CEDM7001 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
中央半导体CEDM7001是一种N沟道增强型硅MOSFET，采用N沟道DMOS工艺制造，设计用于高速脉冲放大器和驱动器应用。这种MOSFET提供低rDS（ON）和低的保持电压。
| 世强先进（深圳）科技股份有限公司 | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由Central Semiconductor品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
CEDM7001VL SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
9-September 2014 - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的表面贴装型硅N沟道增强模式MOSFET——CEDM7001VL。这款器件采用SOT-883VL封装，适用于空间受限的高速放大器和驱动器应用。它具有低rDS(ON)、低栅极电荷等特点，适用于负载开关、直流-直流转换器和电池供电便携式设备。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 表面贴装硅N沟道增强型MOSFET,SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET,CEDM7001VL,SOT-883VL,SOT-883L,SOT-523,CEDM7001,SOT-953,CMUDM7001,CMNDM7001,DC-DC CONVERTERS,负载/电源开关,LOAD/POWER SWITCHES,电池供电便携式设备,BATTERY POWERED PORTABLE EQUIPMENT,DC-DC转换器,SPACE CONSTRAINED HIGH SPEED AMPLIFIER AND DRIVER,空间约束高速放大器及驱动器
查看更多版本
CEDM7001VL SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFE
9-September 2014 - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的表面贴装型硅N沟道增强模式MOSFET——CEDM7001VL。这款MOSFET采用SOT-883VL封装，适用于空间受限的高速放大器和驱动器应用。它具有低rDS(ON)、低栅极电荷等特点，适用于负载/电源开关、DC-DC转换器和电池供电便携式设备。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 表面贴装硅N沟道增强型MOSFET,SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET,CEDM7001VL,CEDM7001,CMUDM7001,CMNDM7001,DC-DC CONVERTERS,负载/电源开关,LOAD/POWER SWITCHES,电池供电便携式设备,HIGH SPEED AMPLIFIER AND DRIVER,BATTERY POWERED PORTABLE EQUIPMENT,DC-DC转换器,高速放大器和驱动器
CEDM7001 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
19-September 2014 - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CEDM7001型N通道增强模式硅MOSFET。这款MOSFET适用于高速脉冲放大器和驱动器应用，具有低rDS(ON)和低阈值电压的特点。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 表面贴装硅N沟道增强型MOSFET,SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET,CEDM7001VL,CEDM7001,CMUDM7001,CMNDM7001,负载/电源开关,高速脉冲放大器及驱动器,LOAD/POWER SWITCHES,DC - DC CONVERTERS,电池供电便携式设备,BATTERY POWERED PORTABLE EQUIPMENT,HIGH SPEED PULSED AMPLIFIER AND DRIVER,直流-直流转换器
查看更多版本
CEDM7001VL表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
9-September 2014 - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CEDM7001VL增强型N沟道MOSFET，这是一种表面贴装器件，适用于空间受限的高速放大器和驱动器应用。它具有低rDS(ON)、低栅极电荷和非常低的封装高度等特点。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET,表面贴装硅N沟道增强型MOSFET,CEDM7001VL,CEDM7001,CMUDM7001,CEDM8001VL,CMNDM7001,DC-DC CONVERTERS,负载/电源开关,LOAD/POWER SWITCHES,电池供电便携式设备,BATTERY POWERED PORTABLE EQUIPMENT,DC-DC转换器,SPACE CONSTRAINED HIGH SPEED AMPLIFIER AND DRIVER,空间约束高速放大器及驱动器
查看更多版本
SOT-883VL CASE CEDM7001VL SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODEMOSFET
9-September 2014 - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CEDM7001VL增强型N沟道MOSFET。这款MOSFET采用SOT-883VL封装，适用于空间受限的高速放大器和驱动器应用。它具有低rDS(ON)、低栅极电荷和低阈值电压等特点。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET,表面贴装硅N沟道增强型MOSFET,CEDM7001VL,CEDM7001,CMUDM7001,CMNDM7001,DC-DC CONVERTERS,负载/电源开关,LOAD/POWER SWITCHES,电池供电便携式设备,BATTERY POWERED PORTABLE EQUIPMENT,DC-DC转换器
SOT-883L CASE CEDM7001 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
19-September 2014 - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CEDM7001型N沟道增强型硅MOSFET。这款MOSFET适用于高速脉冲放大器和驱动器应用，具有低rDS(ON)、低阈值电压等特点，并采用SOT-883L封装。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET,表面贴装硅N沟道增强型MOSFET,CEDM7001VL,CEDM7001,CEDM8001,CMUDM7001,CMNDM7001,负载/电源开关,LOAD/POWER SWITCHES,DC - DC CONVERTERS,电池供电便携式设备,BATTERY POWERED PORTABLE EQUIPMENT,直流-直流转换器
查看更多版本
Central Semiconductor（美国中央半导体公司）2N2906/2N2907/2N2906A/2N2907A数据手册
30-January 2012 - 数据手册 2N2906/2N2906A/2N2907/2N2907A PNP SILICON TRANSISTOR
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 通孔晶体管小信号,PNP SILICON TRANSISTOR,平面晶体管,PNP硅晶体管,PNP通用放大器/开关,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,2N2906A,2N2907A,2N2906,2N2222A,2N2907
CMUDM7001 SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
22-August 2011 - 数据手册 CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM7001是一款增强型硅MOSFET，采用N通道DMOS工艺制造，适用于高速脉冲放大器和驱动器应用。该器件具有低rDS(ON)和低阈值电压的特点。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET,表面贴装N通道增强型硅MOSFET,CMUDM7001,2N2222A,电源转换器电路,负载/电源开关,BATTERY POWERED PORTABLE EQUIPMENT,电池供电便携式设备,POWER SUPPLY CONVERTER CIRCUITS,LOAD/POWER SWITCHES
CZT2680 SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE NPN SWITCHING POWER TRANSISTOR
3-October 2017 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CZT2680高压开关功率晶体管。该产品采用外延平面工艺制造，具有高电压和高速度切换特性，适用于驱动器和通用高压切换应用。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 表面贴装硅高压NPN开关功率晶体管,SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE NPN SWITCHING POWER TRANSISTOR,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CZT2680,DRIVERS AND GENERAL HIGH VOLTAGE SWITCHING,驱动器和一般高压开关
BCW31 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
20-November 2009 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的BCW31型NPN硅晶体管。该晶体管采用SOT-23表面贴装封装，适用于集电极电流高达100mA的应用。资料提供了最大额定值、电气特性以及机械尺寸图。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR,表面贴装NPN硅晶体管,2N2222A PBFREE,2N2222A TIN/LEAD,BCW31
CZT3120 SURFACE MOUNT SILICON NPN SWITCHING POWER TRANSISTOR
8-December 2017 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CZT3120型号硅NPN开关功率晶体管。该晶体管采用外延平面工艺制造，具有高功率和高速度切换特性，封装为SOT-223表面贴装封装。适用于驱动器、DC-DC转换器和通用快速切换应用。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 表面贴装硅NPN开关功率晶体管,SURFACE MOUNT SILICON NPN SWITCHING POWER TRANSISTOR,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CZT3120
CXT5401 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
23-February 2010 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CXT5401型PNP硅晶体管。该晶体管采用外延平面工艺制造，环氧树脂封装，适用于高压放大器应用。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR,表面贴装PNP硅晶体管,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CXT5401,HIGH VOLTAGE AMPLIFIER,高压功放
Central Semiconductor双极结型晶体管选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）双极结型晶体管选型。参数信息如下：最大直流电集电极电流：10mA~50A，集电极-发射极最大电压VCEO：12V~400V，此产品广泛应用于小信号的一般放大和开关等应用
|
产品型号
|
品类
|
最小工作温度
|
最大直流电集电极电流
|
集电极-基极电压VCBO
|
最大工作温度
|
集电极-射极饱和电压
|
发射极-基极电压VEBO
|
集电极-发射极最大电压VCEO
|
Pd-功率耗散
|
增益带宽产品fT
|
|
2N2222ATIN/LEAD
|
双极结型晶体管
|
-65℃
|
100mA
|
75V
|
+200℃
|
300mV
|
6V
|
40V
|
500mW
|
300MHz
|
报警传感器电路应用简介
0720 - 应用及方案 该资料介绍了中央半导体公司（Central Semiconductor）提供的用于报警传感器电路的元器件。内容包括快速开关的晶体管、高速MOSFET、桥式整流器、瞬态电压抑制器等，旨在确保报警系统的快速响应和可靠性。资料还提供了不同型号的元器件及其规格参数，适用于不同单元的接收器和主控制台。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - HIGH SPEED MOSFET,SWITCHING BJT,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,桥式整流器,MOSFETS,AC/DC CONVERTER,晶体管,瞬态电压抑制器,MOSFETS器件,交流/直流转换器,开关BJT,BRIDGE RECTIFIERS,TRANSISTORS,高速MOSFET,CMNTVS5V0,BC546A,BC547B,CTLTVS5V0BULC,CFTVS5V0LC,CFTVS5V0BULC,CBRHD-06,CMNDM7001,BCX70G,BC184B,BCV72,CMO5V0LC,CFTVS3V3B,CBR1-D060S,CBRHD06,CEDM7001VL,CTLTVS5V0B,P6SMB200CA,P6KE400CA,BC337,CEDM7001,CMUDM7001,ALARM SENSOR CIRCUIT,报警传感器电路
Central Semiconductor晶体管选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）晶体管选型。产品参数如下：漏源电压（Vdss）：20V~800V，25°C时电流连续漏极 (Id)：100mA（Ta）~11A（Ta）。此产品广泛应用于小信号、通用开关等应用
|
产品型号
|
品类
|
Vgs（最大值）
|
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）
|
驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）
|
漏源电压（Vdss）
|
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）
|
25°C时电流 连续漏极 (Id)
|
不同Id时Vgs(th)（最大值）
|
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）
|
|
CMUDM7001 TR PBFREE
|
晶体管
|
10V
|
9pF@3V
|
1.5V，4V
|
20V
|
0.57nC@4.5V
|
100mA（Ta）
|
900mV@250µA
|
3欧姆@10mA，4V
|
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论