电子（Ming wang Electronics）以铲齿铝鳍、回流焊铜底、PWM风扇一体化工艺，为AI服务器/工作站定制CPU散热器，ΔT≤8 ℃@350 W，助力释放芯片极限算力。
提交需求>
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量：1片 提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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