面向直流无刷（BLDC）电 机 的eGaN® FET 及集成电路
优势:
与硅基MOSFET相比，EPC的eGaN FET在直流无刷电机设计实现高很多的开关速度，其优势包括没有寄生P-N二极管、没有反向恢复（QRR）、较低QOSS。
eGaN FET的优势包括于直流无刷电机降低电流的噪声、减少5倍开关电流噪声。较低的噪声可更准确地测量电流。
于应用诸如电子辅助转向系统（EPS），直流无刷电机在转换时产生的转矩纹波是不可以接受的。由于氮化镓晶体管使得逆变器开关频率较高，因此可以把电子辅助转向系统的直流无刷电机的损耗及转矩纹波降至最小。
由于氮化镓晶体管具备小型、高效散热、高开关频率及低开关损耗等优势，于医疗设备例如手术机械人，可实现高分辨率及精确的控制。
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产品型号
|
品类
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QRR(nC)
|
Configuration
|
Package(mm)
|
QG typ(nC)
|
CRSS (pF)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QGD typ (nC)
|
ID(A)
|
QGS typ (nC)
|
Max TJ (°C)
|
Development Board
|
Pulsed ID (A)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
QOSS typ (nC)
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Launch Date
|
|
EPC2014C
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
0
|
Single
|
LGA 1.7 x 1.1
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2
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6.5
|
16
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0.3
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10
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0.7
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150
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EPC9005C
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60
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220
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150
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4
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40
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6
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Apr, 2016
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面向扩增实境应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET) 及集成电路
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EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
选型表 - EPC
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产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VGS max
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VDS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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Package (mm)
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QGD typ (nC)
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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ID (A)
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Development Board
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Pulsed ID (A)
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CISS (pF)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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Max TJ (°C)
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
|
Single
|
6
|
15
|
30
|
BGA 0.85 x 1.2
|
0.14
|
0.745
|
0.23
|
3.4
|
n/a
|
28
|
86
|
0.42
|
0
|
67
|
20
|
150
|
面向扩增实境应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)及集成电路应用简介
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产品型号
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品类
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Status
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Function
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UVLO
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Configuration
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F (Max)
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Development Board
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IOUT
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VDD
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IOUT
Peak
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Input Logic
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VPwr
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Package
(mm)
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EPC21603
|
eGaN Integrated Circuits
|
Engr
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eToF™ Laser Driver
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0
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Single
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200
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EPC9156
|
3.7
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5
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10
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LVDS
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40
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BGA 1 x 1.5
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面向激光雷达（Lidar）应用的eGaN® FET及集成电路 市场简介
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