7447773331 WE-PD SMD Shielded Power Inductor
●一般属性:
■在最坏情况下,建议部件温度不超过+125°C
■环境温度(参考I-R):-40°C至+85°C
■工作温度:-40°C至+125°C
■储存温度(原包装):-20°C至+60°C
■电性能的测试条件:+20°C,33%相对湿度(如果未另行规定)
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FMIC SIC MOSFET选型表
选型表 - FMIC FMIC方正微电子提供SiC MOSFET、SiC肖特基二极管及功率模块的选型。产品涵盖1200V耐压等级,SiC MOSFET导通电阻13mΩ-85mΩ,二极管正向电流10A-40A,功率模块电流支持63A-210A。封装包含TO247-2/3/4/4NL/7、EASY2B、DIP32等。产品分为车规级(符合AEC-Q101标准)和工业级,适用于汽车电子及工业控制领域。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
耐压(V)
|
Rds(on)mΩ
|
应用等级
|
认证标准
|
|
FM120D013CA
|
SiC MOSFET功率半导体
|
TO247-4
|
1200V
|
13mΩ
|
车规级
|
AEC-Q101
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晶新功率晶体管芯片选型表
选型表 - 晶新 晶新提供如下功率晶体管芯片选型,中大功率BJT裸片是一套2~15A全电流、20~350V超宽耐压的线性/驱动功率三极管芯粒矩阵,分为通用中小功率、标准宽压、超大电流功放、高压特种四大系列,配套完整NPN/PNP配对型号。产品线区50~150MHz高频线性放大工艺与10~15MHz低频大电流驱动工艺,裸片尺寸0.86~5.0mm梯度全覆盖,兼容各类直插、贴片功率封装
|
产品型号
|
品类
|
BVᴄᴇᴏ(V)
|
BVᴄʙᴏ(V)
|
BVᴇʙᴏ(V)
|
hғᴇ min
|
hғᴇ max
|
Vᴄᴇ(sat)(V)
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fᴛ(MHz)
|
Die Size(mm×mm)
|
Wafer Size
|
Iᴄ(A)
|
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CJZM718
|
功率晶体管芯片
|
-25
|
-25
|
-7.5
|
300
|
600
|
-0.35
|
150
|
0.86×0.86
|
4"
|
-2.5
|
电子商城
服务市场
可定制电感最大电流100A,尺寸最小7 x 7 x 3.0mm到最大35 x 34 x 15.5 mm,工作频率100KHZ ~ 2MHZ,感值范围:0.15 ~ 100uh;支持大功率电感,扁平线电感,大电流电感,高频电感,汽车电感器,车规电感,一体成型电感等定制。
最小起订量:5000 提交需求>
可定制车载智能天线频率:20kHz、114.5 kHz、120- kHz、125 kHz、134 kHz、134.2kHz、134.5 kHz;工作温度范围:-40ºC to ~125ºC;电感范围:100~734;符合AEC-Q200(汽车质量标准)和IP68标准;
最小起订量:1 提交需求>
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