VBT6045CBP-E3 Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

知识图谱
2018-02-26 VISHAY 数据手册 英文


●特性
■沟槽式MOS肖特基技术
■低正向压降、低功耗
■高效率工作
■符合J-STD-020规定的MSL 1级标准,LF最大峰值为245°C
■TJ最大200°C。太阳能旁路模式应用中

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产品型号
品类
VIN(V)
VOUT(V)
MAX IOUT(A)
Frequency(MHz)
IQ(µA)
IINSDN(uA)
Efficiency Max(%)
Package
ET81313
同步降压调节器
4.5~17
ADJ/0.60~7.0
3
1.2
200
1.6
95
SOT-563
立即选型
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产品型号
品类
VIN(V)
VOUT(V)
Max SW Current(A)
Frequency(MHz)
IQ(uA)
ISD(uA)
Efficiency Max(%)
Package
ET82099
同步升压调节器
0.7~5.5
ADJ/1.8~5.5
1.0/Peak
Adaptive
0.5/0.25
0.5
93
WLCSP6
立即选型
代理服务

AOSSEMI芯片选型表

选型表  -  AOSSEMI AOSSEMI提供了DC-DC电源芯片、LCD驱动芯片、RS232芯片、RS-485/RS-422芯片、触发器、电池充电管理芯片、电荷泵、电压比较器、电压基准芯片、定时脉冲的双极性芯片、多路复用器、逻辑器件、监控和复位芯片、收发器、锁存器、温度传感器、线性锂电池充电芯片、线性稳压器、移位寄存器、运算放大器选型表

产品型号
品类
电源电压
工作温度
电路数
欧盟强制性环保法规
封装/外壳/尺寸
SN74LVC1G00DCKR
与非门
1.65V~5.5V
-40°C ~ +125°C
1路
ROHS
SC70-5
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